本文深入探讨物联网电池技术，并提出设计人员可能面临的一些电源问题，以及ADI提供的解决方案。这些高效的解决方案可以协助克服物联网装置中的其他问题，包括尺寸、重量和温度。随着物联网装置越来越密集地应用于工业设备、家庭自动化和医疗应用中，透过减小外形尺寸、提高效率、改善电流消耗，或者加快充电时间（对于可携式物联网装置）来优化这些装置的电源管理的压力也越来越大。相关的要求是所有这些都必须以小尺寸实现，既不能影响散热，也不能干扰装置实现无线通信。 物联网装置的应用领域几乎没有止境，每天都会考虑新的装置和使用情况。
关键字：
IC 电源管理 物联网 ADI
IT之家 2 月 27 日消息，据台湾地区经济日报报道，半导体库存问题不仅 IC 设计厂商需要面对，下游 IC 渠道商为顾及长期合作关系，也常要与芯片原厂“共渡难关”。即便目前陆续传出部分芯片有小量急单需求，有 IC 渠道厂商坦言，目前库存去化速度还是比原本估计慢。IC 渠道厂商分析，市场目前的短单是否是昙花一现，通货膨胀、美联储加息状况、俄乌冲突以及国内是否会有报复性买盘需求等是观察重点。不具名的 IC 渠道厂商透露，目前库存去化状况不如预期，假设原本估计的库存去化速度是进 0.5 个月的货，
关键字：
IC 市场
小耳朵卫星天线,在于一些偏远地区常见,用于收看卫星电视节目,由于卫星电视的信号非常微弱，所以我们需要一个抛物面天线来聚焦信号，还需要一个高频头，也称为LNB或LNBF，通常LNB和馈源安装在天线的焦点上来收集信号。LNB又叫高频头(Low Noise Block)，即低噪声下变频器，其功能是将由馈源传送的卫星信号经过放大和下变频，把Ku或C波段信号变成L波段，经同轴电缆传送给卫星接收机,每只LNB只能用于某一波段，因为S、C和KU波段需要不同的波导管。也有一些类型是用于圆极化和线极化信号接收的，它们主要在
关键字：
Richtek 升压 LNB STB Power IC
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布，将与AMD合作展示面向5G有源天线系统（AAS）无线电的完整RF前端解决方案。全新RF前端与经实地验证的AMD Zynq® UltraScale+™ RFSoC数字前端OpenRAN无线电（O-RU）参考设计相搭配，包含RF开关、低噪声放大器，和前置驱动器，提供了一套完整的解决方案，以满足不断增长的移动网络基础设施市场需求。该参考平台将于2月27日至3月2日在西班牙巴塞罗那举行的世界移动通信大会AMD展台（2展厅，#2M61展位）进行展示。全新5G设计平
关键字：
瑞萨 AMD 5G有源天线 RF 数字前端
相控阵雷达和有源电子扫描阵列（AESA）已经在航空航天和国防市场中使用和部署了十多年。这一时期主要从模拟波束成形系统开始，并不断迁移到更高水平的数字波束成形。系统工程目标不断需要接近元素的数字波束成形实现，以实现的灵活性和可编程性。相控阵雷达和有源电子扫描阵列（AESA）已经在航空航天和国防市场中使用和部署了十多年。这一时期主要从模拟波束成形系统开始，并不断迁移到更高水平的数字波束成形。系统工程目标不断需要接近元素的数字波束成形实现，以实现的灵活性和可编程性。迁移到近元素数字波束成形存在许多挑战。挑战范围
关键字：
数字波束 RF
现代无线通信的迅猛发展日益朝着增大信息容量，提高信道的频谱利用率以及提高线性度的方向发展。一方面，人们广泛采用工作于甲乙类状态的大功率微波晶体管来提高传输功率和利用效率；另一方面，无源器件及有源器件的引入，多载波配置技术的采用等，都将导致输出信号的互调失真。现代无线通信的迅猛发展日益朝着增大信息容量，提高信道的频谱利用率以及提高线性度的方向发展。一方面，人们广泛采用工作于甲乙类状态的大功率微波晶体管来提高传输功率和利用效率；另一方面，无源器件及有源器件的引入，多载波配置技术的采用等，都将导致输出信号的互调
关键字：
RF 放大器
以存储芯片厂商为代表，包括美光、SK海力士等在内，均宣布将减少明年的资本支出，这些钱一般用于扩建扩产等，反映出行业的低迷。实际上，整个半导体行业的日子都不太好过。日前，统计机构IC Insights发布最新研报，预测明年全产业的资本支出将同比下滑19%，在1466亿美元左右。据悉，这是继2008~2009金融危机以来的最大降幅，当时的降幅一度高达40%。可做对比的是，半导体资本支出在过去今年迎来了高速增长，2021年增长35%达到1531亿美元，今年预计将增长19%达到1817亿美元，创下历史新高。
关键字：
半导体行业 市场 IC Insights
问题：什么是射频衰减器？如何为我的应用选择合适的RF衰减器？答案：衰减器是一种控制元件，主要功能是降低通过衰减器的信号强度。这种元件一般用于平衡信号链中的信号电平、扩展系统的动态范围、提供阻抗匹配，以及在终端应用设计中实施多种校准技术。 简介本文延续之前一系列短文，面向非射频工程师讲解射频技术。ADI将在文中探讨IC衰减器，并针对其类型、配置和规格提出一些见解，旨在帮助工程师更快了解各种IC产品，并为终端应用选择合适的产品。该系列的相关文章包括：“为应用选择合适的RF放大器指南”、“如何轻松选择
