- GaN和SiC将区分使用 2015年，市场上或许就可以稳定采购到功率元件用6英寸SiC基板。并且，届时GaN类功率元件 ...
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功率 半导体 SiC GaN
- 在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”(日本宫崎县PhoenixSeagaiaResort)上，最近开始扩大SiC晶圆业务的亚洲企业纷纷出展。
山东天岳先进材料科技有限公司(SICC)展出了将从2014年4月开始对外销售的直径2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圆。该公司当前的目标
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SiC 晶圆
- 碳化硅（SiC）功率元件正快速在太阳能（PV）逆变器应用市场攻城掠地。SiC功率元件具高频和耐高温特性，不仅可较传...
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PV 逆变器 SiC 功率元件
- SiC企业不断增多，成本不断下降”一文中，作者根津在开篇写道：“下一代功率半导体已经不再特别。”这是因为，随着使用SiC和GaN等“下一代功率半导体”的大量发布，在学会和展会的舞台上，这种功率半导体逐渐带上了“当代”的色彩。
那么，在使用功率半导体的制造现场，情况又是如何呢?虽然使用SiC和GaN的产品目前尚处开始增加的阶段，仍属于“下一代”，但在功率半导体使用者的心目中，此类产品已逐渐由
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SiC GaN
- GT Advanced Technologies(纳斯达克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大直径为100毫米的芯片。 在其初步阶段，SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客户。
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GT SiC 晶体
- 在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
- 在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
- SiC集成技术在生物电信号采集设计, 人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的体
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SiC 集成技术 生物电信号采集
- 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)日前宣布，推出新一代工业温度碳化硅(SiC)标准功率模块。新产品非常适用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其他高功率高电压工业应用。该功率模块系列还扩展了温度范围，以满足下一代功率转换系统对于功率密度、工作频率和效率的更高要求。
SiC技术比硅材料提供更高的击穿电场强度和更好的热传导性
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Microsemi SiC
- 进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称为第三代半导体材料的双雄。
SiC早在1842年就被发现了，但直到1955年，才有生长高品质碳化硅的方法出现;到了1987年，商业化生产的SiC进入市场;进入21世纪后，SiC的商业应用才算全面铺开。相对于Si，SiC的优点很多：有10倍的电场强度，高3倍的热导率，宽3倍禁带宽度，高一倍的饱和漂
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ROHM SiC 半导体
- 为努力实现更高的功率密度并满足严格的效率法规要求以及系统正常运行时间要求，工业和功率电子设计人员在进行设计时面临着不断降低功率损耗和提高可靠性的难题。 然而，在可再生能源、工业电机驱动器、高密度电源、汽车以及井下作业等领域，要想增强这些关键设计性能，设计的复杂程度就会提高，同时还会导致总体系统成本提高。
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飞兆 SiC 晶体管
- 为了防止地球温室化，减少CO2排放量已成为人类的课题。为了减少CO2排放量，节电与提高电压的转换效率是当务之急。在这种背景下，罗姆通过用于LED照明的技术贡献于节电，通过功率元器件提升转换效率。
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罗姆 变压器 SiC
- 进入21世纪，开关电源技术将会有更大的发展，这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努...
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开关电源 转换器 碳化硅（SiC）
- 当使用分立的JFET时，设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程，作为JFET漏极电流特性的一个近似模型：ID=beta;(VGS-VP)2，其中，ID是漏极电流，VGS是栅源电压，be
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电路 简单 特性 JFET 确定
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