WBG技术社区-电子产品世界网

2025年全球宽禁带（WBG）半导体市场规模预计为24.4亿美元，预计到2034年将达到84.2亿美元左右，2025年至2034年复合年增长率为14.74%。到 2024 年，北美市场规模将超过 9.8 亿美元，并在预测...

宽禁带半导体 WBG 2025-07-29

双脉冲测试将在电力电子的未来中发挥关键作用。电源设计人员和系统工程师依靠它来评估 MOSFET 和 IGBT 等功率半导体在动态条件下的开关特性。通过评估开关期间的功率损耗和其他指标，这些测试使工程师能够优化最新电源转换...

动态测试 WBG 2025-04-03

从MOSFET 、二极管到功率模块，功率半导体产品是我们生活中无数电子设备的核心。从医疗设备和可再生能源基础设施，到个人电子产品和电动汽车(EV)，它们的性能和可靠性确保了各种设备的持续运行。第三代宽禁带（WBG）解决方...

WBG SiC 2024-12-10

对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任...

SiC MOSFET 2023-10-18

减少能源转换损耗和提高能效是人们的不懈追求，新的宽带隙 (WBG) 半导体是一个切实可靠的节能降耗解决方案，可以通过系统方式减少碳足迹来减轻技术对环境的影响。例如，我们最新的 650 V、 750 V 和 1,200 ...

202207 宽带隙 2022-07-22

受访人：Filippo Di Giovanni（意法半导体汽车和分立器件产品部(ADG)）1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在S...

意法半导体宽带隙 2022-07-18

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