韩国与大陆技术差距仅剩3~5年？SK海力士提前应对专利纷争

　　大陆存储器正在迅猛发展，去年紫光主导的长江存储在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地引起全球关注，韩国业界对此评估称，韩国与大陆厂商间的技术差距仅剩3~5年。有消息指出，为避免再度上演类似过去与Rambus、东芝等半导体同业间的专利大战，SK海力士近期特意与专利分析团队中新成立大陆工作小组，以研究学习大陆商业法、专利法等相关法律。

　　据韩媒亚洲经济引述SK海力士内部消息称，SK海力士的大陆专利分析小组将采取无固定编制、相关成员可自由参与研究学习大陆专利法等相关法律的模式。因大陆半导体技术暂时还未赶上韩国，成立大陆工作小组只为提前应对未来可能发生的专利诉讼，故采取非正式编制的形式。

　　海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。目前在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。市调机构IHS资料显示，2016年SK海力士在全球DRAM市场占有率为25.2%，仅次于三星电子48.0%位居第二，但在NAND Flash市场却仅有10.1%位居第五，远落后于三星(35.4%)与东芝(19.6%)。

　　回看历年SK海力士半导体专利诉讼，均是与美国或者日本半导体同业者有关的。

　　自2000年起，SK海力士与美国半导体专利授权业者Rambus展开13年专利诉讼，最终在2013年，SK海力士和Rambus签订了一个为期5年的专利授权协议，SK海力士向Rambus支付2.4亿美元的专利授权费，按照每季度1200万美元的方式支付，而Rambus则向SK海力士开放相应的内存专利授权。

　　2004年，SK海力士与东芝展开3年在日本、美国的NAND Flash专利侵权诉讼，直到2007年3月，双方才以专利交叉授权方式和解。

　　2014年，因NAND Flash技术外流，东芝向SK海力士提出1.1万亿韩元(约9.1亿美元)规模的民事赔偿，双方关系一度破裂，最后SK海力士以支付2.8亿美元，相当诉讼规模27%的和解金与东芝达成协议，撤销诉松。此外，SK海力士半导体部门与东芝间的专利交叉授权合约，与产品供应契约均获得了延长。

　　2015年，美国内存大厂SanDisk曾控告旗下某职员于2008年跳槽后，将机密泄漏给SK海力士，但在双方达成和解后，SanDisk同意撤回官司。之后，SK海力士与SanDisk还进一步就专利授权取得新协议，海力士将支付SanDisk专利授权费，并供应DRAM给SanDisk，时间将持续至2023年。

　　但是近几年，在大陆政策的支持下，大陆半导体行业正在飞速发展。

　　国务院先后于2014年6月、2015年5月发布《国家集成电路产业发展推进纲要》与《中国制造2025》，给予大陆IC产业政策支持。其中，前者最重要的政策支持则在于半导体产业投资基金的设立;而后者则明确订定2020年大陆IC内需市场自制率将达40%，2025年将更进一步提高至70%的政策目标。

　　目前，全球仅有三星、东芝、美光、SK海力士四家企业在生产主流存储器。为了弥补这块空白，2016年，总投资240亿美元的国家存储器基地项目于武汉宣布正式开工，紫光集团入股长江存储，并执掌项目建设亦引人注目。

　　据悉，长江存储准备进军存储芯片的起点不低，投产后将直接生产3D NAND闪存。在今年一月的半导体峰会上，长江存储科技执行长杨士宁表示，目前长江存储在32层3D NAND Flash发展顺利，产品指标良好，预计在2019年可实现产能满载。他甚至预测2019年与国际存储器大厂的技术差距可拉近至半代，最晚于2020年赶上世界领先技术。

　　虽然暂时大陆半导体技术并未赶上韩国，但为防患于未然，SK海力士才会决定尽早防范未来可能的专利纷争。韩国业界对此评估称，韩国与大陆厂商间的技术差距仅剩3~5年。