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SiC JFET

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  • SiC JFET资讯

Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200V SiC MOSFET功率模块提升功率效率

Vishay SOT-227 2026-03-17

为800V应用选择合适的半导体技术

800V 半导体技术 2026-03-06

ROHM发布搭载新型SiC模块的三相逆变器参考设计

ROHM SiC 2026-03-06

ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售！

ROHM SiC塑封型模块 2026-02-26

化合物半导体衬底市场年复合增长率达 14%

化合物半导体 衬底 2026-02-25

英飞凌推出带光耦仿真输入的隔离式栅极驱动IC，加速SiC方案设计

英飞凌 IC 2026-02-10
  • SiC JFET专栏

是德示波器如何精准测量第三代半导体SiC的动态特性

是德示波器 精准测量 2025-04-21

自有SiC Mos已批量应用于主驱，产能达9000片/月

SiC Mos 2024-08-21

盘点国内SiC碳化硅衬底公司

SiC 2023-10-28

英飞凌确认：两家中国SiC供应商获车规认证并大规模出货

SiC 2023-09-08

【资讯】全球SiC晶圆竞争，进入白热化

SiC 2023-08-09

ROHM 1200V IGBT成功导入SEMIKRON-Danfoss功率模块

ROHM SEMIKRON 2023-05-09
查看更多>> SiC JFET电路方案

1200V 450A全SiC半桥功率模块问世

电源设计说明：线性方案中的 SiC MOSFET

电源设计说明：面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驱动器的重要性

FET场效应管的原理和特点

四种模拟输入信号的保护电路实现方法

使用LF353构建的函数发生器电路

SiC JFET论坛
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