关键字：
RF 射频衰减器 ADI
EPC9176是一款基于氮化镓器件的逆变器参考设计，增强了电机驱动系统的性能、续航能力、精度和扭矩，同时简化设计。该逆变器尺寸极小，可集成到电机外壳中，从而实现最低的EMI、最高的功率密度和最轻盈。 宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9176。这是一款三相BLDC电机驱动逆变器，采用EPC23102 ePower™ 功率级GaN IC，内含栅极驱动器功能和两个具有5.2 mΩ典型导通电阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之间的输入电源电压下工作，可提供高达28 Apk(2
关键字：
GaN IC 电机驱动器
西门子数字化工业软件近日与半导体晶圆制造大厂联华电子 (UMC) 合作，面向联华电子的晶圆堆叠 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圆堆叠 (chip-on-wafer) 技术，提供新的多芯片 3D IC (三维集成电路) 规划、装配验证和寄生参数提取 (PEX) 工作流程。联电将同时向全球客户提供此项新流程。通过在单个封装组件中提供硅片或小芯片 (chiplet) 彼此堆叠的技术，客户可以在相同甚至更小的芯片面积上实现多个组件功能。相比于在 PCB
关键字：
西门子 联华电子 3D IC 混合键合流程
问题：什么是S参数？它有哪些主要类型？ 答案：S参数描述了RF网络的基本特征，其主要类型有小信号、大信号、脉冲、冷模式和混合模式S参数。 引言本文延续之前的一系列短文
关键字：
RF 散射参数 ADI
本文延续之前的一系列短文，旨在为非RF工程师讲解RF的奥秘。其中一些RF文章如下：“RF揭秘——了解波反射” ，探讨了波反射；“如何轻松选择正确的频率产生器件”，探讨了RF信号链中发挥作用的频率产生器件的主要类型。问题:什么是S参数？它有哪些主要类型？答案:S参数描述了RF网络的基本特征，其主要类型有小信号、大信号、脉冲、冷模式和混合模式S参数。引言本文延续之前的一系列短文，旨在为非RF工程师讲解RF的奥秘。其中一些RF文章如下：“RF揭秘——了解波反射” ，探讨了波反射；“如何轻松选择正确的频率产生器件
关键字：
ADI RF
如今的射频 (RF) 系统变得越来越复杂。高度的复
杂性要求所有系统指标（例如严格的链接和噪声预算）
达到最佳性能。确保整个信号链的正确设计至关重要。
而信号链中，有一个部分经常会被忽视，那就是直流电
源。它在系统中占据着重要地位，但也会带来负面影
响。RF 系统的一个重要度量是相位噪声，根据所选的
电源解决方案，这个指标可能降低。本文研究电源设计
对 RF 放大器相位噪声的影响。我们的测试数据证明，
选择合适的电源模块可以使相位噪声改善 10 dB，这是
优化 RF 信号链性能的关键。
关键字：
202207 电源 ADI RF 相位噪声
· 西门子先进的混合信号仿真平台可加速混合信号验证，助力提升生产效率多达10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先进的数字验证方法学，适用于当今前沿的混合信号设计 西门子数字化工业软件近日推出 Symphony™ Pro 平台，基于原有的 Symphony 混合信号验证能力，进一步扩展功能，以全面、直观的可视化调试集成环境支持新的Accellera 标准化验证方法学，使得生产效率比传统解决方案提升
关键字：
西门子 混合信号 IC 验证
受访人：亚德诺半导体 大规模数据中心、企业服务器和5G电信基站、电动汽车充电站、新能源等基础设施的广泛部署使得功耗快速增长，因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。近年来，以氮化镓(GaN)和碳化硅（SiC）晶体管为代表的第三代功率器件已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。新型和未来的SiC/GaN功率开关将会给方方面面带来巨大进步，其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧凑、更具成本效益的功率应用。好马
关键字：
202207 ADI 第三代半导体 IC 功率器件
rf-ic介绍
您好，目前还没有人创建词条rf-ic!
欢迎您创建该词条，阐述对rf-ic的理解，并与今后在此搜索rf-ic的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473