富士通为1Mb序列FRAM开发超小型封装

　　富士通半导体台湾分公司宣布成功开发及推出1Mb FRAM(铁电随机存取记忆体)的MB85RS1MT元件，并采用8针脚晶圆级晶片尺寸封装(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可让封装面积仅有目前8针脚SOP封装的23%，而厚度也约其五分之一，实现将拥有序列周边介面SPI的1Mb FRAM成为最小尺寸的FRAM元件。

　　WL-CSP FRAM为穿戴式装置的理想记忆体元件，除了可让终端应用产品的整体积变小外，更可让FRAM在写入资料时将功耗降至最低，并提供更持久的电池续航力。

　　穿戴式市场是目前备受瞩目的焦点，并以惊人的速度快速拓展。穿戴式市场涵盖种类繁多，包括眼镜和头戴式显示器等配件、医疗装置如助听器和脉搏计等，以及可记录卡路里消耗量和运算资料的活动记录器。而这些众多装置的共同点，皆为须持续的即时记录资料。

　　一般的非挥发性记忆体技术，如EEPROM和快闪记忆体只能确保资料完整性最少可写入100万次，而富士通的FRAM技术则可将资料完整性大大提高到保证最少10兆次读/写次数，因此对于在储存即时记录资料特别理想。

　　为了更加利用FRAM的上述特性，富士通半导体如今为其MB85RS1MT产品线中的1Mb FRAM元件增添了全新WL-CSP封装。MB85RS1MT元件已采用业界标准的SOP封装，然而采用WL-CSP封装后，其体积仅3.09×2.28×0.33mm大小，而封装面积只有SOP封装的23%;换言之，即能比SOP封装的面积减少77%。此外，其厚度仅0.33 mm，相当于信用卡厚度的一半，而封装体积更比SOP封装小了95%。

　　低功耗作业是FRAM众多优点之一。相较于一般使用的EEPROM非挥发性记忆体，FRAM写入资料的速度也比较快，因此可在写入资料时大幅降低功耗。基于此原因，为了即时记录而需经常性写入资料的穿戴式装置在采用此FRAM后，可拥有更佳电池续航力和更小体积的优势。

　　采用WL-CSP封装的MB85RS1MT元件，对穿戴式装置厂商而言则是提供更小、更薄和功能更丰富的产品，并大幅延长电力。