更为严格的行业标准和政府法规的变迁是更高能效产品的关键驱动因素。例如数据中心正呈指数级增长以跟上需求，其耗电量约占全球总电力供应量（+ 400TWh）的3％，也占总温室气体排放量的2％，与航空业的碳排放量相同。在这些巨大的能源需求之下，各地政府正加紧实施更严格的标准和新的法规，以确保所有依赖能源的产品必须达到最高能效。
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安森美，SiC，GaN
介绍了包括SiC、GaN在内的新一代功率器件，面向工业和汽车的新型功率模块，可穿戴设备的电源管理IC的发展概况及相关新技术和热门产品。
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SiC GaN 电源管理 201804
使用单光子作为量子位的载体可以在量子数据传输期间实现可靠的安全性。研究人员发现，目前可以通过某现有材料建立一个系统，能在常温条件下可靠地产生单光子。
来自莫斯科物理技术学院(MIPT)的一个研究小组展示通过使用基于碳化硅(SiC)光电子半导体材料的单光子发射二极管，每秒可以发射多达数十亿个光子。研究人员进一步表明，SiC色心的电致发光可用于将无条件的安全量子通信线路中的数据传输速率提高到1Gbps以上。
量子密码术与传统的加密算法不同，它依赖于物理定律。在不改变原始信息的情况下，是无法
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SiC 量子通信
相较目前主流的硅晶圆(Si)，第三代半导体材料SiC及GaN除了耐高电压的特色外，也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势，不仅可使芯片面积可大幅减少，并能简化周边电路的设计，达到减少模组、系统周边的零组件及冷却系统的体积。根据估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
此外，除了轻化车辆设计之外，因第三代半导体的低导通电阻及低切换损失的特性，也能大幅降低车辆运转时的能源转换损失，两者对于电动车续航力的提升有相当的帮助。因此，
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SiC GaN
全球知名半导体制造商ROHM于2018年3月14日--16日参加了在上海新国际展览中心举办的"2018慕尼黑上海电子展(electronica China 2018)"。 “慕尼黑上海电子展"不仅是亚洲领先的电子行业展览，还是行业内最重要的盛会之一。ROHM在此次展会上以“汽车电子”和“工业设备”为轴，为大家呈现包括“汽车电子”、 “模拟”、“电源”、“传感器”以及“移动设备”在内的5大解决方案展区，囊括了业界领先的强大产品阵容。另外，为此
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ROHM SiC
慕尼黑上海电子展举办，作为亚洲第一电子大展，展会吸引了数万名电子行业的观众到场参观学习。而全球先进的元件分销商——世强元件电商，则携物联网、汽车、微波通信、功率电子、工业控制及自动化、结构件、阻容感、材料、测试测量等九大领域的最新产品及方案亮相。 凭借集成电路、元件、材料、部件、仪器、阻容感等全品类的电子元器件展示，以及NB-IOT、工业物联网、无线充电与快充、工业4.0、人工智能、楼宇照明、智能网联汽车、新能源汽车、5G通信、蓝牙Mesh等众多热门市场的最新产品的展示，世强元件电商吸引了大批工程师
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SiC GaN
据麦姆斯咨询报道，一些非常重要的市场趋势正在推动化合物半导体器件在关键行业的应用，化合物半导体正在强势回归。这些趋势主要包括第五代(5G)无线网络协议、无人驾驶和自动汽车、交通电气化、增强现实和虚拟现实(AR/VR)。这些应用正在推动3D传感的应用，提高功率模块效率和更高频率的通信应用。所有这些新发展背后的关键器件都是由化合物半导体制造而成。科锐(Cree)和英飞凌(Infineon)近日关于SiC材料、SiC功率器件和GaN射频(RF)器件的最新公告，还仅仅是化合物半导体应用的冰山一角。
我们
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5G SiC
Analog Devices, Inc. (ADI)与Microsemi Corporation近日联合推出市场首款用于半桥SiC功率模块的高功率评估板，在200kHz开关频率时该板提供最高1200V电压和50A电流。隔离板的设计旨在提高设计可靠性，同时减少创建额外原型的需求，为电源转换和储能客户节省时间、降低成本并缩短上市时间。ADI公司和Microsemi将在2018年3月4日至8日于美国得克萨斯州圣安东尼奥举行的APEC 2018展会上展示该评估
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ADI SiC
推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品，扩展了SiC二极管产品组合。这些二极管的尖端碳化硅技术提供更高的开关性能、更低的功率损耗，并轻松实现器件并联。 安森美半导体最新发布的650 V SiC 二极管系列提供6安培(A)到50 A的表面贴装和穿孔封装。所有二极管均提供零反向恢复、低正向压、不受温度影响的电流稳定性、高浪涌容
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安森美 SiC
纳微 (Navitas)半导体宣布其现场应用及技术营销总监黄万年将在2018年1月30日于中国台北举办的“2018前瞻电源设计与功率组件技术论坛”上发表“利用氮化镓(GaN)功率IC实现下一代电源适配器设计”的主题演讲。他将分享如何利用业内首个及唯一的氮化镓(GaN)功率IC在各种电力系统中显着提高速度、效率和密度的崭新见解。纳微是这项活动的银级赞助商，该活动为具有创新性的制造商、合作伙伴及客户提供了一个交互论坛，以交流加速采用新型氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)器件的专业知识。 黄万年
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纳微 SiC
近年来，出于地球温室化对策和减少空气污染的考虑，对汽车的环保性能要求越来越高。世界各国均已制定了新能源汽车的开发和引进计划，未来新能源汽车的普及将会进一步加速。其中，中国新能源汽车市场发展势头最为迅猛。随着中国新能源汽车市场的迅速壮大和新能源汽车技术的快速发展，越来越多的中国新能源汽车品牌开始走出国门，投身到波澜壮阔的世界新能源汽车市场。 作为全球知名半导体制造商， ROHM一直以来都将汽车市场为主要目标领域，通过开发并提供SiC元器件、电源IC、控制IC等满足最新汽车电子化需求的创新型高
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ROHM SiC
随着技术的不断更新换代，以及电动汽车市场的巨大助力，SiC产品有望迎来快速增长期。
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电动汽车 SiC
近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。
通常，国际上把碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势，特别在抗高电压、高温等方面性能尤为明显，由于第三代半导体材料的制造装备对设备真空度、高温加热性能、温度控制精度以及高性能温场分布、设备可靠性等直接影响SiC单晶衬底质量和成品率的关键技术有很高的
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半导体 SiC
摘要 本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明，新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆，让系统具更高的能效，对市场上现有系统设计影响较大。 前言 市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高，而硅器件理论上正在接近性能上限。 宽带隙半导体器件因电、热、机械等各项性能表现俱佳而被业界看好，被认为是硅半导体器件的替代技术。在这些新材料中，兼容硅
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MOSFET SiC
接近62%的能源被白白浪费
美国制造创新网络(目前称为MgfUSA)已经阐明了美国制造业规划的聚焦点在材料与能源。清洁能源智能制造CESMII中的清洁能源与能源互联网自不必说，而在复合材料IACMI和轻量化研究院LIFT中都关注到了汽车减重设计，本身也是为了降低能源消耗的问题。在美国第二个创新研究院“美国电力创新研究院” Power Amercia(PA)其关注点同样在于能源的问题。这是一个关于巨大的能源市场的创新中心。
图1：整体的能源转换效率约在38
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SiC GaN
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