受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生电容（Ciss、Coss、Crss）和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器（PFC）等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗，MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）实现此类拓扑。本文中，我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点，包括更低的开关损耗、更佳
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MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
多年来，蓝牙技术作为汽车和驾驶员之间连接的纽带，在提高道路行驶安全性的同时不断丰富着驾乘体验，蓝牙免提通话和音频播放功能帮助司机在驾驶时减少分心并且更加安全地观察道路状况。
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RF MCU GFSK BLE NFC
作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国 Soitec 半导体公司于 7 月 22 日公布了 2021 财年第一季度（截止 2020 年 6 月 30 日）的业绩，合并收入为 1.336 亿欧元，与 2020 财年同期的 1.194 亿欧元相比下降 4.9%（按固定汇率和边界1计下降5.2%）。这主要归因于 +0.2% 的汇率增值带来的积极影响，以及 +0.1% 的范围效应，此范围效应与 2019 年 5 月收购 EpiGaN 相关。● 2021 财年第一季度收入达 14
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EBITDA RF
Wi-Fi和5G被认为是自动驾驶汽车的推动力，其挑战在于这些技术如何协同工作并共存——频谱干扰可能会对车辆的运行和乘客安全产生不利影响。本文讨论了支持车辆互联的技术，以及高选择性滤波器解决方案如何解决Wi-Fi与V2X间的共存，以实现车辆通信。
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V2X 频谱 RF 滤波器 BAW 202008
无线技术在过去的20年里快速从3G发展到4G，现在已到了5G的时代。有一个技术问题一直贯穿这一发展的过程，即高频器件的自动校准测试。
RF ATE和现场测试系统面临的最困难的挑战是校准、可重复性和测试结果的关联度。未来的无线技术的发展需要5G NR器件。Teledyne e2v的四通道多输入端口ADC利用非并行片上高频交叉点开关输入电路技术，使用户可在RF ATE和/或现场测试环境中使用自动校准和测量技术。
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RF 5G LNA CPS ADC CPS
西门子近期签署协议收购总部位于美国加利福尼亚州的Avatar Integrated Systems公司（Avatar）。Avatar是一家专注于为集成电路 (IC) 设计提供布局布线 (place and route) 软件的领先开发商，能够帮助工程师以更少的资源优化复杂芯片的功耗、性能和尺寸 (PPA)。西门子计划将Avatar的技术添加到 Xcelerator 解决方案组合中，作为 Mentor IC 软件套件的一部分，以适应不断增长的布局布线细分市场。Avatar 将与 Mentor包括 Calib
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PPA IC
英飞凌科技股份公司近日推出新型感测和平衡IC（ TLE9012AQU ），进一步壮大其面向 电池管理系统 的产品阵营。该器件专门针对 混合动力汽车和电动汽车 的电池而设计，但也适用于其他应用。它可以测量最多12个电池单元的电压，并且在使用寿命期间，这款器件能够在整个工作温度范围和电压范围内实现高达± 5.8 mV的测量精度。不仅如此，它还可以支持最多5个外接温度传感器，提供集成式电池单元平衡功能，并使用iso-UART接口进行通信。电池
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BMS IC
根据联合国的研究，建筑和施工业 占2018年全球能源消耗的36％ ，产生了令人担忧的碳足迹，而且这一能耗百分比还在持续增长。这些数据为我们敲响了警钟。因此，如何解决这一问题迫在眉睫。工业设计工程师希望提高楼宇的能源效率，以降低公用事业成本并减少碳足迹。为真正提高效率，设计师必须同时关注新建筑和现有楼宇，扩建以及运营和维护带来的持续上涨的成本。与物联网（IoT）相关的技术在提高能效方面起着至关重要的作用。传感器可根据其感测的环境条件自动关闭灯、暖气或任何其他耗电系统。与物联网相关的器件是
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IC
横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)，于日前宣布签署两项并购协议，收购超宽带技术专业设计公司BeSpoon的全部股本和Riot Micro公司的蜂窝物联网连接资产。在两项交易走完正常监管审批手续成交后，意法半导体将进一步提升其在无线连接技术方面的服务，特别是完善STM32微控制器和安全微控制器的产品规划。BeSpoon公司位于法国Le Bourget du Lac，成立于2010年，是一家无晶圆厂半导体设计公司，专门研究超宽带(UWB)通
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IC UWB BLE
作为一家设计和生产创新性半导体材料的技术领导企业，来自于法国的Soitec以提供高性能超薄半导体晶圆衬底材料来助力整个信息产业的创新，通过不断革新更优化的制造材料，确保半导体芯片能够以更高性能和更好的稳定性提供服务。特别是伴随着5G技术的不断推进，基于RF-SOI的衬底在确保5G智能手机用芯片的性能方面起到了至关重要的作用，可以说Soitec的技术是促进5G智能手机快速普及的幕后英雄之一。 当然，“幕后英雄”也因为其先进的技术获得企业的飞速发展，Soitec全球战略执行副总裁Thomas PILISZCZ
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Soitec RF-SOI FD-SOI
随着物联网的普及和发展，Wi-Fi等通信功能配置在不断普及,为了保证通信功能的正常进行，各种家电包括白色家电、黑色家电在内，都要始终处于通电状态，这种状态无疑增加了家电类产品的待机功耗。另一方面，家电产品的显示器正在进行大型化、高性能化和多功能化的发展，它的显示部分越来越复杂，所以需要搭配高性能的微控制器(MCU)，这一方面增加了工作功耗，使待机功耗、工作功耗都在不断的增加；另一方面，随着绿色可持续化发展的需要，要求家电产品要不断降低待机功耗和工作功耗。传统上，会从AC/DC、DC/DC电源部分来考虑（如
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IC MCU Wi-Fi
宽禁带 材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设计人员在仿真中实现其应用性能，缩短昂贵的测试周期。我们的预测性离散建模可以进行系统级仿真
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IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
针对电力公司应用的创新不止局限于监测消耗电网能源的硬件设备，现在还可提供分析功能，旨在了解以前无法在现场跟踪的电表精度。我们与Helen Electricity Network（芬兰赫尔辛基的配电系统运营商）和Aidon（北欧地区知名的智能电网、智能电表技术和服务提供商）合作，运用ADI公司先进的终端-云电表分析解决方案（采用mSure®技术）Energy Analytics Studio进行了现场试验。该解决方案可监控部署电表使用寿命内的精度，并检测多种窃电类型。电表精度监测尤其与芬兰市场关系密切，这也
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IC AMI
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向车载应用推出恒流2相步进电机驱动IC“TB9120AFTG”。新款IC仅使用一个简单的时钟输入接口就能输出正弦波电流，无需功能先进的MCU或专用软件。TB9120AFTG的开发是为了接替东芝于2019年推出的首款车载步进电机驱动IC“TB9120FTG”，它能提供更加优异的抗噪声性能。TB9120AFTG采用带低导通电阻（上桥臂＋下桥臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可实现的最大电流为1.5A[1]。DMOS FET和产生微步正弦波（最高可
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IC QFN MOSFET
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations 近日宣布 InnoSwitch™3-AQ 已经开始量产,这是一款已通过AEC-Q100认证的反激式开关IC,并且集成了750 V MOSFET和次级侧检测功能。新获得认证的器件系列适用于电动汽车应用,如牵引逆变器、OBC(车载充电机)、EMS(能源管理DC/DC母线变换器)和BMS(电池管理系统)。 InnoSwitch3-AQ 采用Power Integrations的高速Flux
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OBC BMS EMS MOSFET IC
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