UBM内存拆解：神秘手机惊现PCM

 　　非易失性相变内存(phase-change memory，PCM)已经悄悄现身在手机产品中?根据工程顾问机构UBM TechInsights的一份拆解分析报告，发现在某款神秘手机中，有一颗由三星电子(Samsung Electronics)出品的多芯片封装(multi-chip package，MCP)内存，内含与NOR闪存兼容的非易失性相变内存芯片。

　　TechInsights拆解的手机产品，基于客户机密不透露型号与厂牌;该机构表示，要等到与客户之间的工作告一段落，才能公布该手机到底是哪一款。三星曾于4月时透露，该公司将在第二季出货一款内含512Mbit非易失性相变内存芯片的MCP;当时三星并未透露该产品将采用哪种制程技术，仅表示该产品“相当于40纳米NOR闪存。”

　　业界认为三星将采用65纳米至60纳米制程生产上述内存;而拆解分析报告以显微镜所量测出的半间距(half-pitch)内存长度(如下图)，是每微米(micron)8个记忆单元(cell)，就证实了以上的猜测。

　　三星512Mbit相变化RAM的横切面

　　现在已经被美光(Mciron)合并的恒忆(Numonyx)，在2008年发表了一款90纳米制程128Mbit非易失性相变内存，并在2010年4月以Omneo系列串行/并列存取内存问世;但是到目前为止，该公司都未透露任何有关该产品的设计案或是量产计划。此外恒忆也开发了一款45纳米制程的1Gbit非易失性相变内存，但这款原本预期今年上市的产品，迄今也未有后续消息。