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美高森美继续扩大碳化硅产品组合提供 下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V肖特基势垒二极管器件

  •   致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品,及下一代700 V、50 A 肖特基势垒二极管(SBD)和相应的裸片。美高森美将参展6月5日至7日在德国纽伦堡展览中心举行的PCIM欧洲电力电子展,在6号展厅318展台展示这些SiC解决方案以及SiC SBD
  • 关键字: 美高森美  SiC  

ROHM集团Apollo筑后工厂将投建新厂房, 以强化SiC功率元器件的产能

  •   全球知名半导体制造商ROHM为加强需求日益扩大的SiC功率元器件的生产能力,决定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)的筑后工厂投建新厂房。  新厂房为地上3层建筑,总建筑面积约11,000㎡。现在,具体设计工作正在有条不紊地进行,预计将于2019年动工,于2020年竣工。  ROHM自2010年开始量产SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以来,于世界首家量产“全SiC”功率模块和沟槽结构SiC-MOSFET,不断进行着领先业界的技
  • 关键字: ROHM  SiC  

ROHM炫动慕展,为汽车车载带来一大波方案

  •   ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海电子展",并占据馆内的入口人气位置,以炫动的赛车和动感十足的汽车产品,吸引观众的眼球。那么,这次ROHM重点带来了什么汽车新品?  据悉,此次展会围绕“汽车电子”和“工业设备”,重点展示了功率电源产品及解决方案。  图:ROHM展台设在展馆入口处,动感赛车吸引眼球  赛车性能突破极限,因为有SiC  视频上吸睛的车队是文图瑞电动方程式车队 (Venturi Formula E Team) ,RO
  • 关键字: ROHM  SiC  

SiC和GaN产品市场趋势及力特提供的产品

  • 硅半导体器件在过去数十年间长期占据着电子工业的统治地位,它铸就了电子世界的核心,覆盖我们日常生活中的绝大部分应用。宽禁带电子器件,以碳化硅和氮化镓的形式,因其自身有着传统的硅技术无法克服的优势正在日益普及。
  • 关键字: 力特,SiC,GaN  

新一代功率器件动向:SiC和GaN

  • 更为严格的行业标准和政府法规的变迁是更高能效产品的关键驱动因素。例如数据中心正呈指数级增长以跟上需求,其耗电量约占全球总电力供应量(+ 400TWh)的3%,也占总温室气体排放量的2%,与航空业的碳排放量相同。在这些巨大的能源需求之下,各地政府正加紧实施更严格的标准和新的法规,以确保所有依赖能源的产品必须达到最高能效。
  • 关键字: 安森美,SiC,GaN  

新一代功率器件及电源管理IC的发展概况

  • 介绍了包括SiC、GaN在内的新一代功率器件,面向工业和汽车的新型功率模块,可穿戴设备的电源管理IC的发展概况及相关新技术和热门产品。
  • 关键字: SiC  GaN  电源管理  201804  

新发现!SiC可用于安全量子通信

  •   使用单光子作为量子位的载体可以在量子数据传输期间实现可靠的安全性。研究人员发现,目前可以通过某现有材料建立一个系统,能在常温条件下可靠地产生单光子。   来自莫斯科物理技术学院(MIPT)的一个研究小组展示通过使用基于碳化硅(SiC)光电子半导体材料的单光子发射二极管,每秒可以发射多达数十亿个光子。研究人员进一步表明,SiC色心的电致发光可用于将无条件的安全量子通信线路中的数据传输速率提高到1Gbps以上。   量子密码术与传统的加密算法不同,它依赖于物理定律。在不改变原始信息的情况下,是无法
  • 关键字: SiC  量子通信  

受惠5G及汽车科技 SiC及GaN市场前景向好

  •   相较目前主流的硅晶圆(Si),第三代半导体材料SiC及GaN除了耐高电压的特色外,也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势,不仅可使芯片面积可大幅减少,并能简化周边电路的设计,达到减少模组、系统周边的零组件及冷却系统的体积。根据估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元,而GaN基板产值仅约3百万美元。        此外,除了轻化车辆设计之外,因第三代半导体的低导通电阻及低切换损失的特性,也能大幅降低车辆运转时的能源转换损失,两者对于电动车续航力的提升有相当的帮助。因此,
  • 关键字: SiC  GaN  

ROHM携汽车电子及工业设备市场产品强势登陆“2018慕尼黑上海电子展”

