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IGBT的电流是如何定义的

IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。流言一：450A...

英飞凌 IGBT 2026-01-27

IGBT模块工作环境温湿度条件解析

在散热器上安装的IGBT 模块并非密封设计，尽管芯片上方有一层硅胶，但是水汽仍然可以通过外壳间隙以及硅胶进入器件芯片内部。因此，器件在使用和存储过程中，必须避免湿气或者腐蚀性气体。目前大多数IGBT 模块允许工作的温湿度...

英飞凌 IGBT 2025-11-14

用于 gen-7 IGBT模块的硅凝胶

陶氏公司的目标是使用其最新的硅凝胶来开发 IGBT 模块，以支持 800V 车辆和可再生能源高达 180°C 的运行温度。“在光伏电池板和风力涡轮机中，逆变器的功率密度正在增加，”该公司表示。“由于第 7 代 IGBT ...

gen-7 IGBT 2025-09-05

双芯智控革命：IGBT与单片机如何重塑智能微波炉

当传统微波炉还在依赖笨重的工频变压器时，TRinno的IGBT单管与现代ABOV单片机的协同创新，正推动厨房电器进入精准控能时代。这套双核驱动方案通过半导体技术替代机械结构，不仅让微波炉体积缩小40%，更实现了从毫秒级功...

IGBT 单片机 2025-08-19

瑞萨电子通过下一代功率FET将GaN推向千瓦级

几十年来，硅一直是电力电子领域无可争议的领导者。但随着硅达到其性能极限，氮化镓（GaN）功率器件正在取得进展。凭借更快的开关速度和更高的效率，氮化镓已经在消费类快速充电器中发挥了重大作用，与硅相比，实现了系统级成本、...

瑞萨电子功率 2025-08-06

从IGBT到GaN：10kW串式逆变器设计的关键要点与性能优势解析

随着全球对能源可持续性与安全性的关注升温，住宅太阳能储能系统需求持续攀升。当前市场上，2kW级微型逆变器已实现集成储能功能，而更高功率场景则需依赖串式逆变器或混合串式逆变器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW单相...

TI IGBT 2025-07-29

固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

固态继电器（SSR）是各种控制和电源开关应用中的关键组件，涵盖白色家电、供暖、通风和空调（HVAC）设备、工业过程控制、航空航天和医疗系统。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基...

固态隔离器 MOSFET 2025-07-22

基于TI GaN FET的10kW单相串式逆变器的设计注意事项

鉴于对能源可持续性和能源安全的担忧，当前对储能系统的需求不断加速增长，尤其是在住宅太阳能装置领域。市面上有一些功率高达 2kW 且带有集成式储能系统的微型逆变器。当系统需要更高功率时，也可以选用连接了储能系统的串式逆变器...

德州仪器 GaN FET 2025-07-12

瑞萨电子推出用于AI数据中心、工业及电源系统的全新GaN FET

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和...

瑞萨电子 AI数据中心 2025-07-08

瑞萨推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型...

瑞萨 GaN FET 2025-07-02

GaN FET支持更高电压的卫星电源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，这是一款 300 V 抗辐射 GaN FET。该解决方案提供高功率电流额定值，为卫星电源和推进应用树立了新的基准。EPC7030MSH随着卫星制造商过渡到更高电压的电源总...

GaN FET 卫星电源 2025-07-01

英飞凌推出用于电动汽车的新一代高功率节能型IGBT和RC-IGBT芯片

随着纯电动汽车（BEV）和插电式混合动力电动汽车（PHEV）销量的快速增长，电动汽车市场的发展在不断加速。预计到 2030 年，电动汽车的生产比例将实现两位数增长，从2024年的20%增长至45%左右[1]。为满足对高压...

英飞凌 IGBT 2025-06-21

探索TI GaN FET在类人机器人中的应用

类人机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。类人机器人内空间受限最大...

