4月15日消息，富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出具业界最低运行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T样品。 此FRAM产品采用I2C接口，能以最高3.4 MHz的频率及1.8V至3.6V宽电源电压运行。此外，其平均电流极低，以3.4 MHz运行时为170 μA;以1 MHz运行时则为80 μA。 除了具业界标准8引脚SOP(small outline package)之外，富士通还提
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富士通 FRAM
在计量仪表行业，水表/气表目前仍是不同于电表的一个“蓝海”市场，对成本的敏感度远低于对功耗的敏感度，正是因为这一特点，使得FRAM这一无电池存储技术在无论是通信单元(中继)还是计量单元都得到越来越多的应用。 而在深圳最近举办的2015智能水/气计量及管网执行力论坛(WATER&GAS METERING China2015)上，富士通半导体的展台人头攒动，业界对这一新型存储技术的关注可见一斑，FRAM在电表领域的成功很快将延伸到一颗电池要用10-15年的水/气表中，甚至有过
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富士通 FRAM
开车的朋友可能会有这样的经历，当您经过高速公里收费站时，您的交通收费卡在进站和出站时偶尔会无法读取，原因是您的交通卡使用的频率比较高，超过了它的读写次数。目前，这些交通卡大部分是采用内嵌EEPROM的RFID制作的，而如果将智能交通卡中的EEPROM换成FRAM，问题就迎刃而解了。
“采用FRAM 的RFID的读写次数可以达到1012，而采用EEPROM 的RFID的读写次数最多只有一百万次，这就是为何高速收费处偶尔会出现数据读不出的问题。”富士通半导体(上海)有限公司市
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FRAM RFID
富士通半导体台湾分公司宣布成功开发及推出1Mb FRAM(铁电随机存取记忆体)的MB85RS1MT元件，并采用8针脚晶圆级晶片尺寸封装(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可让封装面积仅有目前8针脚SOP封装的23%，而厚度也约其五分之一，实现将拥有序列周边介面SPI的1Mb FRAM成为最小尺寸的FRAM元件。
WL-CSP FRAM为穿戴式装置的理想记忆体元件，除了可让终端应用产品的整体积变小外，更可让FRAM在写入资料时将功耗降至最低，并提供更持久的电池续航力。
穿戴式市场是目
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富士通 FRAM
富士通半导体台湾分公司宣布成功开发及推出1Mb FRAM(铁电随机存取记忆体)的MB85RS1MT元件，并采用8针脚晶圆级晶片尺寸封装(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可让封装面积仅有目前8针脚SOP封装的23%，而厚度也约其五分之一，实现将拥有序列周边介面SPI的1Mb FRAM成为最小尺寸的FRAM元件。
WL-CSP FRAM为穿戴式装置的理想记忆体元件，除了可让终端应用产品的整体积变小外，更可让FRAM在写入资料时将功耗降至最低，并提供更持久的电池续航力。
穿戴式市场是目
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富士通 FRAM
引言：
FRAM存储器可为可穿戴电子产品带来低功耗、小尺寸、高耐用性与低成本。
正文：
铁电RAM(FRAM)存储器广泛应用于工业控制系统、工业自动化、关键任务空间应用、高可靠军事以及各种汽车应用。使FRAM适用于这些应用的特征也使之成了可穿戴应用的可行技术，因为FRAM技术与生俱来的附加属性包括低功耗与高耐用性。
电子可穿戴设计的一个主要注意事项是在提升可靠性的同时降低总体功耗。设计人员必须在增加功能的同时降低系统功耗，以便延长电池使用寿命。与此同时，嵌入式软件的大小和复杂性
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FRAM 存储器
为了解决困扰工程师们数十年的设计难题，德州仪器 (TI) (NASDAQ: TXN) 日前宣布推出具有革命性的Compute Through Power Loss (CTPL)技术，以在包括全新MSP430FR6972 MCU的整个MSP430TM FRAM微控制器 (MCU) 产品系列中实现数据存储与恢复。这项正在申请专利的技术能够在应用程序意外断电后通过智能系统状态恢复实现瞬时唤醒。此外，具有TI CTPL技术的全新MSP430FR6972 MCU包含了集成的智能模拟和数字外设，用于减少系统成本、
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德州仪器 FRAM
