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SI-NPN资讯

LBC817-40LT1G 在电子设计中的未来趋势与应用

引言在电子设计技术快速发展的领域中，LBC817-40LT1G 作为一款通用型 NPN 晶体管，正凭借其广泛适用性获得越来越高的关注度。随着对高效、紧凑型元器件需求的不断增长，深入理解这类器件的参数与应用场景变得至关重要...

LBC817-40LT1G NPN 2026-04-09

Vishay推出额定电压550 V和600 V的193 PUR-SI系列牛角式功率铝电解电容器

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，公司193 PUR-SI系列微型牛角式功率铝电解电容器阵容新增额定电压为550 V和600 V的型号。该产品系列在...

Vishay 额定电压 2026-03-16

硅基氮化镓（GaN-on-Si）HEMT 在 5G 毫米波频段的优势

法国 SOITEC 公司与新加坡南洋理工大学的研究人员报道，适度微缩的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作时，功率附加效率（PAE）突破 60%。该器件同时实现了低至 1.1d...

硅基氮化镓 GaN-on-Si 2026-03-04

Si-Five加入NVLink

SiFive将集成Nvidia NVLink Fusion，纳入其数据中心级设计，拓展基于RISC-V构建AI系统的选项。通过将宽且错序的核心与可扩展的连贯结构和先进的内存层级结合，SiFive 使云服务提供商和系统供应...

Si-Five NVLink 2026-01-19

复旦大学在Si CMOS+GaN单片异质集成的探索

异质异构Chiplet正成为后摩尔时代AI海量数据处理的重要技术路线之一，正引起整个半导体行业的广泛关注，但这种方法要真正实现商业化，仍有赖于通用标准协议、3D建模技术和方法等。然而，以拓展摩尔定律为标注的模拟类比芯片技...

复旦大学 Si CMOS 2025-02-18

ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3...

ROHM AC适配器 2023-07-19

SI-NPN专栏

中国的碳化硅，密谋逆袭！

中国在晶圆生产和器件制造方面要赶上西方碳化硅供应商还有多久？来源：SICC在蓬勃发展的电动汽车需求和半导体自给自足的长期目标的推动下，中国致力于发展基于碳化硅 (SiC) 的电力电子产品。中国超越西方碳化硅供应商的计划是...

SI 2022-12-11

SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别

来源：techclass.rohm功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势...

Si-MOSFET 2022-07-17

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SI-NPN资料

SI-NPN论坛

03-04 PNP与NPN两种三极管使用方法

睡梦中的雄师|浏览：1258|回复：3| linghz 2024-03-10 01:01:14

10-25 PNP与NPN两种三极管使用方法

睡梦中的雄师|浏览：973|回复：1| xqh518 2023-10-25 10:46:11

07-03 讲明白NPN型三极管的工作原理

睡梦中的雄师|浏览：908|回复：1| xqh518 2023-07-20 16:11:48

10-12 三极管NPN和PNP如何区分？

大华K|浏览：2347|回复：13| wzj9944 2022-10-16 08:12:31

03-20 Si二极管用的散热性能出色的小型封装“PMDE”评估ー总结ー

水方|浏览：1590|回复：6| ming4129 2022-03-20 21:27:37

12-16 所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别

kutta|浏览：1338|回复：2| 水方 2021-12-16 19:50:21

12-14 所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较

拜月|浏览：1247|回复：1| 卢风 2021-12-14 23:39:53

12-14 所谓SiC-SBD－与Si-PND的反向恢复特性比较

拜月|浏览：1341|回复：2| 卢风 2021-12-14 23:39:48

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