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HKMG(high-k绝缘层+金属栅极) HKMG的优势和缺点 优势：不管使用Gate-first和Gate-last哪一种工艺，制造出的high-k绝缘层对提升晶体管的性能均有重大的意义。high-k技术不仅能够大幅减小栅极的漏电量，而且由于high-k绝缘层的等效氧化物厚度(EOT:equivalentoxidethickness)较薄，因此还能有效降低栅极电容。这样晶体管的关键尺寸便能得到进一步的缩小，而管子的驱动能力也能得到有效的改善。 缺点：不过采用high-k绝缘层的晶体管与采用硅氧化物绝缘层的晶体管相比，在改善沟道载流子迁移率方面稍有不利。查看更多>>

  • HKMG资讯

SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺

SK海力士 移动端 2022-11-11

中芯国际28nm HKMG工艺成功流片

中芯国际 HKMG 2016-02-17

评Xilinx的28nm从三重氧化物到HIGH-K

赛灵思 FPGA 2011-12-15

Gate-first HKMG工艺不行了？IBM技术联盟成员辟谣忙

IBM HKMG 2010-10-03

先栅极还是后栅极 业界争论高K技术

Intel 45nm 2010-07-21

半导体制造：又逢更新换代时

半导体制造 28nm 2010-06-18
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