推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)，宣布获联合汽车电子系统有限公司(United Automotive Electronic Systems，简称UAES)颁发“2017年度杰出合作供应商奖”。安森美半导体是UAES最近的供应商大会上3家获奖的半导体供应商之一。 该奖认同安森美半导体宽广的产品阵容的价值，这些产品用于UAES领先行业的先进汽车系统方案。安森美半导体能提供大量关键器件用于从动力总成到汽车功能电子化、从传统模块如发动机控制单元(ECU)和点火系统到最新的牵引
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安森美 SiC
提出了一种新型快速充电策略，并设计和制作了可满足12 V/40 Ah锂电池组快速充电需求的高功率密度AC/DC电源，介绍了AC/DC电源拓扑结构、关键元件选型及参数计算。快速充电器输入PF大于0.98，额定工作点效率大于90%。可实现12.8 V/40 Ah锂电池组3小时内100%SoC快速充电。
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快速充电 锂电池组 PFC LLC SiC 201808
行业标准的收紧和政府法规的改变是使产品能效更高的关键推动因素。例如，数据中心正在成倍增长以满足需求。它们使用的电力约占世界总电力供应(400千瓦时)的3%，占温室气体排放总量的2%。航空业的碳排放量也一样。随着对能源的巨大需求，各国政府正在采取更严格的标准和新的监管措施，以确保所有依赖能源的产品都需具有最高能效。 同时，我们看到对更高功率密度和更小空间的要求。电动汽车正尽量减轻重量和提高能效，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目
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SiC GaN
全球知名半导体制造商罗姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中国国际展览中心举办的“2018北京国际汽车制造业暨工业装配博览会”(展位号：2展馆T213)。以“用半导体为汽车的未来做贡献”为理念，带来了新能源汽车、汽车小型化轻量化、自动驾驶、人机交互等相关领先半导体产品。 罗姆展台人头攒动 在 “Formula E国际汽联电动方程式锦标赛”特别展示区以及“xEV”、“环保/节能”、“安全/舒适”三大展区内，重点展示了以下产品和技术： ・ 先进的SiC(碳化硅)技术：助力 “Formula
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罗姆 SiC
当我坐在电动汽车上踩下加速踏板，时速在3秒之内就能从0飙升到近100公里——我非常享受这个过程。正如我驾车疾驰在高速公路快车道上，而新一代技术将载着我们驰骋在大数据公路的快车道上。 畅想一下，新技术将影响着我们未来的工作和生活： · 汽车组装生产线上将重新配置协作机器人，由它们来组装不同型号的车辆。这将在降低成本的同时大大提高生产力，发挥竞争优势。今天，重置一个这样的工厂可能需要几年的时间。 · 机器视觉技术将使人们即使在夜间、雾天和灰尘的环境下，驾驶时也可清晰视物。 · 充电器尺寸将缩小到信
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德州仪器 SiC
云电源是描述用于传输、存储和处理云数据的设备的电源的通用术语。在电信或传输应用中，云电源将为基带单元和远程无线电单元供电。用于存储和处理的服务器机群还需要大型不间断电源，以确保在暂时断电时用户仍可访问云。每台服务器还将需要一个电源单元(PSU)，以及众多的DC-DC转换器来提供负载点电源。 由于物联网显著增加了捕获某种数据的端点数(2017年付运约20亿台设备，比2015年增长54%)，因此需要大量的存储器来处理和存储数据。为此，正在构建大型服务器机群，这些机群将消耗大量电力。电源转换将产生热量，终
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云电源 SiC
相较于硅，碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。 安森美半导体扩展了其650伏(V) SiC二极管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车(EV / HEV)充电器、电信电源和数据中心电源等各类应用的PFC和升压转换器时，往往面对在更小尺寸实现更高能效的挑战。这些全新的二极管能为工程师解决这些挑
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肖特基二极，SiC
前言 包括光伏逆变器、电气驱动装置、UPS及HVDC在内的功率转换系统，需要栅极驱动器、微控制器、显示器、传感器及风扇来使系统正常运行。这类产品需要能够提供12V或24V低电压电源的辅助电源。辅助电源则需要输入通常工业设备所使用的三相400/480V AC电源、或太阳能光伏逆变器所使用的高电压DC电源才能工作。本文将介绍融入了ROHM的SiC技术优势且设计简单、性价比高的电源解决方案。 小型辅助电源用SiC MOSFET 图1是辅助电源所用的普通电路。在某些输入电压条件下，MOSFET的最高耐压
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SiC，MOSFET
6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内，100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。 中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己能生产了。” SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性， 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、高压
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SiC
6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内，100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。 中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己能生产了。” SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性， 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、高压
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SiC
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布了碳化硅(SiC)肖特基二极管的扩展系列，包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性，以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。 SiC技术提供比硅器件更佳的开关性能和更高的可靠性。SiC二极管没有反向恢复电流，开关性能与温度无关。极佳的热性能、增加的功率密度和降低的电磁干扰(EMI)，减小的系统尺寸和降低的成本使SiC
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安森美 SiC
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 肖特基势垒二极管(SBD)和相应的裸片。美高森美将参展6月5日至7日在德国纽伦堡展览中心举行的PCIM欧洲电力电子展，在6号展厅318展台展示这些SiC解决方案以及SiC SBD
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美高森美 SiC
全球知名半导体制造商ROHM为加强需求日益扩大的SiC功率元器件的生产能力，决定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)的筑后工厂投建新厂房。 新厂房为地上3层建筑，总建筑面积约11,000㎡。现在，具体设计工作正在有条不紊地进行，预计将于2019年动工，于2020年竣工。 ROHM自2010年开始量产SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以来，于世界首家量产“全SiC”功率模块和沟槽结构SiC-MOSFET，不断进行着领先业界的技
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ROHM SiC
ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海电子展"，并占据馆内的入口人气位置，以炫动的赛车和动感十足的汽车产品，吸引观众的眼球。那么，这次ROHM重点带来了什么汽车新品? 据悉，此次展会围绕“汽车电子”和“工业设备”，重点展示了功率电源产品及解决方案。 图：ROHM展台设在展馆入口处，动感赛车吸引眼球 赛车性能突破极限，因为有SiC 视频上吸睛的车队是文图瑞电动方程式车队 (Venturi Formula E Team) ，RO
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ROHM SiC
硅半导体器件在过去数十年间长期占据着电子工业的统治地位，它铸就了电子世界的核心，覆盖我们日常生活中的绝大部分应用。宽禁带电子器件，以碳化硅和氮化镓的形式，因其自身有着传统的硅技术无法克服的优势正在日益普及。
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力特，SiC，GaN
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