存储“芯”动态：美光扩产广岛DRAM厂 三星拟扩充西安NAND Flash产能

　　多数手机以不同存储规格来区别高配版、标准版，而不同版本之间的差价可达到几百元，这让我们看到了作为四大通用芯片之一的存储器的重要性。

　　半导体存储器是一个高度垄断的市场，其三大主流产品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前两者，全球市场基本被前三大公司占据，且近年来垄断程度逐步加剧。以DRAM和NAND两种主要存储芯片为例，2016年第一季度，DRAM市场93%份额由韩国三星、海力士和美国美光科技三家占据，而NAND Flash市场几乎全部被三星、海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔等六家瓜分。

　　美光计划斥资20亿美元 扩产广岛DRAM厂

　　据日经新闻报导，美光科技计划未两至三年斥资20亿美元，在位于日本广岛的工厂量产主要应用在智能手机、数据中心和自驾车的新世代动态随机存取存储器(DRAM)。

　　报导指出，美光已在这座厂房内增设无尘室，并准备研发13纳米芯片的制程技术。该公司已买下多台订价数十亿日元的尖端芯片制造设备进行研发，预料在DRAM芯片开始量产后，还会添购更多设备。这座工厂原属于尔必达(Elpida)，2013年随着尔必达一起并入美光旗下。

　　目前在全球DRAM制造商居第三的美光正加紧研发，以赶上业界龙头韩国三星电子的脚步。和美光目前采用的16纳米制程技术相比，13纳米芯片装配在单一晶圆上的数量更多，生产效益预料可提升逾20%。

　　90亿美元!三星拟扩充西安NAND Flash产能

　　三星电子5月29日表示，正考虑在中国西安的生产基地扩充存储芯片产能。因应相关产业对存储芯片的需求。

　　三星电子发言人证实，三星电子考虑扩充西安厂的产能，但未提供其他细节。三星电子已对西安厂投资70亿美元，生产3D NAND存储芯片。这种芯片用于高端信息储存产品，像是智能手机、个人电脑和服务器。

　　韩国媒体早先报导，三星电子正和中国官方洽谈，将扩充西安厂产能，投资额高达10万亿韩元(89.3亿美元)，预定今年底前动工。2019年开始营运。