- 铁电存贮器是一种全新的存贮器，它的核心技术是铁电晶体材料。铁电存贮器的最大特点是可以跟随总线速度无限次的写入，而且写入功耗极低。文中给出了 FRAM铁电存贮器与普通存贮器的性能比较。指出了FRAM的主要应用领域。最后列出了RAMTRON串行和并行铁电存贮器的主要型号和参数。
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铁电存储器 FRAM 无限次写入
- 汽车行驶状况的记录对分析、鉴定道路交通事故、提高交通管理执法水平和运输管理水平、保障车辆运行安全具有重要作用。
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铁电存储器 高保真 汽车 记录仪
- 铁电随机存取记忆体(Ferroelectric RAM，FRAM;或称FeRAM)由于结合了ROM与RAM的优势，具备非挥发性、高速写入、高耐受度、低功耗等方面的条件，在这几年来不断扩大市场版图，特别是在工业应用领域备受瞩目;随着物联网(IoT)崛起，FRAM也可望在各类智慧连网装置上找到更多新应用商机。
在FRAM技术领域耕耘15年的日商富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)，自1999年首度量产 FRAM 元件以来，全球出货量累计已超过25亿颗，具备多样化的产品种类选择;
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富士通 铁电存储器 FRAM
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铁电存储器 技术特点
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- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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- 0 引言 在电子技术日新月异、新型多功能电能表层出不穷的今天，电能表中存储器的选择也是多种多样，存储器的好坏直接关系到电能表的正常使用和测量精度。目前应用最多的方案仍是SRAM加后备电池、EEPROM、NVRAM这三种
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25640 FM 铁电存储器 电表
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在电子技术日新月异、新型多功能电能表层出不穷的今天，电能表中存储器的选择也是多种多样，存储器的好坏直接关系到电能表的正常使用和测量精度。目前应用最多的方案仍是SRAM加后备电池、EEPROM、NVRAM这三种。但这三种方案均存在着缺陷。其中SRAM加后备电池的方法增加了硬件设计的复杂性，同时由于加了电池又降低了系统的可靠性；而EEPROM的可擦写次数较少(约10万次)，且写操作时间较长(约10 ms)；而NVRAM的价格问题又限制了它的普及应用。因此，工程人员在设计电能表的存储模块时，
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- 介绍铁电存储器（FRAM）的一般要领和基本原理，详细分析其读写操作过程及时序
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铁电存储器介绍
铁电存储器(FRAM)产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。 首先要说明的是铁电存储器和浮动栅存储器的技术差异。现有闪存和EEPROM都是采用浮动栅技术，浮动栅存储单元包含一个电 [
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