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rf-ic 文章 最新资讯

纯化合物半导体代工厂推出全新RF GaN技术

  • 6月14日,纯化合物半导体代工厂稳懋半导体(WIN Semiconductors Corp)宣布,公司扩大了其RF GaN技术组合,推出了基于碳化硅(SiC)的毫米波氮化镓(GaN)技术测试版NP12-0B平台。目前,NP12-0B鉴定测试已经完成,最终建模/PDK生成预计将于2024年8月完成,并计划于2024年第三季度末发布完整的生产版本。据稳懋半导体介绍,该平台的核心是0.12μm栅极RF GaN HEMT技术,该技术结合了多项改进,以增强直流和射频的耐用性,并增加芯片级防潮性。NP12-0
  • 关键字: 纯化合物  半导体  RF GaN  

西门子推出 Solido IP 验证套件,为下一代 IC 设计提供端到端的芯片质量保证

  • ●   西门子集成的验证套件能够在整个IC设计周期内提供无缝的IP质量保证,为IP开发团队提供完整的工作流程西门子数字化工业软件日前推出 Solido™ IP 验证套件 (Solido IP Validation Suite),这是一套完整的自动化签核解决方案,可为包括标准单元、存储器和 IP 模块在内的设计知识产权 (IP) 提供质量保证。这一全新的解决方案提供完整的质量保证 (QA) 覆盖范围,涵盖所有 IP 设计视图和格式,还可提供 “版本到版本” 的 IP 认证,能够提升完整芯
  • 关键字: 西门子  Solido IP  IC设计  IC 设计  

全球芯片设计厂商TOP10:英伟达首次登顶

  • 得益于人工智能需求激增推动的英伟达营收大增,全球前十大芯片设计厂商在去年的营收超过了1600亿美元,英伟达也首次成为年度营收最高的芯片设计厂商。
  • 关键字: 芯片  英伟达  IC  高通  博通  

欠电压闭锁的一种解释

  • 了解欠压锁定(UVLO)如何保护半导体器件和电子系统免受潜在危险操作的影响。当提到电源或电压驱动要求时,我们经常使用简化,如“这是一个3.3 V的微控制器”或“这个FET的阈值电压为4 V”。这些描述没有考虑到电子设备在一定电压范围内工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之间的任何电源电压下正常工作,而具有4 V阈值电压的MOSFET可能在3.5 V至5 V之间获得足够的导电性。但即使是这些基于范围的规范也可能具有误导性。当VDD轨降至2.95V时,接受3.0至3.6 V电源电压的数字
  • 关键字: 欠电压闭锁,UVLO  MOSFET,IC  

5G加速 联电首推RFSOI 3D IC解决方案

  • 联电昨(2)日所推出业界首项RFSOI 3D IC解决方案,此55奈米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术,在不损耗射频(RF)效能下,可将芯片尺寸缩小逾45%,联电表示,此技术将应用于手机、物联网和AR/VR,为加速5G世代铺路,且该制程已获得多项国际专利,准备投入量产。 联电表示,RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断增长,联电的RFSOI 3D IC解决方案,利用晶圆对晶圆的键合技术,并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题,将装置中
  • 关键字: 5G  联电  RFSOI  3D IC  

联电:3D IC解决方案已获得客户采用,预计今年量产

  • 近日,晶圆代工大厂联电举行法说会,公布2024年第一季财报,合并营收546.3亿元新台币,较2023年第四季549.6亿元新台币减少0.6%,较2023年第一季542.1亿元新台币成长0.8%。第一季毛利率达30.9%,归属母公司净利104.6亿元新台币。联电共同总经理王石表示,由于电脑领域需求回升,第一季晶圆出货量较2023年第四季成长4.5%。尽管产能利用率微幅下降至65%,成本控管及营运效率提升,仍维持相对稳健获利。电源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服务器矽中介层需求推动下,特殊制程占总营收
  • 关键字: 联电  3D IC  

如何减少光学器件的数据延迟

  • 光子学和电子学这两个曾经分离的领域似乎正在趋于融合。
  • 关键字: 3D-IC  

2026年,中国大陆IC晶圆产能将跃居全球第一

  • 根据Knometa Research的数据显示,2026年,中国大陆将超越韩国和中国台湾,成为IC晶圆产能的领先地区,而欧洲的份额将继续下降。中国大陆一直在领先优势的芯片制造能力上进行大量投资,并将从除美洲以外的所有其他地区获取市场份额。此外,KnometaResearch预计,2024年全球IC晶圆产能年增长率为4.5%,2025年和2026年增长率分别为8.2%和8.9%。截至2023年底,中国大陆在全球晶圆月产能中的份额为19.1%,落后韩国和中国台湾几个百分点。预计到2025年,中国大陆的产能份额
  • 关键字: IC  晶圆  半导体市场  

为何在RF设计中理解波反射非常重要?

