通讯电源是服务器，基站通讯的能源库，为各种传 输设备提供电能，保证通讯系统正常运行，通信电源系统在整个通信行业中占的比例比较小，但它是整个通信网络的关键基础设施，是通信网络上一个完整而又不可 替代的关键部件。
通信电源产品种类繁多，一般集中放在机房里，如图1所示。
图1：通讯电源机房
目前主流的通讯电源，其参数如下：
• 输入电压AC:90-264V 50/60Hz
• 输出功率：2kw
• 输出：最大电压1
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世强 SiC
SiC是这两年刚刚兴起的，主要用在工控/工业上，例如产线机器人、逆变器、伺服等。车辆方面，主要是电动车(EV)，此外还有工厂车间的搬运车等特种车。
相比IGBT，SiC有一些特点，可以做到高频;做成模块后，由于适应适应高频，外围器件例如电感你可以减小。因此电压方面，ROHM推荐1200V的产品，这可体现出耐高压的特点。
现在ROHM SiC模块中，300A是量产中最大的电流(如图)，由几个芯片并联在一起的。如果一个芯片40A左右，就需要约七八个芯片并联，面积只有单个芯片那么大。绝缘层是由氧
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ROHM SiC
东芝在工业领域推出大功率器件——IEGT以及SiC相关产品。这些产品可以广泛用到电气机车牵引、可再生能源、电力传输、工业变频、电动汽车等工业领域，这些领域对减小噪声、装置体积以及能耗的要求越来越高。 东芝是全球第一个商业化生产IGBT器件的厂家，率先导入了“门级注入增强”技术以降低IGBT静态损耗，用该技术注册了东芝大功率IGBT的专用商标---“IEGT”。 东芝电子(中国)公司副董事长野村尚司 目前东芝提供从1700V~4500V的高耐压产品系列。通过使用高耐压、高结温的IEGT及SiC材料
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IEGT SiC
大阪大学和电装2016年3月28日宣布，在日本新能源及产业技术综合开发机构(NEDO)的项目下，发现了有望提高碳化硅(SiC)功率半导体长期可靠性的接合材料自我修复现象。研究人员发现，在高温的设备工作环境下，用作接合材料的银烧结材料自行修复了龟裂，这大大提高了SiC半导体在汽车等领域的应用可能性。
此次的SiC接合使用银膏烧结粘接法，该方法使用微米级和亚微米级的混合银颗粒膏，以250℃低温在空气环境实施30分钟接合工艺，获得了裸片粘接构造。与常见的使用纳米颗粒施加高压的接合方法相比有很多优点，包
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SiC 功率半导体
全球知名半导体制造商ROHM现身在上海新国际博览中心举办的“2016慕尼黑上海电子展(electronica China 2016)”。在本次展会上展出了ROHM所擅长的模拟电源、以业界领先的SiC(碳化硅)元器件为首的功率元器件、种类繁多的汽车电子产品、以及能够为IoT(物联网)的发展做出贡献的传感器网络技术和小型元器件等品类众多，并且融入了最尖端技术的产品。这些高新领先的技术、强势多元化的产品、多种热门应用解决方案，吸引了众多业内外人士驻足及交流。
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ROHM SiC
全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源(spm)、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。
世强代理的该900V SiC具有更宽的终端系统功率范围，
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世强 SiC
由于具有较低的偏置电流，人们经常选用CMOS和JFET运算放大器。然而你应该意识到，这个事实还与很多其它的原因相关。 CMOS晶体管的栅极 (CMOS运算放大器的输入端)有极低的输入电流。必须设计附加的电路来对脆弱的栅极进行ESD和EOS保护。这些附加的电路是输入偏置电流的主要来源。这些保护电路一般都通过在电源轨之间接入钳位二极管来实现。图1a中的OPA320就是一个例子。这些二极管会存在大约几皮安的漏电流。当输入电压大约达到电源轨中间值的时候，漏电流匹配的相当好，仅仅会存在小于1皮安的残余误差电流
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CMOS JFET
DIGITIMES Research观察，传统以块体矽(Bulk Si)材料为基础的功率半导体逐渐难提升其技术表现，业界逐渐改以新材料寻求突破，其中氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)材料技术最受瞩目，氮化镓具有更高的切换频率，碳化矽则能承受更高温、更大电流与电压，而原有的矽材仍有成本优势，预计未来功率半导体市场将三分天下。
更高的耐受温度、电压，或更高的切换频率、运作频率，分别适用在不同的应用，对于电动车、油电混合车、电气化铁路而言需要更高电压，对于新一代的行动通讯基地台，或资料中心机房设备而言
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GaN SiC
2016年11月16日-21日，全球知名半导体制造商ROHM亮相在深圳举办的“第十七届高交会电子展(ELEXCON 2015)”。在本次展会上展出了ROHM所擅长的模拟电源、业界领先的SiC(碳化硅)元器件为首的功率元器件、种类繁多的汽车电子、以及能够为IoT(物联网)的发展做出贡献的传感器网络技术和小型元器件等品类众多，并且融入了最尖端技术的产品。ROHM所带来的高新领先技术、强势多元化的产品、以及多种解决方案，受到来场参观者的广泛好评。 ROHM模拟电源“领衔”业内标准 近年来，全世
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ROHM SiC
2015年3月份，一份由国家能源局制定的草案引爆了整个新能源汽车圈，没错，这份众人期盼已久的草案就是《电动汽车充电基础设施建设规划》。该草案的完成对于汽车充电设施制造商带来说堪称一场“及时雨”。草案提到2020年国内充换电站数量要达到1.2万个，充电桩达到450万个，这意味着一个千亿级市场将在国内的充电行业产生。
充电桩通常被誉为新能源汽车的“加油站”，可以固定在墙壁或地面，根据不同的电压等级为各种型号的电动汽车充电。如图1所示，目前的充电桩可以提
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Cree SiC
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世强代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。
SiC与Si性能对比
简单来说，SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:击穿电压强度高(10倍于S
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SiC MOSFET
当人们思考电力电子应用将使用哪种宽禁带(WBG)半导体材料时，都会不约而同地想到氮化镓(GaN)或碳化硅(SiC)。这不足为奇。因为氮化镓或碳化硅是电力电子应用中最先进的宽禁带技术。市场研究公司Yole Développement在其报告中指出，电力电子应用材料碳化硅、氮化镓和其他宽禁带材料具有一个更大的带隙，可以进一步提高功率器件性能。
n型碳化硅SiC晶片到2020年将以21%的CAGR成长至1.1亿美元
由碳化硅电力设备市场驱动，n型碳化硅基
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GaN SiC
集LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的全球著名制造商和行业领先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半桥功率模块 CAS300M17BM2。业界首款全碳化硅1.7kV功率模块的诞生更加确立了CREE公司在碳化硅功率模块技术领域的领导地位。该模块不但能在高频下工作还具有极低的功耗，非常适用于高功率电机驱动开关和并网逆变器等应用。目前世强已获授权代理SiC系列产品。
图：CAS300M17BM2模块外观图
世强代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模块采用行业标准
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CREE SiC
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世强代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。
SiC与Si性能对比
简单来说，SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:击穿电压强度高(10倍于S
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世强 SiC
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