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飞兆推出采用3x3平方毫米MLP封装的UltraFET系列器件

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作者:时间:2006-12-04来源:收藏
为 DC/DC 转换器设计提供业界领先的开关及热性能

新型 200V  N沟道器件提供最佳的 FOM值 和热阻


公司 (Fairchild Semiconductor) 成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型 (3mm x 3mm) 模塑无脚 () 的100V、200V和220V N沟道器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式DC/DC转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。

与市场上类似的200V  3x3器件相比,的200V器件FDMC2610具有业界最低的米勒电荷 (3.6nC对比 4nC) 和最低的导通阻抗 (200mΩ对比240mΩ)。这些特性使该器件的品质系数 (FOM) 降低了27%,并且在DC/DC转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200V器件具有同类器件中最佳 (3C/W 比 25C/W) 的热阻 (Theta JC),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。

通信应用部市场发展经理Mike Speed称:“飞兆半导体现为设计人员提供具有业界领先性能的超紧凑型 3x3功率开关产品。我们将PowerTrench® 工艺的优点与先进的封装技术相结合,全面提升产品系列的性能。这些产品经过专门定制,能满足现今DC/DC转换器应用中最严苛的设计要求。”

飞兆半导体的器件除了能提供比市场上同类型封装MLP器件更出色的热性能和开关性能外,仅占用较DC/DC转换器设计常用的SO-8封装器件一半的线路板空间。封装尺寸的缩少可让工程师减小MOSFET的占位面积及增强封装热容量,以便设计出更小型,更高功率密度的DC/DC转换器。



飞兆半导体还推出了一款同样采用MLP 3x3封装的150V P沟道平面型UltraFET器件,与这三种N沟道器件相辅相成。这个器件针对有源箝位拓朴中同时需要N沟道和P沟道MOSFET的应用而开发。为设计人员提供了完整的解决方案, 
这些无铅器件能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。


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