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z-trak 3d apps studio 文章 进入z-trak 3d apps studio技术社区

3D NAND，1000层竞争加速！

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字： 3D NAND  集邦咨询  

意法半导体通过全新的一体化MEMS Studio桌面软件解决方案提升提升传感器应用开发者的创造力

  • 意法半导体的MEMS Studio是一款新的多合一的MEMS传感器功能评估开发工具，与STM32微控制器生态系统的关系密切，支持Windows、MacOS和 Linux操作系统。从评估到配置和编程，通过整合统一传感器开发流程，MEMS Studio 可以加快传感器应用软件开发，简化在开发项目中增加丰富的情境感知功能。增强的功能有助于应用轻松获取传感器数据，并清晰地显示可视化的传感器数据，方便开发者探索传感器工作模式，优化传感器性能和测量准确度。软件包中还有预构建库测试工具，以及方便的鼠
  • 关键字： 意法半导体  MEMS Studio  MEMS  

千亿美元蛋糕！3D DRAM分食之战悄然开局

  • 从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？如何理解3D DRAM？DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
  • 关键字： 3D DRAM  存储  

为什么仍然没有商用3D-IC？

  • 摩尔不仅有了一个良好的开端，但接下来的步骤要困难得多。
  • 关键字： 3D-IC  HBM  封装  

现代摩比斯选用风河Wind River Studio加速软件定义汽车开发

  • 全球领先的关键任务智能系统软件提供商风河公司今日宣布，世界汽车技术创新者及最大供应商之一现代摩比斯（Hyundai Mobis）已经选择风河公司的Wind River Studio用来加速其软件定义汽车的开发。 现代摩比斯和风河长期合作，面向未来交通运输行业建构一流的软件开发基础设施。两家公司一直在密切配合，推进汽车系统的开发和交付。现代摩比斯采用了风河边缘计算产品，包括风河Linux、VxWorks®实时操作系统以及同时适用于模拟环境和真实硬件环境的系统模拟仿真平台，既可用于进行开发和快速原型
  • 关键字： 现代摩比斯  风河  Wind River Studio  软件定义汽车  

全面升级驾驶舱交互体验，升级后的CGI Studio引领汽车HMI设计新潮流

  • 如今，汽车已经不再是一个简单的交通工具，而是一种智能化的移动终端。通过集成各种先进的传感器、控制器和执行器，汽车可以实现对环境的感知、分析和决策，实现自动驾驶、智能导航、车辆间通信、互联网连接等功能。这些功能不仅提高了驾驶的便捷性和安全性，也使得汽车成为了一种全新的出行体验和生活方式。交互界面（HMI）是现代智能汽车的重要组成部分，它不仅关乎驾驶者的驾驶体验、安全性，同时也关乎乘客的舒适度和便利性。作为车内信息交流的桥梁，HMI承载着人类与车辆互动的重要任务。一款友好的HMI可以帮助用户简单、直观、迅速地
  • 关键字： 驾驶舱交互体验  CGI Studio  汽车HMI设计  

300层之后，3D NAND的技术路线图

  • 开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
  • 关键字： 3D NAND  

TDK发布适用于汽车和工业应用场景的全新ASIL C级杂散场稳健型3D HAL传感器

  • ●   HAL 3930-4100（单芯片）和 HAR 3930-4100（双芯片）是两款精确的霍尔效应位置传感器，具备稳健的杂散场补偿能力，并配备 PWM 或 SENT 输出接口●   单芯片传感器已定义为 ASIL C 级，可以集成到汽车安全相关系统中，最高可达 ASIL D 级●   目标汽车应用场景包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、底盘位置检测、油门和制动踏板位置检测**TDK株式会社利用适用于汽车和工业应用场景的新型
  • 关键字： TDK  ASIL C  3D HAL传感器  

半导体创新如何塑造边缘AI的未来

  • 早上 6:42，闹钟响了。您看上去气色不错，这多亏了床头柜上的睡眠周期监测器，这款监测器采用内置边缘人工智能 (AI) 和雷达技术，通过监测您的心率和呼吸，可帮助您优化计算出精确的唤醒时间。在您走向厨房时，智能冰箱使用摄像头系统扫描其中储存的食物，然后根据您的饮食限制数据和偏好提供建议，帮助您决定午餐吃什么。在去上班时，您无需触摸任何事物即可进入和启动汽车。室外摄像头在识别出您之后自动解锁汽车，汽车会根据您的偏好预设车内温度、调整座椅和音乐音量。这样的未来并非遥不可及，相关赋能技术已然出现。边缘 AI、低
  • 关键字： 边缘AI  德州仪器   Edge AI Studio   

TDK推出采用3D HAL技术并具备模拟输出和SENT接口的位置传感器

  • ●   全新霍尔效应传感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模拟输出和数字 SENT 协议。●   卓越的角度测量以及符合 ISO 26262 标准的开发水平，以小型 SOIC8 SMD 封装为高安全要求的汽车和工业应用场景提供支持。TDK 株式会社近日宣布，其 Micronas 直接角霍尔效应传感器系列产品增添了新成员，现推出面向汽车和工业应用场景的全新 HAL® 3927* 传感器。HAL 3927 采用集成断线检测的
  • 关键字： TDK  3D HAL  位置传感器  

3D ToF相机于物流仓储自动化的应用优势

  • 3D ToF智能相机能藉助飞时测距（Time of Flight；ToF）技术，在物流仓储现场精准判断货物的摆放位置、方位、距离、角度等资料，确保人员、货物与无人搬运车移动顺畅，加速物流仓储行业自动化。2020年全球疫情爆发，隔离政策改变人们的消费模式与型态，导致电商与物流仓储业出现爆炸性成长；于此同时，人员移动的管制，也间接造成人力不足产生缺工问题，加速物流仓储行业自动化的进程，进而大量导入无人搬运车AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
  • 关键字： 3D ToF  相机  物流仓储  自动化  台达  

风河提供Wind River Studio支持NTT DOCOMO开展5G vRAN基站商业化部署

  • 全球领先的关键任务智能系统软件提供商风河公司近日宣布，Wind River Studio被NTT DOCOMO应用于5G虚拟化网络，于本月在日本启动商业化部署。为推出NTT DOCOMO的首个vRAN商用化服务，Wind River Studio Cloud Platform与富士通虚拟化中央单元（vCU）和虚拟化分布式单元（vDU）相集成，并采用了最新的NVIDIA融合加速器。Wind River Studio提供了一套完全基于云原生、Kubernetes和开源软件容器的体系结构，用于大规模分布式边缘网
  • 关键字： 风河  Wind River Studio  NTT DOCOMO  5G vRAN基站  

延续摩尔定律：先进封装进入3D堆叠CPU/GPU时代

3D NAND还是卷到了300层

  • 近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。同样在 8 月，SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知，固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还
  • 关键字： V-NAND  闪存  3D NAND  

3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构

  • 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩，随着技术在节点间迭代，芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐，向三维发展，以提高单位面积的存储单元数量。（NAND指“NOT AND”，意为进行与非逻辑运算的电路单元。）l  这一趋势有利于整个行业的发展，因为它能推动存储器技术的突破，而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l  DRAM技
  • 关键字： 3D DRAM  泛林  
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