东芝明年量产96层3D NAND，或独投1800亿增产3D NAND

　　全球第 2 大 NAND 型快闪存储器厂东芝(Toshiba)28 日宣布，携手 SanDisk 研发出全球首款采用堆叠 96 层制程技术的 3D NAND Flash 产品，且已完成试样。该款产品为 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技术的产品，预计于 2017 年下半送样、2018 年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手机、平板电脑和存储卡等市场。

　　东芝今后也计划推出采用堆叠 96 层制程技术的 512Gb(64GB)3D NAND 产品以及采用全球首见的 4bit/cell(QLC = Quad-Level Cell)技术的 3D NAND 产品。上述堆叠 96 层的 3D NAND 将利用东芝四日市工厂“第 5 厂房”、“新第 2 厂房”以及预计 2018 年夏天完成第 1 期工程的“第 6 厂房”进行生产。

　　近日，东芝因出售东芝存储器与合作伙伴、共同营运 NAND 型快闪存储器主要据点“四日市工厂”的 Western Digital(WD)闹翻，除 28 日状告西数求偿 1200 亿日圆之外，同日宣布将进行增产投资，且表明若 WD 无意合作投资的话也没关系，东芝会单独进行。

　　据悉，因应来自服务器、数据中心的 3D NAND 需求扩大，东芝存储器预计在 2017 年度内(截至 2018 年 3 月底为止的会计年度)砸下 1800 亿日圆进行增产投资，该笔资金除将用于导入“第 6 厂房”第 1 期工程所需的生产设备之外，也将用于第 2 期工程的厂房兴建。

　　“第 6 厂房”第 1 期工程预计于 2018 年夏天完工，第 2 期工程厂房预计于 2017 年 9 月动工、2018 年年末完工。至于具体的产能、生产计划，将于今后视市场动向决定。

　　目前，东芝已量产堆叠 64 层的 3D NAND 产品。与 64 层产品相比，96 层 3D NAND 每单位面积的存储容量扩大至约 1.4 倍，且每片晶圆所能生产的存储容量增加，每 bit 成本也下滑。

　　东芝表示，堆叠 16 片 768Gb 芯片，实现业界最大容量 1.5TB 的 QLC 技术产品预计于 2017 年 8 月送样，且该款 1.5TB 产品将在 8 月 7-10 日期间于美国圣塔克拉拉举行的“Flash Memory Summit 2017”上进行展示。