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　GaN 　　即氮化镓，属第三代半导体材料。。查看更多>>

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GaN 资讯

PI TOPSwitchGaN将回激转换器的功率范围提升至440W

Power Integrations研发的反激拓扑架构取得技术突破，将反激变换器的功率适用范围拓展至440 瓦，可有效降低系统成本、设计复杂度与开发周期，性能超越结构更复杂的传统谐振及 LLC 拓扑方案。TOPSwitc...

PI TOPSwitch 2026-05-15

中国GaN半导体巨头专利侵权案ITC作出终裁

美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。不过，ITC委员会的最...

GaN 氮化镓 2026-05-08

800V AI算力时代，GaN从“备选”变“刚需”？

AI算力正以每3.4个月翻一番的速度狂飙，全球数据中心用电量持续攀升，预计到2030年将占全球耗电量的7%，电力已成为制约AI产业发展的核心瓶颈。单机柜功率从传统的5-8kW跃升至数百kW，GPU功耗不断突破上限，供电链...

800V GaN 2026-04-23

Vishay推出适用于GaN和SiC开关应用EMI滤波的新型航天级共模扼流圈

美国宾夕法尼亚 MALVERN、中国上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型航天级表面贴装共模扼流圈-...

Vishay GaN 2026-04-16

英特尔推出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒

4 月 9 日，英特尔代工服务（Intel Foundry Services）宣布重大技术突破，成功研发出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒。其硅衬底厚度仅19 微米，约为人类头发丝直径的 1/5。该芯粒基于300 毫米（12...

英特尔氮化镓 2026-04-14

意法半导体推出氮化镓高速半桥栅极驱动器

意法半导体（ST）发布两款全新高速半桥栅极驱动器，可将氮化镓（GaN）的高效性、热性能与小型化优势，广泛应用于各类电源及运动控制领域。STDRIVEG212 与 STDRIVEG612 可向增强型氮化镓高电子迁移率晶体管...

STDRIVEG212 STDRIVEG612 2026-04-07

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08-02 GaN是否可靠？

睡梦中的雄师|浏览：1486|回复：5| suncat0504 2022-08-20 18:39:54

07-09 救世主GaN来了！第1部分：体二极管反向恢复。

TI宣传员|浏览：1278|回复：0| TI宣传员 2022-07-09 11:20:31

07-09 救世主GaN来啦！第二部分：测量

TI宣传员|浏览：1650|回复：3| zhangjsh 2022-07-09 14:42:36

04-12 【转】6吋氮化镓单晶面世！关键技术揭秘

浮沉1988|浏览：2224|回复：5| 船长demons 2022-04-12 23:18:38

02-04 具有集成式驱动器和自我保护功能的GaNFET如何实现下一代工业电源设计

TI宣传员|浏览：3832|回复：26| Fretwell 2022-02-06 15:06:01

09-21 三分钟带你了解GaN在射频功率领域的巨大作用

水方|浏览：3488|回复：3| kutta 2019-09-21 19:29:45

10-15 用于脉冲雷达的GaN MMIC功率放大器的电源管理

谢丫丫|浏览：3530|回复：0| 谢丫丫 2018-10-15 14:39:42

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