TI GaN 2025-06-15

R课堂 | IGBT IPM的热关断保护功能（TSD）

关键要点BM6337xS系列配备了可监控LVIC（Low Side Gate Driver）温度的热关断电路，当LVIC的 T j 达到规定温度以上时，热关断电路将启动，会关断下...

罗姆半导体 IGBT 2025-06-11

英飞凌ICE3PCS01G搭配IGBT高效率2.5KW空调电源方案

这是一个用于测试 2.5 kW 功率因数校正 (PFC) 电路的平台。它旨在评估使用 4 脚封装的优势。例如提高效率和信号质量，并展示了包括 PFC 控制器、MOSFET 驱动器和碳化硅二极管在内的完整 In...

英飞凌 ICE3PCS01G 2025-05-16

能效升级新引擎！拆解IGBT的三大技术优势

在消费电子市场高速发展的当下，IGBT（绝缘栅双极晶体管）已成为现代家电设备中不可或缺的核心器件。凭借其优异的开关特性、低导通损耗及出色的热管理能力，IGBT技术正持续推动家电产品能效升级。安世半导体推出的650 V G...

安世半导体 IGBT 2025-05-08

GaN FET在人形机器人中的应用

引言人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。人形机器人内空间受限...

GaN FET 人形机器人 2025-04-29

详解IGBT工作原理

大家好，我是蜗牛兄，今天给大家分享的是：IGBT（绝缘栅双极型晶体管)在实际应用中最流行和最常见的电子元器件是双极结型晶体管 BJT 和 MOS管。IGBT实物图+电路符号图你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS ...

IGBT 功率半导体 2025-04-22

IGBT 7 EconoDUAL™ 3系列拓展带焊接针产品

英飞凌在此发布TRENCHSTOP™ IGBT7 EconoDUAL™ 3系列产品拓展，带焊接针和带预涂导热材料版本(TIM)。产品型号：■ FF900R12ME7■ FF600R12ME7■&nbs...

英飞凌 IGBT 2025-04-11

R课堂 | IGBT IPM的错误输出功能（FO）

关键要点・FO引脚为错误输出功能引脚，用于向外部通知内置保护功能的启动情况，并会为自我保护而关断下桥臂各相的IGBT。・FO输出功能的信号输出时间因已启动的保护功能类型而异，因此可以判别已启动了哪种保护功能。这是本机型产...

罗姆半导体 IGBT 2025-03-28

SiC 市场的下一个爆点：共源共栅（cascode）结构详解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅（cascode）结构、关键参数、独特功能和设计支持。...

cascode FET 2025-03-26

Nexperia扩展GaN FET产品组合，现可支持更多低压和高压应用中的功率需求

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业...

Nexperia GaN FET 2025-03-19

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

IGBT是一种功率开关晶体管，结合了MOSFET和BJT的优点，用于电源和电机控制电路。绝缘栅双极型晶体管（简称IGBT）是传统双极结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（MOSFET）的交叉产物，使其成为理想的半导体开关器...

绝缘栅双极型晶体管 IGBT 2025-03-04

英飞凌IGBT7系列芯片大解析

上回书(英飞凌芯片简史 https://www.eepw.com.cn/article/202502/467026.htm)说到，IGBT自面世以来，历经数代技术更迭，标志性的技术包括平面栅+NPT结构的IGBT2，沟槽...

IGBT 电力电子 2025-02-18

英飞凌芯片简史

话说公元2018年，IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人，一时风头无两，各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些年，独领风骚的数代当家掌门人，分别是：呃，好像分不清这都谁是谁?呃，虽然这些...

IGBT 芯片 2025-02-18

电子技术如何助力高铁节能？

铁路与其他客运工具相比，能源效率高，据说其每单位运输量的CO₂排放量约为一般载客车辆的1/7。特别是在长距离运输中，其差距更大，高速铁路网对运输基础设施的节能有很大的推动作用。一直以来，高速铁路网在发达国家运输基础设施中...

