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英飞凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 ...

英飞凌 oolMOS 8 2024-06-27

基于国内外大客户对高端功率半导体器件的旺盛需求，特别是超级结产品(SJ)和绝缘栅双极型器件(IGBT)的应用，华虹集团旗下华虹二厂在2020年1月的投入再创新高，光刻层数达到了48万！生产线在年度动力检修后已满负荷运行，...

半导体 IGBT 2020-02-10

一、移植环境主机：VMWare--Fedora9开发板：Mini2440--64MBNand,Kernel:2.6.30.4编译器：arm-linux-gcc-4.3.2.tgzu-boot：u-boot-200......

Linuxu-boot-244 2016-11-20

引言：为了打破传统的VDMOS工艺MOS导通电阻与反向击穿电压之间制约，半导体物理学界提出的一种新型MOS结构，称为......

SJ-MOS VDMOS 2012-12-11

本文分析了SJ-LDMOST中衬底辅助耗尽效应的产生机理。文中将业界消除衬底辅助耗尽效应的主要方法分成两类，并提出消除衬底辅助耗尽效应的途径...

SJ-LDMOST 功率集成电路 2011-12-26

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