富士通与Nantero达成协议 2018年推出快1000倍的NRAM内存

　　富士通半导体和三重富士通半导体上周共同宣布宣布，他们已与总部位于美国的Nantero公司达成协议，授权该公司的碳纳米管内存(NRAM)技术，三方公司未来将致力于NRAM内存的开发与生产。据了解，借由NRAM技术所生产的内存速度将是当前普通内存的1,000倍。预计，借由三方面的合作，将在2018年推出借由55纳米制程所生产的NRAM内存。

　　在纳米技术研究领域，碳纳米管(CNT)是一种很独特的材料，直径只有人类头发的五万分之一，能导热导电，硬度是钢铁的50倍。在储存领域，碳纳米管通过矽基沉底也能达到0与1变化。因此，也可以用来当做储存芯片使用，而且因为其特性为非挥发性，所以就算断电也不会清除储存在上面的资讯。

　　而由于碳纳米管有着特别的特性，因此相较于当前的普通内存，NRAM芯片的具有非常强大的优势。除了读写速度是普通闪存的1,000倍(Nanteo官网上表示是1,000倍)之外，同时可提供功耗更低，更具可靠性与耐用性的内存，而且生产成本更低。

　　富士通半导体系统内存副总裁松宫正人表示，借由Nantero公司的碳纳米管技术而生产的非挥发性储存内存是业界的一个超越了传统技术的显著进步。而富士通半导体自90年代以来，一直是在设计和生产非挥发性内存FRAM(铁电随机存取内存)的少数厂商之一。因此，富士通半导体具有整合FRAM设计和生产的能力。如今再与Nantero公司达成协议之后，未来将就由过去设计与生产FRAM的能力，用于开发NRAM内存，以满足市场的需求。

　　Nantero董事长兼CEO Greg Schmergel指出，Nantero已经在碳纳米管的内存储存技术上研究了十多年，具备生产NRAM内存的先进技术。而本次与富士通半导体与三重富士通半导体两家公司的合作，由于两家公司都是全球生产储存设备中最成功的企业之一。借由其在研发与生产FRAM的经验，未来可以在NRAM内存的合作上产生更大的效益，建立更紧密的关系。

　　不过，对于此合作案，有业界人士指出，Nantero公司自从2006年就说要开始生产碳纳米管内存了。但是，到现在一直没什么特别的进展。未来，即便是跟富士通半导体达成了合做协议，量产的NRAM芯片容量还是不够大，只适合一些嵌入式设备使用。所以，未来是不是能够改变整个内存的生态，还有待进一步的观察。