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电动汽车打开应用窗口:SiC产品要来了!

  • 随着技术的不断更新换代,以及电动汽车市场的巨大助力,SiC产品有望迎来快速增长期。
  • 关键字: 电动汽车  SiC  

集成智能——第1部分:EMI管理

  •   智能集成电机驱动器和无刷直流(BLDC)电机可以帮助电动汽车和新一代汽车变得更具吸引力、更可行及更可靠。  图1所示为集成电机驱动器结合驱动电机所需的一切要素,如场效应晶体管(FET)、栅极驱动器和状态机。集成避免了电线从电子控制单元(ECU)到电机的布线距离过长,并还具有更小印刷电路板(PCB)尺寸和更低整体系统成本的优点。  BLDC电机在汽车应用中提供的优势包括效率、紧凑的尺寸、更长的电机寿命和电池寿命、更安静的车内体验以及更好的EMI性能。  图1:智能集成BLDC电机驱动器  集成智能系列博
  • 关键字: BLDC  FET  

使用FET和双极性晶体管的宽带缓冲电路

  • 使用FET和双极性晶体管的宽带缓冲电路-下面的图是一个宽带缓冲电路。该电路是由晶体管和FET构成的。这个宽带放大器具有较高的输入阻抗和低输入阻抗。
  • 关键字: FET  双极性晶体管  缓冲电路  宽带  

我国第三代半导体材料制造设备取得新突破

  •   近日,863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。   通常,国际上把碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势,特别在抗高电压、高温等方面性能尤为明显,由于第三代半导体材料的制造装备对设备真空度、高温加热性能、温度控制精度以及高性能温场分布、设备可靠性等直接影响SiC单晶衬底质量和成品率的关键技术有很高的
  • 关键字: 半导体  SiC  

如何保护你的系统不受反向电流的影响

  • 如何保护你的系统不受反向电流的影响- 在使用电子元器件时,你有时候不可避免地会闻到明显是芯片烧焦的味道。这都是反向电流惹的祸。反向电流就是由于出现了高反向偏置电压,系统中的电流以相反的方向运行;从输出到输入。幸运的是,有很多方法可以保护你的系统不受反向电流的影响。这是反向电流保护系列博文的第一篇文章,在这篇文章中,你将能够对现有解决方案有高层次的总体认识和了解。
  • 关键字: FET  TPS22963  德州仪器  反向电流  

揭开电池管理系统的神秘面纱

  • 揭开电池管理系统的神秘面纱-现在的电子设备具有更高的移动性并且比以前更绿色,电池技术进步推动了这一进展,并惠及了包括便捷式电动工具、插电式混合动力车、无线扬声器在内的广泛产品。近年来,电池效率(输出功率/尺寸比)和重量均出现大幅改善。试想一下汽车电池得多庞大和笨重,其主要用途是启动汽车。随着技术的最新进展,你可以改用锂离子电池来迅速启动汽车,其重量只有几磅,尺寸也就人手那么大。
  • 关键字: 电池管理系统  FET  FET驱动器  

在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅MOSFET的好处

  •   摘要  本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性,并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明,新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆,让系统具更高的能效,对市场上现有系统设计影响较大。  前言  市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高,而硅器件理论上正在接近性能上限。  宽带隙半导体器件因电、热、机械等各项性能表现俱佳而被业界看好,被认为是硅半导体器件的替代技术。在这些新材料中,兼容硅
  • 关键字: MOSFET  SiC  

制造能耗变革从新一代半导体开始

  •   接近62%的能源被白白浪费   美国制造创新网络(目前称为MgfUSA)已经阐明了美国制造业规划的聚焦点在材料与能源。清洁能源智能制造CESMII中的清洁能源与能源互联网自不必说,而在复合材料IACMI和轻量化研究院LIFT中都关注到了汽车减重设计,本身也是为了降低能源消耗的问题。在美国第二个创新研究院“美国电力创新研究院” Power Amercia(PA)其关注点同样在于能源的问题。这是一个关于巨大的能源市场的创新中心。      图1:整体的能源转换效率约在38
  • 关键字: SiC  GaN  

ROHM SiC在汽车领域的应用

  • 近年来,SiC(碳化硅)因其优异的节能效果和对产品小型化、轻量化的贡献,在新能源汽车、城市基础设施、环境/能源,以及工业设备领域的应用日益广泛。与同等额定电流的IGBT产品相比,SiC产品凭借更低的开关损耗,可实现设备中冷却机构的小型化。同时,通过更高频率的开关动作,还可实现线圈和电容器等周边元器件的小型化。可见,SiC是可以同时实现设备节能化、小型化和轻量化的“理想的元器件”。
  • 关键字: ROHM  SiC  汽车  

走过疑虑 SiC器件终迎春天

  • 在经过多年的疑虑和犹豫之后,SiC器件终于迎来了春天。
  • 关键字: SiC  Cree  

1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能与高可靠性

  • SiC在电源转换器的尺寸、重量和/或能效等方面具有优势。当然,要进行大批量生产,逆变器除了静态和动态性能之外,还必须具备适当的可靠性,以及足够的阈值电压和以应用为导向的短路耐受能力等。可与IGBT兼容的VGS=15V导通驱动电压,以便从IGBT轻松改用SiC MOSFET解决方案。英飞凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可满足这些要求。
  • 关键字: 电源转换器  SiC  MOSFET  逆变器  201707  

SiC集成技术的生物电信号采集方案设计

  • 人体信息监控是一个新兴的领域,人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人,可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间,并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了.
  • 关键字: SiC  集成技术  生物电信号  采集方案  

基于SiC集成技术的生物电信号采集方案

  • 人体信息监控是一个新兴的领域,人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人,可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间,并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了,但如何
  • 关键字: EEG  SiC  生物电信号采集  IMEC  

第三代半导体材料盛行,GaN与SiC如何撬动新型功率器件

  • GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料,由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,与刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代
  • 关键字: GaN  SiC  第三代半导体材料  
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