富士通半导体发展新一代内存技术铁电随机内存(Ferroelectric Random Access Memory;FRAM)技术已久，日前正式以0.18微米制程生产SPI FRAM产品，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A系列，容量分别为256Kb、128Kb和64Kb等，目前已开始提供客户样品。
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富士通 FRAM
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技术的全新 SPI FRAM产品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号，并从即日起开始为客户提供样片。
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富士通 SPI FRAM
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技术的全新 SPI FRAM产品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号，并从即日起开始为客户提供样片。
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富士通 FRAM
2009年，Ramtron与IBM公司达成代工FRAM芯片的协议，按照双方原来的计划，准备在2010年使用IBM的0.18微米制程制作出首批FRAM样品芯片。然而，IBM公司在后来的研发制造过程中遇到许多问题，无法成功提升这款产品的产量，导致了这项计划的延迟。
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IBM FRAM
铁电随机存储器(FRAM) RFID由于存储容量大、擦写速度快一直被用作数据载体标签。内置的串行接口可将传感器与RFID连接在一起，从而丰富了RFID应用。
概述
到目前为止，富士通半导体已经开发出了高频段(13.6MHz)和超高频段(860 MHz到960 MHz)RFID LSI产品。这些产品最重要的特点就是它们内嵌FRAM。由于擦写速度快、耐擦写次数高，它们已经作为数据载体型被动RFID LSI而被全世界广泛采用。
大存储数据载体的优势就是RFID可以记录可追溯数据，如制造数据
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富士通 FRAM RFID LSI
「FRAM」是前景看好且正受到广泛关注的集成电路组件，然而，其制造过程中使用的原材料及化学物质颇多，制程也极为复杂。为了计算出在生产FRAM时的CO2排放量，富士通针对芯片生产工厂中化学原料、化学气体、晶圆等的用
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FRAM ICT CO2 方案
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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FRAM RFID 富士通 高频 超高频
Ramtron公司(RamtronInternationalCorp.)，作为一家非挥发性铁电存储器(FRAM)供应商，日前已经与IBM公司的微电子集团达成了一项关于代工服务的协议。
Ramtron正在通过硅谷银行(SiliconValleyBank)申请1100万美元的贷款，这笔贷款主要用于和IBM进行代工合作所需的资本和开发费用。根据这项计划，两家公司将会在IBM位于伯灵顿工厂安置Ramtron的FRAM半导体工艺技术。
Ramtron预计IBM的0.18微米的晶圆制造工艺将会在201
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Ramtron FRAM
在研究和分析现有各种LED显示屏控制电路的基础上，提出一种基于串行FRAM存储器的LED显示屏控制系统。该系统以51系列运行速度为40MIPS的单周期高速VRS51L3074单片机为控制核心，利用串行FRAM存储器组成双端口RAM，实现对LED显示屏的控制；并以2 048×192点阵双色LED显示屏为实例，说明其如何在实际中应用。
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L3074 3074 FRAM VRS
Ramtron公司(Ramtron International Corp.)，作为一家非挥发性铁电存储器(FRAM)供应商，日前已经与IBM公司的微电子集团达成了一项关于代工服务的协议。
Ramtron正在通过硅谷银行(Silicon Valley Bank)申请1100万美元的贷款，这笔贷款主要用于和IBM进行代工合作所需的资本
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Ramtron FRAM IBM
介绍非易失性铁电存储器FM25H20的性能特点，内部结构和工作原理；给出单片机与FM25H20的写操作接口电路图，以及FM25I-t20的写操作流程图。归纳出任何一款8位数据总线宽度用于计算机系统时使用FM25H20的方法．从而实现大容量存储系统的扩展。
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FRAM 25H H20 FM
Ramtron推出半导体业界首款基于F-RAM的事件数据记录仪(EDR) -- FM6124，这是集成式的事件监控解决方案，能够连续监控状态的变化，将数据存储在F-RAM中并向系统提出有关变化的报警。FM6124与可编程逻辑控制器 (PLC) 类似，具有简单的器件设置和资料检索功能，便于系统集成和缩短设计周期。
Ramtron战略市场拓展经理David Lee称：“FM6124是我们首个EDR产品，也是陆续推出专用产品系列的基础，其独特之处在于在单一封装中提供数字式事件监控。该器件可
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Ramtron FRAM 数据记录仪 FM6124 EDR
汽车安全系统在未来数年间将变得越来越趋于精密。这一趋势会影响到attach rate 以及安全气囊系统和汽车稳定性控制系统的的复杂程度。随着这些系统中的电子部分越来越重要，同时对半导体存储器的容量要求也随之增长。本文概述了在设计新一代安全气囊系统存储方案时应该考虑的问题。
目前汽车安全气囊系统引入了两项主要的创新技术。第一，新型的安全气囊系统增加了“智能性”：不同于以往系统一律采用最大的展开力。仿佛所有的事故和乘客都是一模一样的，新系统是根据事故和乘客的具体参数来决定气囊
关键字：
FRAM 安全气囊 智能性
1 概述
随着DS32X35系列产品的发布，Dallas Semi-conductor公司提供了无需电池的非易失存储器。这些器件采用铁电随机存取存储器(FRAM)技术，FRAM是非易失存储器，其读/写操作与RAM类似。该系列器件能够可靠地将数据保持10年之久，与EEPROM和其他非易失存储器不同的是：它不需要考虑系统复杂性、过度开销以及可靠性等问题。从1992年出现第一块FRAM至今，铁电随机存取存储技术已趋于成熟。
2 非易失存储器
目前，非易失存储技术主要有3种：电池备份的SRA
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模拟技术 电源技术 DS32X35 随机存取存储器 FRAM 存储器
fram介绍
铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
非易失性记忆体掉电后数据不丢失。可是所有的非易失性记忆体均源自ROM技术。你能想象到,只读记忆体的数据是不可能修改的 [
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