  •   全球知名半导体制造商ROHM于2018年3月14日--16日参加了在上海新国际展览中心举办的"2018慕尼黑上海电子展(electronica China 2018)"。  “慕尼黑上海电子展"不仅是亚洲领先的电子行业展览,还是行业内最重要的盛会之一。ROHM在此次展会上以“汽车电子”和“工业设备”为轴,为大家呈现包括“汽车电子”、 “模拟”、“电源”、“传感器”以及“移动设备”在内的5大解决方案展区,囊括了业界领先的强大产品阵容。另外,为此
  • 关键字: ROHM  SiC  

慕展:功率电子、微波通信、阻容感、材料、结构件领域的最新产品 都在世强

  •   慕尼黑上海电子展举办,作为亚洲第一电子大展,展会吸引了数万名电子行业的观众到场参观学习。而全球先进的元件分销商——世强元件电商,则携物联网、汽车、微波通信、功率电子、工业控制及自动化、结构件、阻容感、材料、测试测量等九大领域的最新产品及方案亮相。  凭借集成电路、元件、材料、部件、仪器、阻容感等全品类的电子元器件展示,以及NB-IOT、工业物联网、无线充电与快充、工业4.0、人工智能、楼宇照明、智能网联汽车、新能源汽车、5G通信、蓝牙Mesh等众多热门市场的最新产品的展示,世强元件电商吸引了大批工程师
  • 关键字: SiC  GaN  

5G和交通电气化的核心是SiC和GaN功率射频器件

  •   据麦姆斯咨询报道,一些非常重要的市场趋势正在推动化合物半导体器件在关键行业的应用,化合物半导体正在强势回归。这些趋势主要包括第五代(5G)无线网络协议、无人驾驶和自动汽车、交通电气化、增强现实和虚拟现实(AR/VR)。这些应用正在推动3D传感的应用,提高功率模块效率和更高频率的通信应用。所有这些新发展背后的关键器件都是由化合物半导体制造而成。科锐(Cree)和英飞凌(Infineon)近日关于SiC材料、SiC功率器件和GaN射频(RF)器件的最新公告,还仅仅是化合物半导体应用的冰山一角。   我们
  • 关键字: 5G  SiC  

ADI用于Microsemi SiC功率模块的隔离驱动器板加快产品上市时间

  •   Analog Devices, Inc. (ADI)与Microsemi Corporation近日联合推出市场首款用于半桥SiC功率模块的高功率评估板,在200kHz开关频率时该板提供最高1200V电压和50A电流。隔离板的设计旨在提高设计可靠性,同时减少创建额外原型的需求,为电源转换和储能客户节省时间、降低成本并缩短上市时间。ADI公司和Microsemi将在2018年3月4日至8日于美国得克萨斯州圣安东尼奥举行的APEC 2018展会上展示该评估
  • 关键字: ADI  SiC  

安森美半导体的碳化硅(SiC)二极管提供更高能效、更高功率密度和更低的系统成本

  •   推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,扩展了SiC二极管产品组合。这些二极管的尖端碳化硅技术提供更高的开关性能、更低的功率损耗,并轻松实现器件并联。  安森美半导体最新发布的650 V SiC 二极管系列提供6安培(A)到50 A的表面贴装和穿孔封装。所有二极管均提供零反向恢复、低正向压、不受温度影响的电流稳定性、高浪涌容
  • 关键字: 安森美  SiC  

纳微半导体将在中国台湾的电源设计技术论坛活动上

  •   纳微 (Navitas)半导体宣布其现场应用及技术营销总监黄万年将在2018年1月30日于中国台北举办的“2018前瞻电源设计与功率组件技术论坛”上发表“利用氮化镓(GaN)功率IC实现下一代电源适配器设计”的主题演讲。他将分享如何利用业内首个及唯一的氮化镓(GaN)功率IC在各种电力系统中显着提高速度、效率和密度的崭新见解。纳微是这项活动的银级赞助商,该活动为具有创新性的制造商、合作伙伴及客户提供了一个交互论坛,以交流加速采用新型氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)器件的专业知识。  黄万年
  • 关键字: 纳微  SiC  

ROHM赞助上海同济大学“DIAN Racing”电动方程式车队

  •   近年来,出于地球温室化对策和减少空气污染的考虑,对汽车的环保性能要求越来越高。世界各国均已制定了新能源汽车的开发和引进计划,未来新能源汽车的普及将会进一步加速。其中,中国新能源汽车市场发展势头最为迅猛。随着中国新能源汽车市场的迅速壮大和新能源汽车技术的快速发展,越来越多的中国新能源汽车品牌开始走出国门,投身到波澜壮阔的世界新能源汽车市场。  作为全球知名半导体制造商, ROHM一直以来都将汽车市场为主要目标领域,通过开发并提供SiC元器件、电源IC、控制IC等满足最新汽车电子化需求的创新型高
  • 关键字: ROHM  SiC  
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