铁电记忆体(FRAM，或FeRAM)在1990年代中期被认为将成为主流技术，但至今仍与其他众多新记忆体技术一样，并没有如预期般迅速崛起。FRAM的内部运作原理类似DRAM，有媲美SRAM的高速度以及如同快闪记忆体的非挥发性;在1980年代首个成功的FRAM电路问世，其通用功能就被认为可以在许多应用中取代DRAM、SRAM与EEPROM。
“那样的情况就是没有发生，”半导体产业分析师Jim Handy (来自Objective Analysis)在Cypress收购FRAM
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FRAM
“有了金刚钻，敢揽瓷器活”，当物联网(IoT)、智能汽车、高清视频等热门应用载着满满的财 富袭来之时，半导体厂商是否有足够先进的技术以应对呢?尤其是在需要高性能的细分市场，对于半导体厂商的要求更高。例如，物联网需要小型、低功耗、高可靠 的存储器解决方案，智能汽车需要先进的图形显示控制器以实现ADAS功能，而实时4K则需要H.265编码能力。
在本届慕尼黑上海电子展上，相关厂商展示的几项“低调奢华有内涵”的相关技术方案引起了 笔者的关注：高可靠FRA
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物联网 智能汽车 FRAM 高清视频
MSP430FR59x/69x FRAM MCU产品系列集成了涵盖32KB至128KB嵌入式FRAM的EnergyTrace++™实时功耗分析器和调试器。这些MSP430™ MCU非常适用于智能计量仪表、可佩戴式电子产品、工业和远程传感器、能量收集装置、家庭自动化设备、数据采集系统、物联网(IoT)以及更多需要超低功耗、灵活内存选择和智能模拟集成的应用。
EnergyTrace++技术是全球第一个能使开发人员为每个外设实时分析功耗(电流分辨率低至5nA)的调试系统。这
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FRAM 物联网
近日，富士通半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇介绍了FRAM(铁电存储器)产品在应用中的独特优势。拥有15年FRAM量产经验的富士通半导体，用“多、快、省”形象地概括出FRAM的特点。“多”指的是FRAM的高读写耐久性(1万亿次)的特点，可以频繁记录操作历史和系统状态;“快”指的是FRAM的高速烧写(是EEPROM的40000倍)特性，这可以帮助系统设计者解决突然断电数据丢失的问题;“省”是FRAM超低
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富士通 FRAM EEPROM 201503
在海量的固态存储技术已经非常广泛应用、云存储正在盛行的今天，还有一种KB、MB量级的存储技术大卖，并且在物联网、医疗电子、消费电子、工业电子……几乎所有的行业中无处不在。这种存储技术就是铁电存储器(FRAM)。在近日于深圳举办的易维讯年度中国ICT媒体论坛上，富士通半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇分享了FRAM产品在应用中的独特技术特性优势，特别是FRAM RFID和认证FRAM方面众多的创新应用案例对电子产品的设计具有很好的创新启发，受到与会嘉宾的关注。
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FRAM EEPROM
在海量的固态存储技术已经非常广泛应用、云存储正在盛行的今天，还有一种KB、MB量级的存储技术大卖，并且在物联网、医疗电子、消费电子、工业电子……几乎所有的行业中无处不在。这种存储技术就是铁电存储器(FRAM)。在近日于深圳举办的易维讯年度中国ICT媒体论坛上，富士通半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇分享了FRAM产品在应用中的独特技术特性优势，特别是FRAM RFID和认证FRAM方面众多的创新应用案例对电子产品的设计具有很好的创新启发，受到与会嘉宾的关注。
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FRAM 物联网
铁电随机存取记忆体(Ferroelectric RAM，FRAM;或称FeRAM)由于结合了ROM与RAM的优势，具备非挥发性、高速写入、高耐受度、低功耗等方面的条件，在这几年来不断扩大市场版图，特别是在工业应用领域备受瞩目;随着物联网(IoT)崛起，FRAM也可望在各类智慧连网装置上找到更多新应用商机。
在FRAM技术领域耕耘15年的日商富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)，自1999年首度量产 FRAM 元件以来，全球出货量累计已超过25亿颗，具备多样化的产品种类选择;
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富士通 铁电存储器 FRAM
fram介绍
铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
非易失性记忆体掉电后数据不丢失。可是所有的非易失性记忆体均源自ROM技术。你能想象到,只读记忆体的数据是不可能修改的 [
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