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SK海力士:10纳米级DRAM估2017年上半投产

作者:时间:2016-11-08来源:Digitimes收藏

  据韩国经济报导,(SK Hynix)以21纳米制程生产的为目前获利性高的主力产品,2016年底生产比重将达全部的40%;10纳米级规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D NAND Flash,持续扩大3D NAND的生产比重。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201611/339808.htm

  DRAM技术本部长金进国(音译)表示,IT产业对大容量、低耗电、存取速度快的DRAM需求渐增,2016年以来市场需求开始由DDR3、LPDDR3转移到DDR4、LPDDR4,公司以21纳米技术量产的DRAM恰好能满足市场需求变化。

  金进国进一步表示,启动21纳米DRAM量产的时间比竞争同业略晚,但由于启用新制程会带来许多不确定性,因此不得不谨慎看待。经由反覆测试所累积的经验也可视为公司的无形资产,有助于从事更先进制程研发。目前预估2016年底可完成10纳米级DRAM研发,计划在2017年上半投产。

  SK海力士NAND研发本部3D技术负责人金基硕表示,NAND Flash市场的成长速度比DRAM市场还快,2016年第3季NAND Flash事业成功取得盈余,若持续提高3D NAND Flash的产品竞争力,未来应可稳定维持获利。

  金基硕表示,截至第3季为止3D NAND Flash在整体NAND Flash的生产比重还不到10%,公司计划在维持2D产品的获利性下,同时提高3D产品的生产比重,目标2016年底前提升到15%左右。2017年上半应可完成72层3D NAND Flash研发,若顺利在2017年下半投产,3D产品的生产比重可更进一步扩大。



关键词: SK海力士 DRAM

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