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PUR-SI资讯

Vishay推出额定电压550 V和600 V的193 PUR-SI系列牛角式功率铝电解电容器

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，公司193 PUR-SI系列微型牛角式功率铝电解电容器阵容新增额定电压为550 V和600 V的型号。该产品系列在...

Vishay 额定电压 2026-03-16

硅基氮化镓（GaN-on-Si）HEMT 在 5G 毫米波频段的优势

法国 SOITEC 公司与新加坡南洋理工大学的研究人员报道，适度微缩的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作时，功率附加效率（PAE）突破 60%。该器件同时实现了低至 1.1d...

硅基氮化镓 GaN-on-Si 2026-03-04

Si-Five加入NVLink

SiFive将集成Nvidia NVLink Fusion，纳入其数据中心级设计，拓展基于RISC-V构建AI系统的选项。通过将宽且错序的核心与可扩展的连贯结构和先进的内存层级结合，SiFive 使云服务提供商和系统供应...

Si-Five NVLink 2026-01-19

复旦大学在Si CMOS+GaN单片异质集成的探索

异质异构Chiplet正成为后摩尔时代AI海量数据处理的重要技术路线之一，正引起整个半导体行业的广泛关注，但这种方法要真正实现商业化，仍有赖于通用标准协议、3D建模技术和方法等。然而，以拓展摩尔定律为标注的模拟类比芯片技...

复旦大学 Si CMOS 2025-02-18

巴斯夫推出全新抗氧化剂解决方案Irgastab PUR 71

■ 配方中不含芳香胺，有助于改善环境、保障人体健康和生命安全■ 作为优质的抗烧焦解决方案，具备卓越的性能并可降低排放水平■ 可持续性的解决方案，能够为多元醇和聚氨酯泡沫生产商带来竞争优势巴斯夫推出的这款优质...

巴斯夫抗氧化剂 2023-12-12

ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3...

ROHM AC适配器 2023-07-19

PUR-SI专栏

中国的碳化硅，密谋逆袭！

中国在晶圆生产和器件制造方面要赶上西方碳化硅供应商还有多久？来源：SICC在蓬勃发展的电动汽车需求和半导体自给自足的长期目标的推动下，中国致力于发展基于碳化硅 (SiC) 的电力电子产品。中国超越西方碳化硅供应商的计划是...

SI 2022-12-11

SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别

来源：techclass.rohm功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势...

Si-MOSFET 2022-07-17

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PUR-SI资料

PUR-SI论坛

03-20 Si二极管用的散热性能出色的小型封装“PMDE”评估ー总结ー

水方|浏览：1461|回复：6| ming4129 2022-03-20 21:27:37

12-16 所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别

kutta|浏览：1207|回复：2| 水方 2021-12-16 19:50:21

12-14 所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较

拜月|浏览：1122|回复：1| 卢风 2021-12-14 23:39:53

12-14 所谓SiC-SBD－与Si-PND的反向恢复特性比较

拜月|浏览：1203|回复：2| 卢风 2021-12-14 23:39:48

09-10 不加端接电阻的快乐，你们绝对想象不到！

一博科技|浏览：1764|回复：3| basketj 2020-09-14 11:36:29

04-10 分享如何利用 SI 進行走線等長的Constraint設定资料

angelazhang|浏览：2376|回复：2| 完美胜丰 2017-05-05 23:48:11

06-12 PCB SI介绍

dolphin|浏览：1383|回复：0| dolphin 2014-06-12 10:31:46

05-27 RF优势芯片大全

lyf20140402|浏览：5933|回复：7| lyf20140402 2015-05-25 10:52:17

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