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在半导体行业,EUV一般指EUV光刻,即极紫外光刻。 极紫外光刻(英语:Extreme ultra-violet,也称EUV或EUVL)是一种使用极紫外(EUV)波长的光刻技术。 EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源,可使曝光波长一下子降到13。5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。

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