"); //-->
近日,第三代半导体龙头厂商科锐(Cree)公布了其最新财报,截至6月27日的2021财年第四季度财报,科锐营收略高于预期,达1.458亿美元,同比增长35%,环比增长6%。展望下一季度,科锐目标收入在1.44亿美元到1.54亿美元之间。
同时,Cree首席执行官Gregg Lowe也再次确认,其位于纽约州马西镇的碳化硅(SiC)晶圆厂有望在2022年初投产,该厂于2019年开始建设,为“世界上最大”的碳化硅晶圆厂,将聚焦车规级产品,是科锐10亿美元扩大碳化硅产能计划的一部分,也是该公司有史以来最大手笔的投资。
同日,科锐宣布与意法半导体(ST)扩大现有的多年长期碳化硅(SiC)晶圆供应协议。根据新的供应协议,科锐在未来几年将向意法半导体提供150毫米碳化硅裸片和外延片。
在工业市场,碳化硅解决方案可实现更小、更轻和更具成本效益的设计,更有效地转换能源以开启新的清洁能源应用。Gregg Lowe表示,我们与设备制造商的长期晶圆供应协议现在总额超过13亿美元,有助于支持我们推动行业从硅向碳化硅转型。
市场迎来爆发期,厂商加速扩产
来源:全球半导体观察
*博客内容为网友个人发布,仅代表博主个人观点,如有侵权请联系工作人员删除。
相关推荐
SiC Mosfet门驱动光耦,具最大110ns传输延迟
意法半导体推出功能丰富的电气隔离栅极驱动器,为碳化硅或硅功率晶体管提供更好控制和保护
高速开关封装SiC MOSFET:TO-247-4L【SCT3xxx xR系列】
P02SCT3040KR-EVK-001产品规格书
功率电路进阶教程:SiC JFET 如何实现热插拔控制
ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计
聚焦固态断路器核心:安森美SiC JFET特性深度解读
SiC为电动汽车的高压逆变器功率模块
电力电子器件
英飞凌推出带光耦仿真输入的隔离式栅极驱动IC,加速SiC方案设计
功率电路进阶教程:固态断路器采用SiC JFET的四个理由
Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200V SiC MOSFET功率模块提升功率效率
【PI】InnoSwitch3-AQ-1700V碳化硅功率IC
使用SiC的新功率元器件技术
P02SCT3040KR-EVK-001使用说明书
控制、驱动、检测高密度SiC/GaN功率转换
SiC功率模块关键在价格,核心在技术
Cree SiC功率器件选型指南.pdf
ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售!
基于分离输出拓扑结构的高效率SiC-MOSFET功率模块
什么是SiC?
SiC MOSFET半桥模块用于开关电源,系统效率能达到99%
SiC-MOSFET的应用实例
Sic 碳化硅肖特基二极管开关电源中的应用优势!
化合物半导体衬底市场年复合增长率达 14%
微电子所在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展
电力电子器件的最新发展
SiC-MOSFET-功率晶体管的结构与特征比较
从栅极驱动器到功率MOSFET,经过验证的SiC转换器解决方案
为800V应用选择合适的半导体技术