大陆发展存储器大计三箭齐发　明年推首颗自制3D NAND芯片

　　大陆发展3D NAND、DRAM、NOR Flash存储器大计正如火如荼地展开，初步分工将由长江存储负责3D NAND及DRAM生产，武汉新芯则专职NOR Flash和逻辑代工。2016年底长江存储将兴建首座12吋厂，最快2017年底生产自制32层堆叠3D NAND芯片，尽管落后目前三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)技术约2个世代，然大陆终于将全面进军NAND Flash领域。

　　尽管大陆并未赶上NAND Flash存储器世代，但在存储器技术改朝换代之际，大陆直接切入新世代3D NAND技术，有机会另辟一片天。大陆有鉴于过去扶植晶圆代工产业经验，这次为让存储器产业落地生根，采取集中资源生产策略，不仅避免资源分散，并杜绝恶性竞争导致产能供过于求情况。

　　大陆过去有众多地方政府和企业集团争取扮演存储器生产中心角色，包括合肥市政府、中芯国际及京东方等，后来由武汉新芯出线，然随着紫光集团加入战局，大陆原本以武汉新芯为主轴的存储器发展大计，出现架构性的改变。2016年紫光集团与武汉新芯合资成立长江存储，武汉新芯成为长江存储旗下100%持股的子公司，并对于未来存储器生产达成初步分工。

　　长江存储将主要负责3D NAND和DRAM生产制造，武汉新芯先前宣布动工的12吋新厂，其实是隶属于长江存储旗下，该座厂房分为三期，首期建设将于2016年底启动兴建，第二期预计2018年完成兴建，第三期在2019年完成，总规划产能为单月30万片，总投资额240亿美元。

　　长江存储3D NAND技术主要来自于飞索(Spansion)，飞索在2014年底卖给Cypress之后仍保持独立营运，由于飞索过去与三星签下Charge Trap技术授权合约，每年为飞索带来丰厚的授权金，而Charge Trap正是3D NAND技术关键，大陆透过与飞索合作取得跨入3D NAND技术的门票。

　　长江存储规划2017年底量产32层堆叠3D NAND芯片，这将是大陆首颗自制的3D NAND芯片，尽管相较于三星、东芝目前已量产64层堆叠技术，预计2017年底可进入72层或96层技术，大陆3D NAND技术仍是约落后2个世代，但大陆在存储器自制总算开始冲刺并酝酿超车。

　　至于武汉新芯未来将专职NOR Flash和逻辑代工业务，旗下12吋厂月产能约3万片，其中有超过2万片是生产NOR Flash芯片，主要客户为飞索和北京创新兆易(GigaDevice)。目前武汉新芯在逻辑代工产能仍不大，主要客户为已并入北京君正集成的CIS大厂豪威(OmniVision)。现阶段豪威CIS除了由台积电生产，华力微和武汉新芯分别负责前段和后段制程。

　　事实上，长江存储规划终极月产能30万片，不仅生产3D NAND芯片，DRAM芯片亦是其中一环，业界认为随着美光解决购并华亚科一案，以及完成让南亚科入股事宜后，下一阶段美光将与紫光建立策略联盟，双方将针对DRAM技术及产能进行合作，因此，长江存储30万片月产能将包括DRAM产品。