接近62%的能源被白白浪费
美国制造创新网络(目前称为MgfUSA)已经阐明了美国制造业规划的聚焦点在材料与能源。清洁能源智能制造CESMII中的清洁能源与能源互联网自不必说，而在复合材料IACMI和轻量化研究院LIFT中都关注到了汽车减重设计，本身也是为了降低能源消耗的问题。在美国第二个创新研究院“美国电力创新研究院” Power Amercia(PA)其关注点同样在于能源的问题。这是一个关于巨大的能源市场的创新中心。
图1：整体的能源转换效率约在38
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SiC GaN
近年来，SiC(碳化硅)因其优异的节能效果和对产品小型化、轻量化的贡献，在新能源汽车、城市基础设施、环境/能源，以及工业设备领域的应用日益广泛。与同等额定电流的IGBT产品相比，SiC产品凭借更低的开关损耗，可实现设备中冷却机构的小型化。同时，通过更高频率的开关动作，还可实现线圈和电容器等周边元器件的小型化。可见，SiC是可以同时实现设备节能化、小型化和轻量化的“理想的元器件”。
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ROHM SiC 汽车
在经过多年的疑虑和犹豫之后，SiC器件终于迎来了春天。
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SiC Cree
SiC在电源转换器的尺寸、重量和/或能效等方面具有优势。当然，要进行大批量生产，逆变器除了静态和动态性能之外，还必须具备适当的可靠性，以及足够的阈值电压和以应用为导向的短路耐受能力等。可与IGBT兼容的VGS=15V导通驱动电压，以便从IGBT轻松改用SiC MOSFET解决方案。英飞凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可满足这些要求。
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电源转换器 SiC MOSFET 逆变器 201707
人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了.
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SiC 集成技术 生物电信号 采集方案
人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何
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EEG SiC 生物电信号采集 IMEC
GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代
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GaN SiC 第三代半导体材料
<概要> 全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备用的电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出额定1200V 400A、600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。 本产品通过ROHM独有的模块内部结构及散热设计优化，实现了600A额定电流，由此，在工业设备用大容量电源等更大功率产品中的应用成为可能。另外，与普通的同等额定电流的IGBT模块相比，开关损耗降低了64%(芯片温度150℃时)，这非常有助于应
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ROHM SiC
汽车功率电子产品正成为半导体行业的关键驱动因素之一。这些电子产品包括功率元器件，是支撑新型电动汽车续航里程达到至少200英里的核心部件。
虽然智能手机的出货量远高于汽车(2015年为14亿部[1]，汽车销量为8,800万辆[2])，但汽车的半导体零件含量却高得多。汽车功率IC稳健增长，2015-2020年该行业的年复合增长率预计将达8%[3]。尤其是电池驱动的电动汽车在该行业成为强劲增长推动力，2015年5月Teardown.com针对宝马i3电动车的报告显示，该车型物料清单中包含100多个电源
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SiC GaN
虽然智能手机的出货量远高于汽车(2015年为14亿部[1]，汽车销量为8,800万辆[2])，但汽车的半导体零件含量却高得多。汽车功率IC稳健增长，2015 - 2020年该行业的年复合增长率预计将达8%[3]。尤其是电池驱动的电动汽车在该行业成为强劲增长推动力，2015年5月Teardown.com针对宝马i3电动车的报告显示，该车型物料清单中包含100多个电源相关芯片。 与遵循摩尔定律不断缩小尺寸的先进逻辑晶体管不同，功率元器件FET通常运用更老的技术节点，使用200毫米(和
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SiC GaN
摘要：驾驶着进取号电子飞船，从发射区进入充满黑洞的基区，一些同伴被黑洞束缚，一些掳去另一世界，你幸运地躲过一劫飞到集电结，受到强大的吸力快速渡越出集电区，漫游在低阻导线上，松了一口气。然而前路不如你所愿地一帆风顺，阻力重重的负载中到处碰壁…… 古人学问无遗力，少壮工夫老始成。若问硬件速成法，犹似浮沙立大厦。千万别认为看后就能成为高手，当然笔者亦非高手，水滴石穿又岂是朝夕之功!谨以过往经历和拙见与在校学生朋友和刚工作的工程师分享共勉。 理论学习 没有满腹经纶，何能出口成章。但觉得书海茫茫，不知从何
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仿真 JFET
与市场的不同的观点:传统观点认为功率半导体竞争格局固定,技术升级步伐相对缓慢,与集成电路产业的重要性不可同日而语,中泰电子认为随着新能源车和高端工控对新型功率器件的需求爆发,功率半导体的产业地位正在逐步提升,其重要性不亚于规模更大的“集成电路”。大陆半导体产业的崛起需要“两条腿走路”(集成电路+功率器件),由于功率半导体的重要性被长期低估,我国功率半导体产业存在规模小、技术落后、品类不全等诸多不足,适逢我国半导体投融资渐入高峰期,行业龙头有望率先受益。大
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功率半导体 SiC
2017电源市场需求和技术趋势风向如何?来e星球，与超六万的专业人士一起把握潮流! 需求往往是推动创新的源泉，无论是时尚、金融亦或是我们熟悉的电源领域都存在这样的现象。抓住了用户需求，潜在的创新动力才会被激发，也只有适应需求的创新才是最具生命周期的。2017年电源需求在哪?创新着力点在哪?带着疑问与期盼请来亚洲第一大电子展——2017年慕尼黑上海电子展一探究竟吧!3月14日-16日将有超过6万多名的专业观众以及众多的国内外领先电源厂商集聚上海新国际博览中心，深度探讨2017年中国电源市场需求与走势，
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SiC GaN
2017年3月14日(周二)~16日(周四)，全球知名半导体制造商ROHM将亮相在"上海新国际展览中心"举办的"2017慕尼黑上海电子展"。届时ROHM将在E4馆设有展位(展位号：4100)，向与会观众展示ROHM最新的产品与技术。来到现场还将有ROHM的专业技术人员向您做最详尽的介绍，期待您的到来。 ROHM展位信息 "慕尼黑上海电子展"不仅是亚洲领先的电子行业展览，还是行业内最重要的盛会。而作为拥有近60年历史的综合性半导体制造商，&
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ROHM SiC
日本 DISCO 公司的科学家们使用一种称为关键无定形黑色重复吸收(key amorphous-black repetitive absorption，KABRA)的专利和正在申请专利的激光材料加工技术，可以将碳化硅(SiC)晶圆的生产率提升到原来的四倍，并且在提高产量的同时减少材料损耗。该技术适用于单晶和多晶锭，不管晶体层的取向如何。目前，SiC 功率器件在市场中的渗透较慢，主要是因为其产量小、且生产成本高。然而，KABRA 方法能够显著提高 SiC 器件的产量，并且应该能够使 SiC 器件作为功率
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SiC
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