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富士通体推出基于0.18 µm 技术的全新SPI FRAM

—— 该产品提供具有标准存储器引脚配置的8引脚封装,完全兼容E2PROM芯片
作者:时间:2011-07-19来源:电子产品世界收藏

        半导体(上海)有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技术的全新 SPI 产品家族,包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号,并从即日起开始为客户提供样片。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/121551.htm

 

        (Ferroelectric Random Access Memory 铁电随机存储器)将SRAM 的快写与闪存的非易失性优势集中在一块芯片上。全新的SPI 家族MB85RSxxx包括3个型号:MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A,分别代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三个密度级。3个芯片的工作电压范围在3.0 ~ 3.6V,读写周期为100亿次,数据保存在55°C的条件下可达10年,且其工作频率大幅提高到最大25MHz。由于FRAM产品在写处理时无需电压增压器,非常适合低功率应用。该产品提供具有标准存储器引脚配置的8引脚封装,完全兼容E2PROM芯片。

SPI FRAM产品阵容

        FRAM独立存储芯片可广泛用于计量、工厂自动化应用以及需要数据采集、高速写入和耐久性的行业。对客户来说,FRAM不仅可以取代所有使用电池支持的解决方案,同时也是一款绿色环保的产品。除 SPI FRAM家族之外,半导体还提供带I²C和并行口的FRAM独立芯片,密度级从16Kbit到4Mbit不等。此外,还计划进一步扩展FRAM组合以满足市场需求。凭借领先的技术开发和完善的制造工艺,富士通半导体不断优化产品设计,并加强与工厂间的密切合作,为向市场稳定地提供高质量产品打下了基础。



关键词: 富士通 FRAM

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