碳中和逆变器 2025-01-10

被神秘的FS7“附体”，解读两大最新功率模块系列的“超能力”

安森美（onsemi）在2024年先后推出两款超强功率半导体模块新贵，IGBT模块系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技术，主要性能拉满，形成业内独特的领先优势。解密FS...

功率半导体 onsemi 2024-12-20

缓冲反激式转换器

本期，我们将聚焦于缓冲反激式转换器，探讨如何在反激式转换器中缓冲 FET 关断电压为大家提供全新的解决思路！上一期，我们介绍了如何在正向转换器导通时缓冲输出整流器的电压。现在，我们看一下如何在反激式转换器中缓冲 FET ...

FET 反激式转换器 2024-12-10

意法半导体先进的电隔离栅极驱动器STGAP3S为IGBT和SiC MOSFET提供灵活的保护功能

意法半导体的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用...

意法半导体电隔离栅极驱动器 2024-11-14

Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合，专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计

为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求，功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封装、支持多种...

Microchip IGBT 7 2024-11-13

采用IGBT5.XT技术的PrimePACK™为风能变流器提供卓越的解决方案

本文由英飞凌科技的现场应用工程师Marcel Morisse与高级技术市场经理Michael Busshardt共同撰写。鉴于迫切的环境需求，我们必须确保清洁能源基础设施的启用，以减少碳排放对环境的负面影响。在这一至关重...

英飞凌 IGBT 2024-10-29

用Python自动化双脉冲测试

电力电子设备中使用的半导体材料正从硅过渡到宽禁带（WBG）半导体，比如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等半导体在更高功率水平下具有卓越的性能，被广泛应用于汽车和工业领域中。由于工作电压高，SiC技术正被应用于电动汽车动...

202411 宽禁带 2024-10-18

功率模块选得好，逆变器高效又可靠

全球正加速向电气化转型，尤其是在交通和基础设施领域。无论是乘用车还是商用/农业车辆(CAV)，都在转向电动驱动。国际能源署(IEA)2022 年的数据显示，太阳能发电量首次超过风电，达到1300TWh。转换能量需要用到逆...

QDual3 电源转换 2024-09-25

更高额定电流的第8代LV100 IGBT模块

摘要本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块，该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管。与传统功率模块相比，该模块采用了分段式栅极沟槽（SDA）结构，并通过可以控制载流子的等离子体层（...

三菱电机 IGBT 2024-09-25

IGBT 还是 SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱

引言近几年新能源车发展迅猛，技术创新突飞猛进。如何设计更高效的牵引逆变器使整车获得更长的续航里程一直是研发技术人员探讨的最重要话题之一。高效的牵引逆变器需要在功率、效率和材料利用率之间取得适当的平衡。当前新能源汽车牵引逆...

英飞凌 IGBT 2024-09-11

高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析，一文get√

高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路（HVIC）是专为半桥开关应用设计的高边和低边栅...

MOSFET IGBT 2024-09-09

什么是IGBT的退饱和（desaturation）？什么情况下IGBT会进入退饱和状态？

如下图，是IGBT产品典型的输出特性曲线，横轴是C，E两端电压，纵轴是归一化的集电极电流。可以看到IGBT工作状态分为三个部分：1、关断区：CE间电压小于一个门槛电压，即背面PN结的开启电压，IGBT背面PN结截止，无电...

IGBT 2024-09-03

碳化硅模块在太阳能逆变器中的应用

碳化硅场效应晶体管(SiC FET)接近于理想的开关，具有低损耗、宽带隙技术和易于集成设计等优势。Qorvo的SiC FET技术如今以高效模块化产品的形式呈现;本文探讨了这种产品形态如何使SiC FET成为太阳能逆变器应...

202407 太阳能 2024-07-15

一文搞懂IGBT的损耗与结温计算，图文结合+计算公式步骤

今天给大家分享的是：IGBT的损耗与结温计算。与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个...

IGBT 损耗 2024-07-11

安森美第7代IGBT模块协助再生能源简化设计并降低成本

安森美(onsemi) 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。这800 安培 (A) QDual3 模...

安森美 IGBT 2024-06-13