z-trak 3d apps studio 文章
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5 月 5 日消息, 铠侠和西数展示最新的技术储备,双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文,铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,读取延迟缩小到 40 微秒。此外,铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件,这是一个具有实验性的 3D NAND IC,通过金属诱导侧向
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3D NAND
是第一家在Click boards™开发版上将mikroSDK Click驱动程序集成到自己的软件开发环境中的IC供应商 2023年5月4日: MikroElektronika (MIKROE) ,作为一家通过提供基于成熟标准的创新式硬软件产品来大幅缩短开发时间的嵌入式解决方案公司,今天宣布为更互联的世界提供安全、智能无线技术的领导者Silicon Labs (NASDAQ: SLAB) 成为第一家支持mikroSDK 2.0 Click Board的IC供应商。 这是通过在MIKROE的Ge
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Silicon Labs Simplicity Studio
2023年4月26日,中国 – 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)发布了新的扩展工具,把微软的集成开发环境 Microsoft® Visual Studio Code (VS Code) 的优势引入 STM32 微控制器。VS Code 是一个人气颇高的集成开发环境(IDE),以好用和灵活性而享誉业界,例如,IntelliSense可简化并加快代码编辑。现在开发者能够从 VS Code进入STM32生态系统
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意法半导体 STM32 Microsoft Visual Studio Code
· 这是一个业界用于打造差异化定制芯片的领先平台,可借助生成式 AI 技术显著提升设计生产力;· Virtuoso Studio 与 Cadence 最前沿的技术和最新的底层架构集成,助力设计工程师在半导体和 3D-IC 设计方面取得新突破;· 依托 30 年来在全线工艺技术方面取得的行业领先
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Cadence Virtuoso Studio
近日,外媒《BusinessKorea》报道称,三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化,并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法,据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么?它将如何颠覆DRAM原有结构?壹摩尔定律放缓,DRAM工艺将重构1966年的秋天,跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器(DRAM),而在不久的将来,这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA
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3D DRAM 存储器
据外媒《BusinessKorea》报道,三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化,并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况,业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然,而不是一种方向。与现有
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存储 3D DRAM
国内EDA行业领导者芯和半导体,由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现,近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中,获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。 “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计,这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示,” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D InCi
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芯和半导体荣 3D InCites Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖
国内EDA行业领导者芯和半导体,由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现,近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中,获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。 “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计,这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示,” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D
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芯和半导体 3D InCites Herb Reiter年度最佳设计工具供应商奖
全球领先的关键任务智能系统软件提供商风河公司近日于西班牙巴塞罗那2023世界移动大会上宣布Wind River Studio支持第四代Intel Xeon Scalable处理器,同时搭载Intel vRAN Boost,包含集成化加速功能,有助提升吞吐量并降低延迟与功耗,从而满足极具挑战性的5G负载,且仅占用单核物理空间。Wind River Studio和英特尔技术的相关演示在2023世界移动通信大会2号厅2F25的风河展台上进行。风河公司首席产品官Avijit Sinha介绍说:“5G正在为各行各业
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Wind River Studio 英特尔处理器 5G
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布,推出基于云的全新突破性在线物联网系统设计平台Quick-Connect Studio,帮助用户能够以图形方式构建硬件和软件,从而快速验证原型并加速产品开发。当前的软件开发流程十分繁琐——工程师需要研究并定义项目、收集设备信息及要求、布局硬件、开发软件,并测试和迭代,直到产品准备完成发布到市场。这一过程通常按顺序进行,每个步骤都需要付出大量时间。对于新产品的开发而言,软件部分的开发是消耗最多的阶段,其开发过程是否顺利,成为决定整个系统成败的关键因素。借助瑞萨首创的Q
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瑞萨 动态软件开发 基于云的系统开发工具 Quick-Connect Studio
本文将解析使 3D NAND、高级 DRAM 和 5nm SoC 成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装(用于移动应用程序、数据中心和人工智能)的性能,就需要对架构、材料和核心制造流程进行复杂且代价高昂的更改。正在考虑的选项包括新的计算架构、不同的材料,包括更薄的势垒层和热预算更高的材料,以及更高纵横比的蚀刻和更快的外延层生长。挑战在于如何以不偏离功率、性能和面积/成本 (PPAC) 曲线太远的方式组合这些。当今的顶级智能手机使用集成多种低功耗、高性能功能的移动 SoC 平台,包括一个或多
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3D NAND DRAM 5nm SoC
近日,努比亚宣布,将在MWC 2023上,公布全球首款由AI引擎驱动3D平板:努比亚Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鲜技术, 这难免让人怀疑这款努比亚Pad 3D的最大卖点,是否会向其他同类产品一样,沦为“空中楼阁”。而今天,努比亚打消了用户的这一顾虑。今天,努比亚官方宣布, 努比亚Pad 3D将搭载全球最大的Leia 3D内容生态系统,包含大量运用裸眼3D技术的App,并获得了来自多个包括Unity、UNREL等游戏引擎,以及GAMELOFT等游戏开发商的内容支持。
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努比亚 MWC 3D 游戏引擎
全球领先的关键任务智能系统软件提供商风河公司近日宣布,Wind River Studio被日本KDDI公司用于其O-RAN兼容5G虚拟化基站,由此启动了1月份在日本大阪的商业化部署。为满足其5G虚拟化基站需求,KDDI采用Wind River Studio云平台构建了自动化配置(零接触开通)系统。Wind River Studio Analytics被用来监控地理分散远端边缘云的状态。Studio解决了服务提供商在部署和管理地理分散、超低延迟基础设施时所遇到的业务复杂性挑战,推动了5G虚拟化基站的大规模部
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KDDI Wind River Studio 5G Open vRAN
双方将通过立体摄像头数据融合技术演示3D立体深度视觉, *AIoT 、AGV小车和工业设备依靠3D立体摄像头跟踪快速运动物体参考设计利用意法半导体的高性能近红外全局快门图像传感器,确保打造出最佳品质的深度感测和*点云图资讯2023年1月5日,中国----在 1 月 5 日至 8 日举行的拉斯维加斯CES 2023 消费电子展上,服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM),和专
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意法半导体 钰立 CES 2023 机器视觉 3D 立体视觉摄像头
本文回顾3D霍尔效应位置传感器的基础知识,并描述在机器人、篡改侦测、人机接口控制和万向节马达系统中的用途;以及介绍高精密度线性3D霍尔效应位置传感器的范例。用于实时控制的3D位置感测在各种工业4.0应用中不断增加,从工业机器人、自动化系统,到扫地机器人和保全。3D霍尔效应位置传感器是这些应用的理想选择;它们具有高重复性和可靠性,还可以与窗户、门和外壳搭配,进行入侵或磁性篡改侦测。尽管如此,使用霍尔效应传感器设计有效且安全的3D感测系统可能复杂且耗时。霍尔效应传感器需要与足够强大的微控制器(MCU)介接,以
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3D位置感测 实时控制 3D 霍尔效应传感器
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