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HKMG(high-k绝缘层+金属栅极) HKMG的优势和缺点 优势：不管使用Gate-first和Gate-last哪一种工艺，制造出的high-k绝缘层对提升晶体管的性能均有重大的意义。high-k技术不仅能够大幅减小栅极的漏电量，而且由于high-k绝缘层的等效氧化物厚度(EOT:equivalentoxidethickness)较薄，因此还能有效降低栅极电容。这样晶体管的关键尺寸便能得到进一步的缩小，而管子的驱动能力也能得到有效的改善。 缺点：不过采用high-k绝缘层的晶体管与采用硅氧化物绝缘层的晶体管相比，在改善沟道载流子迁移率方面稍有不利。

  • HKMG资讯

SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺

SK海力士 移动端 2022-11-11

中芯国际28nm HKMG工艺成功流片

中芯国际 HKMG 2016-02-17

评Xilinx的28nm从三重氧化物到HIGH-K

赛灵思 FPGA 2011-12-15

Gate-first HKMG工艺不行了？IBM技术联盟成员辟谣忙

IBM HKMG 2010-10-03

先栅极还是后栅极 业界争论高K技术

Intel 45nm 2010-07-21

半导体制造：又逢更新换代时

半导体制造 28nm 2010-06-18

整装待发：GlobalFoundries德累斯顿Fab1工厂探秘

GlobalFoundries HKMG 2010-03-23

半导体业界的HKMG攻防战：详解两大工艺流派之争

半导体 HKMG 2010-03-22

台积电老将再出山 蒋尚义领命战研发

台积电 40纳米 2009-09-30

台积电将低功耗高k金属栅工艺纳入28纳米技术蓝图

台积电 28纳米 2009-08-26

晶圆代工22纳米竞赛鸣枪　Global Foundries略胜台积电一筹

GlobalFoundries 晶圆代工 2009-06-24

GLOBALFOUNDRIES介绍22纳米及更小尺寸技术

GLOBALFOUNDRIES HKMG 2009-06-18

ARM推32nm工艺处理器

ARM 32nm 2009-02-20

台积电规划32纳米制程提供HKMG技术

台积电 40纳米 2008-09-04
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