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富士通电子推出可在125℃高温下稳定运行的最新4Mbit FRAM

  • 富士通电子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型号为MB85RS4MTY的4Mbit FRAM,其容量达到FRAM产品最高水平,运作温度最高可达125℃。目前可为客户提供评测版样品。这款全新FRAM是非易失性内存产品,在125℃高温环境下可以达到10兆次读/写次数,工作电流低,是工业机器人和高级驾驶辅助系统(ADAS)等汽车应用的最佳选择。FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存,并已量产20多年,近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。自去年发布以来,2Mbit FRAM M
  • 关键字: FRAM  DFN  ADAS  

从新能源汽车到智能充电桩,富士通打造车联网存储IC完美阵列

  • 随着新能源汽车产业和自动驾驶技术的推广,汽车半导体市场正迎来黄金发展时期。有资料显示,对于 L1 到 L5 等级的自动驾驶而言,在 L1 时自动驾驶的半导体成本只有约 150 美金,到 L3 等级提升至 600 美金,上升到 L4、L5 等级,整车的半导体成本将会达到 1200 美金。而这个快速增长的市场中,存储产品和技术并不为主流媒体关注。富士通电子元器件(上海)有限公司产品管理部总监冯逸新也在近日的一次活动中表示:“随着新基建的部署,充电桩的普及将快速促进新能源汽车的普及,无论是桩侧还是车侧,未来都将
  • 关键字: FRAM  VCU  

富士通电子推出能在苛刻环境正常工作的SPI 2Mbit FRAM

  • 富士通电子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型号为MB85RS2MTY的SPI 2Mbit FRAM 注1 。此款容量最高的FRAM产品能在高达摄氏125度的高温下正常运作,其评测样品(evaluation sample)现已开始供应。 此款FRAM非易失性内存在运作温度范围内能保证10兆次读 / 写次数,并支持实时记录像驾驶数据或定位数据等,这类需要持续且频繁的数据记录。由于该内存属于非易失性,并且具有高速写入特点,即使遇到突然断电的状况,写入的数据也能完整保留不会遗失。
  • 关键字: IC  FRAM  EEPROM  SPI  

富士通电子将自9月推出业内最高密度8Mbit ReRAM产品

  • 富士通电子元器件(上海)有限公司今日宣布,推出业内最高密度8Mbit ReRAM( 注1 )---“MB85AS8MT”,此款ReRAM量产产品由富士通与松下电器半导体(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)( 注2 )合作开发,将于今年9月开始供货。MB85AS8MT是采用SPI接口并与带电可擦可编程只读存储器 (EEPROM) 兼容的非挥发性内存,能在1.6至3.6伏特之间的广泛电压范围运作。其一大特色是极低的平均
  • 关键字: FRAM  EEPROM  SOP  

独立存储器

  • ●   简介●   FRAM的优势●   产品列表●   FRAM产品阵列简介FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行(I2C和SPI)和并行外设的FRAM产品,目前4Kb至4Mb的产品也已量产。 富士通正在为客户评估提供工程研发样品或生产样品。请确认我们的 FRAM产品阵列 ,如果您想获得样品 ,请填写“FRAM样品/文
  • 关键字: FRAM  SPI  

FRAM产品阵列

  • FRAM(铁电存储器)具有像E2PROM一样的非易失性的优势 ,在没有电源的情况下可以保存数据,用于数据存储。FRAM具有两个产品系列,串行接口(I2C,SPI)和并行接口产品。采用串行I/F的FRAM可以用E2PROM或串行闪存来代替,而采用并行I/F的产品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)来代替。富士通半导体集团控制着FRAM的整个生产程序;在日本的芯片开发和量产及组装程序。富士通公司保证了FRAM产品的高质量和稳定供应。自从1999年开始,FRAM产品已经连续供应12年以上
  • 关键字: FRAM  SPRAM  

富士通电子推出可在高温下稳定运行的新款2Mbit FRAM

  • 富士通电子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型号为MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM,可在125℃高温度下正常运行。该器件工作电压可低至1.7V至1.95V,配有串行外设接口(SPI)。目前可为客户提供评测版样品,将在6月实现量产。这款全新FRAM产品是汽车电子电控单元的最佳选择,满足高端汽车市场对低功耗电子器件的需求,如ADAS。图1:MB85RS2MLY 8pin DFN 封装图2:应用实例(ADAS)FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存,已有对传统非易失性内存
  • 关键字: ADAS  FRAM  

存储市场独辟蹊径,富士通20年布局嵌入式系统存储

  • 全球内存市场几年前价格疯涨对于IT产业业者大概仍然心有余悸!随着这场“芯片战争”的硝烟而起的是,中国存储行业海量投资的相关产线纷纷上马,并预计在今年逐渐开花结果,即将可能形成中美韩三国争霸的局面,存储产业未来的风云变幻也将更加风谲云诡。特别是随着5G部署落地、人工智能、大数据和物联网的普及,数据存储已经进入长期向上稳定增长的通道。根据预测,2023年人类数据的产生将会超过103个ZB(数据单位量级GB\TB\PB\EB\ZB)! 在存储技术领域,低容量密度的嵌入式系统关键数据存储一直似乎风平浪静
  • 关键字: FRAM  存储  