  • 在低频下工作的普通电路与针对RF频率设计的电路之间的关键区别在于它们的电气尺寸。RF设计可采用多种波长的尺寸,导致电压和电流的大小和相位随元件的物理尺寸而变化。这为RF电路的设计和分析提供了一些基础的核心原理特性。基本概念和术语假设以任意负载端接传输线路(例如同轴电缆或微带线),并定义波量a和b,如图1所示。图1.以单端口负载端接匹配信号源的传输线路。这些波量是入射到该负载并从该负载反射的电压波的复振幅。我们现在可以使用这些量来定义电压反射系数Γ,它描述了反射波的复振幅与入射波复振幅的比值:反射系数也可以
  • 关键字: ADI  RF  波反射  

国家电网能源专家:为实现“双碳”目标,我国能源系统的发展方向

  • 2023年9月27日,在“2023北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会”期间,举办了一场关于双碳、可持续发展的研讨会——“集成电路下的绿水青山”。国家电网能源研究院原副院长、首席能源专家胡兆光教授分享了我国能源行业的发展现状与未来方向。
  • 关键字: 202403  双碳  IC WORLD  

罗德与施瓦茨与索尼半导体以色列(Sony)合作,达成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能验证的行业里程碑

  • 罗德与施瓦茨与索尼半导体以色列(Sony)合作,达成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能验证的行业首次里程碑。他们还成功验证了基于PCT的测试用例。两项工作都有助于NTN NB-IoT技术的市场就绪。在2024年巴塞罗那世界移动通信大会上,罗德与施瓦茨将在其展台上展示与Sony的Altair NTN Release 17 IoT设备一起进行NTN NB-IoT测试的实时演示。与Sony的合作中,罗德与施瓦茨成功验证了Sony的Altair设备的NTN NB-IoT功能。使用罗德与施瓦
  • 关键字: 罗德与施瓦茨  索尼  3GPP Rel. 17  NB-IoT  RF  

为什么仍然没有商用3D-IC?

  • 摩尔不仅有了一个良好的开端,但接下来的步骤要困难得多。
  • 关键字: 3D-IC  HBM  封装  

模拟: 对于采用双向自动检测IC TXB0104在电平转换端口传输中组态的分析

  • AbstractTXB0104是应用在AM3352(Sitara MCU/MPU等)和EMMC (嵌入式多媒体存储卡)芯片之间通信的双向自动检测电平转换芯片。当系统的软件资源配置不足,需要电平转换芯片自己识别信号传输方向的时候,需要注意外部硬件设计,不然可能会出现挂载时好时坏的失效情况。问题背景:EMMC与AM3352挂载失败,定位为TXB0104工作异常。实测中发现如图中线路所示:1.只有D0通道无信号,因为将D0数据线由主芯片(AM3352)侧飞线到EMMC,D0开始传输数据信号,eMMC挂载正常
  • 关键字: 自动检测  IC  TXB0104  电平  转换端口  

“白菜化”的有源相控阵雷达

  • 就在几个月之前,一则消息被各大媒体平台报道:2023年7月3日,为维护国家安全和利益,中国相关部门发布公告,决定自8月1日起,对镓和锗两种关键金属实行出口管制。至此有不少不关注该领域的读者突然意识到,不知道从什么时候开始,我国的镓和锗已经悄悄成为了世界最大的出口国。根据一份中国地质科学院矿产资源研究所2020年的一份报告显示,目前镓的世界总储量约 23 万吨,中国的镓金属储量居世界第一,约占世界总储量的 80%-85%,而我国的镓产量则是压倒性的占到了全球产量的90%到95%。而作为镓的化合物,砷化镓、氮
  • 关键字: 雷达  RF  氮化镓  相控阵  

Allegro MicroSystems推出双极输出Power-Thru IC,扩展隔离栅极驱动器产品组合

  • 美国新罕布什尔州曼彻斯特 -  运动控制和节能系统传感技术和功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems(纳斯达克股票代码:ALGM)(以下简称Allegro)宣布推出高压电源产品组合中的第二款产品。Allegro 的 AHV85111 隔离栅极驱动器 IC 增加了重要的安全功能,同时简化了电动汽车和清洁能源应用(包括 OBC/DC-DC、太阳能逆变器和数据中心电源)中大功率能源转换系统的设计。Allegro 副总裁兼
  • 关键字: Allegro  Power-Thru IC  隔离栅极驱动器  
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