SiC MOSFET的驱动与Si MOSFET的区别之一是驱动电压不同，传统Si MOSFET驱动只要单电源正电压即可，而SiC MOSFET需要单电源正负压驱动。SiC MOSFET要替代Si MOSFET，就要解决负压电路如何实现的问题。 目前，SiC MOSFET多为+15/-3V与+20/-5V电压驱动。要在Si MOSFET单电源正压驱动电路中中实现负压电路，可以在驱动回路中增加少量元件产生所需要的负压，如需要+15/-3V的驱动电压，则单电压需要提供+18V即可，具体有如下两种方案可以实现。 方案一： 用+14V左右的稳压管Z1加上Z2管正向导通压降，在开通时候将电压稳定在+15V左右，这样在开关管导通时电容C10上就会有3V压降；开关管关断时候，驱动芯片内部下管导通加在GS上的电压为-3V。   方案二：
用3V的稳压管Z1稳定驱动用的负压，开通的时候电容C10上稳定3V电压，则驱动正压就保持为15V，关断时候加在GS上电压就是电容C10的电压为-3V  方案一和方案二的驱动波形如下
 从上述两张驱动波形图可以看出：两个方案均能使用极少的元件实现所需要的驱动负压，但是器件第一次工作前均为0V，不能在常关状态下保持稳定负压，容易被干扰误开通。针对这一问题，可以通过增加一个电阻R1上拉，在上电后就预先给电容C10进行预充电稳压在3V，就可以实现未工作时保持负压，如图5.
综上，在单电源供电的情况下，只需要对电路进行微小的调整，即可实现SiC MOSFET替代Si MOSFET。 派恩杰已量产650V-1700V电压平台SiC MOSFET，产品由30年车规历史的SiC代工厂X-FAB生产制造，符合车规标准，在光伏、新能源汽车等应用领域均可替代Si MOSFET和IGBT。 样品申请sales@pnjsemi.com

*博客内容为网友个人发布，仅代表博主个人观点，如有侵权请联系工作人员删除。