以创新型存储掘金百亿表计市场,富士通FRAM+NRAM引领计量存储技术变革

  • 过去十年,智能电表大范围替代传统电表的产业转变,成为工业物联网高速发展的一个缩影。中商产业研究院相关报告指出,预计2021年全球智能电表市场营收规模将达142.2亿美元,与2016年的88.4亿美元、2017年的97.2亿美元相比,年均复合增长率约10%。而Navigant Research研究报告指出,中国在2018年第一季度持续引领全球智能电表市场,安装量超过4.96亿台,占全球总量的68.4%,并正在向下一代智能电表发展。图1:中商产业研究院预测2021年全球智能电表市场营收规模由此看来,中国智能电
  • 关键字: 富士通  FRAM+NRAM  计量存储技术  

存储领域丛林法则下,富士通用20年的专注演绎另类崛起

  •   市场经济下每一个技术领域的竞争都是一场丛林法则的生动演绎。随着物联网和大数据等新兴应用的爆发增长,存储器领域的丛林法则年年都在上演“生动”的故事。不过,在存储领域却有一种技术过着一种与“主流”无争的日子,在嵌入式系统关键数据存储领域默默耕耘二十年,凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质,近年来在Kbit和Mbit级小规模数据存储领域开始风生水起,在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获,这就是铁电存储器FRAM。  FRAM的非易失性对于当时业界可以说是颠覆性的,存储器的非易失性指在没有上电的状态
  • 关键字: 富士通  FRAM  

再获新能源汽车大厂订单,富士通原厂+代理身份完美布局汽车电子产业链

  •   过去十年,随着新能源汽车与自动驾驶的兴起,汽车产业70%的创新来源于汽车电子技术及其产品的开发应用。  IC Insights数据显示,预计2018年汽车电子的销售额将增长7.0%,2019年将增长6.3%,成为六大半导体目标市场中两年来的最高增长率。值得注意的是,汽车特殊用途逻辑类别预计2018年增长29%,汽车应用专用模拟市场增长14%——作为备用摄像头、盲点(车道偏离)探测器和其他“智能”系统被强制或以其他方式添加到更多车辆中。同时,存储器在车辆中使用的新汽车系统解决方案的开发中越来越重要。
  • 关键字: 富士通  FRAM  

如何给汽车系统选择合适的非易失性存储器

  •   汽车系统的设计变得越来越复杂,因为要不断的加入新的功能,如高级驾驶辅助,图形仪表,车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作,每个子系统均需要使用特定的非易失性存储器,以便在复位操作和电源切换期间存储信息。非易失性存储器用于存储可执行代码或常量数据、校准数据、安全性能和防护安全相关信息等重要数据,以作将来检索用途。  目前市场上主要包含这几种不同类型的非易失性存储器,如NOR 闪存、NAND 闪存、EEPROM(可擦除的可编程只读存储器)、FRAM(铁电存储器),MRAM
  • 关键字: MRAM  FRAM  

2018汽车电子如何突破?这三大维度值得关注

  •   2017下半年,伴随业界关注已久的《乘用车企业平均燃料消耗量与新能源汽车积分并行管理办法》(简称“双积分办法”)正式发布,众多中外车企都面临了更为迫切的减排压力,也在无形中加速了新能源车的落地普及。由于燃油车在很长一段时间内都将存在于市场,而电气化技术在燃油车、混动车的节能减排等方面发挥了越来越重要的作用,也导致了其电气化比例在逐渐提升,进一步刺激汽车电子产品,乃至功率器件等电子元器件的出货量。  根据IHS的数据统计,2016年全球汽车电子的市场规模为1160亿美元,预计2022年将达到1602亿美
  • 关键字: 富士通  FRAM  

在RFID中嵌入FRAM,有必要吗?

  • 在RFID中嵌入FRAM,有必要吗?-富士通半导体内嵌FRAM的RFID产品相比其单体FRAM产品是比较新的,而市场上常用的RFID产品嵌入的是EEPROM。与内嵌EEPROM的RFID产品相比,内嵌FRAM的RFID读写速度快很多,并且其抗辐射性比EEPROM高出不止一个数量级。
  • 关键字: 富士通  fram  

带SPI接口、尺寸最小的1Mb FRAM器件诞生,它到底有多小?

  • 带SPI接口、尺寸最小的1Mb FRAM器件诞生,它到底有多小?-富士通半导体(上海)有限公司日前宣布,成功推出拥有1 Mb内存的FRAM产品---MB85RS1MT。由于该器件采用晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP),使得其体积仅为3.09× 2.28 × 0.33 mm,一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
  • 关键字: 富士通  fram  spi  
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fram介绍

铁电存储器(FRAM)产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度,像工业标准的串行和并行接口,工业标准的封装类型,以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。   非易失性记忆体掉电后数据不丢失。可是所有的非易失性记忆体均源自ROM技术。你能想象到,只读记忆体的数据是不可能修改的 [ 查看详细 ]

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