介绍了SiC的市场动向，SiC市场不断扩大的原因，SiC技术及解决方案的突破，以及罗姆公司在SiC方面的特点。
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SiC 市场 应用 汽车 201903
意法半导体(ST)近日与瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB公司签署协议，收购后者55%股权。Norstel公司于2005年从Linköping大学分拆出来，开发和生产150mm SiC裸晶圆和外延晶圆。ST表示，在交易完成之后，它将在全球产能受限的情况下控制部分SiC器件的整个供应链，并为自己带来一个重要的增长机会。
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ST Norstel SiC
目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。 然而，SiC和GaN并不是终点，最近，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野，凭借其比SiC和GaN更宽的禁带，该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此，近几年关于氧化镓的研究又热了起来。 实际上，氧化镓并不是很新的技术，多年前就
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半导体 SiC GaN
每年十二月，在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛，在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。这个会会议就是IEEE国际电子元件会议(International
Electron Devices Meeting，缩写：IEDM) 在每一界的IEDM上，全球工业界与学界的管理者、工程师和科学家将会聚集在一起讨论纳米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与纳米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、
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DRAM GAA-FET
11月30日，北汽新能源(北汽蓝谷
600733)与罗姆半导体集团合作成立SiC产品技术联合实验室。北汽新能源执行副总经理陈上华与罗姆半导体集团董事末永良明现场签署了合作协议书，并共同为SiC产品技术联合试验室揭牌。 该联合实验室的成立，是北汽新能源在新能源汽车领域不断加强自主技术实力的重要举措，联合实验室成立后，北汽新能源将可以与罗姆半导体集团共同深入到碳化硅等新技术的预研中，并围绕碳化硅的新产品进行全面合作开发。 近年来，以SiC为代表的第三代功率半导体材料，已经被广泛应用在新能源
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北汽新能源 罗姆半导体 SiC
罗姆（ROHM）作为一个日本企业，很早便打入欧洲市场，丰富的行业经验、值得信赖的产品品质和口碑让欧洲本土企业成为罗姆（ROHM）的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上，我们也见到了很多罗姆（ROHM）的得意之作。
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ROHM SiC 罗姆
摘要 – 在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU 的WInSiC4AP项目所要达到的目标之一。ECSEL
JU和ESI协同为该项目提供资金支持，实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia
Micro e Nano
Sistemi)牵头，20个项目合作方将在技术研究、制造工艺、封装测试和应用方面展开为期36个月的开发合作。本文将讨论本项目中与汽车相关的内容，重点介绍有关SiC技术和封
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SiC WInSiC4AP
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现业界顶级※可靠性的额定值保证1700V 250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM调查数据) 近年来，由于SiC产品的节能效果优异，以1200V耐压为主的SiC产品在汽车和工业设备等领域的应用日益广泛。随着各种应用的多功能化和高性能化发展，系统呈高电压化发展趋势，1700V耐压产品的需求日益旺盛。然而，受
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ROHM SiC
全球知名半导体制造商罗姆将于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店举办为期一天的“2018 ROHM科技展”。届时，将以“罗姆对智能生活的贡献”为主题，展示罗姆在汽车电子和工业设备等领域的丰富产品与解决方案，以及模拟技术和功率元器件等技术亮点。同时，将围绕汽车电子、SiC(碳化硅)功率元器件、电机驱动、DC/DC转换器技术、传感器技术以及旗下蓝碧石半导体的先进技术等主题，由罗姆的工程师带来六场技术专题讲座。期待您莅临“2018 ROHM科技展”现场，与罗姆的技术专家进行面对面的交流和切磋
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ROHM SiC
10月24日，由青铜剑科技、基本半导体、中欧创新中心联合主办的第二届中欧第三代半导体高峰论坛在深圳会展中心成功举行。 本届高峰论坛和第三代半导体产业技术创新战略联盟达成战略合作，与第十五届中国国际半导体照明论坛暨2018国际第三代半导体论坛同期举行，来自中国、欧洲及其他国家的专家学者、企业领袖同台论剑，给现场观众带来了一场第三代半导体产业的盛宴。 立足国际产业发展形势，从全球视角全面探讨第三代半导体发展的现状与趋势、面临的机遇与挑战，以及面向未来的战略与思考是中欧第三代半导体高峰论坛举办的宗旨。目
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基本半导体 3D SiC JBS二极管 4H 碳化硅PIN二极管 第三代半导体 中欧论坛
SiC和GaN MOSFET技术的出现，正推动着功率电子行业发生颠覆式变革。这些新材料把整个电源转换系统的效率提高了多个百分点，而这在几年前是不可想象的。 在现实世界中，没有理想的开关特性。但基于新材料、拥有超低开关损耗的多种宽禁带器件正在出现，既能实现低开关损耗，又能处理超高速率dv/dt转换，并支持超快速开关频率，使得这些新技术既成就了DC/DC转换器设计工程师的美梦，但同时也变成了他们的恶梦。 比如一名设计工程师正在开发功率转换应用，如逆变器或马达驱动控制器，或者正在设
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SiC GaN
高温与长寿命半导体解决方案领先供应商CISSOID和中国碳化硅(SiC)功率器件产业化倡导者泰科天润半导体科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：双方已达成战略合作伙伴关系，将共同开展研发项目，推动碳化硅功率器件在工业各领域尤其是新能源汽车领域实现广泛应用。 CISSOID和泰科天润签署战略合作协议 泰科天润是中国首家第三代半导体材料碳化硅器件制造与应用解决方案提供商，既是碳化硅芯片的龙头企业，也是支撑高端制造业的新兴力量。CISSOID公司来自比利时，是高温半导体解决方案的领导者，专为极端温
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CISSOID SiC
碳化硅(SiC)功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能，对电力电子行业的发展具有重要意义。作为最先实现产业化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的动态性能，基本半导体自主研发的650 -1700V 3D SiC™系列碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)已火热上市，凭借其优越性能广受市场追捧。 SiC JBS产品优势 作为单极型器件，SiC JBS在工作过程中没有少数载流子储存，其反向恢复电流主要取决于耗尽层结电容，反向恢复电荷以及反向恢复损耗比Si超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重
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基本半导体 SiC
全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)于2018年9月19日-23日在国家会展中心(上海)举行的第二十届中国国际工业博览会上首次亮相。在为期5天的展会上，罗姆展出了节能高效的SiC功率元器件以及“机器健康检测”为主的工业设备解决方案，吸引了众多业内外人士驻足交流。 罗姆展台掠影(展位号：6.1H A245) 近年来，罗姆向工业市场不断进取，凝聚在消费电子设备和汽车相关领域培育的技术，致力于节能、安全、舒适、小型化的革新性产品的开发，并通过高品质、稳定供应的安心生产体制，持续不断为工业设备发展做贡献。
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罗姆 SiC 功率元器件
随着提高效率成为众需求中的重中之重，并且能源成本也在不断增加，以前被认为是奇特且昂贵的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等技术，现已变得更具性价比。此外，随着市场的增长，由于规模经济的关系，SiC或GaN晶体管和二极管在经济上也越来越具有吸引力。 功率半导体(如二极管和MOSFET)可以通过几种机制显著节省能源。与传统的硅器件相比，SiC二极管可以实现短得多的反向恢复时间，从而实现更快的开关。此外，其反向恢复电荷要少很多，从而可降低开关损耗。此外，其反向恢复电荷要少很多，从而可降低开关损耗。就其本身
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X-FAB SiC
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