三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期,V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出,三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)实现目标,且可能是关键。目前,三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器,而据业内消息,三星计划于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆叠技术,堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000
TB的存储容量里程碑,为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是,KAIST的
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三星 1000层 NAND
· 作为业界最高性能产品,将于今年第3季度开始量产并搭载于端侧AI手机· 与前一代产品相比,长期使用所导致的性能下降方面实现大幅改善,其使用寿命也提升40%· “继HBM后,也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场”2024年5月9日,SK海力士宣布,公司开发出用于端侧(On-Device)AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**(Zoned UFS)4.0”。SK海力士表示:“ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品,其产品实现业界最高
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SK海力士 AI 存储 NAND
据TrendForce集邦咨询最新预估,第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%,全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小,约10%。403地震发生前,TrendForce集邦咨询原先预估,第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%;NAND
Flash为13~18%,相较第一季涨幅明显收敛,当时从合约价先行指标的现货价格就可看出,现货价已出现连续走弱,上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因,主要是除了AI以外的终端需求不振,尤其笔电、智能手机
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DRAM NAND Flash TrendForce
5月6日消息,供应链爆料称,SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价,涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法,海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调,目前已累计上涨约60%-100%不等,下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价,三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示,三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元,环比增长11%,同比暴涨96%,在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示,一季度存储市场总体需求强劲,特别是生
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SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上涨
Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,美光232层QLC NAND现已量产,并在部分 Crucial 英睿达固态硬盘(SSD)中出货。与此同时,美光 2500 NVMeTM SSD 也已面向企业级存储客户量产,并向 PC OEM 厂商出样。这些进展彰显了美光在 NAND 技术领域的长期领导地位。美光 232 层 QLC NAND 可为移动
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美光 QLC NAND
近日,存储厂商群联公布了2024年3月份营运结果,合并营收为新台币67.75亿元,年成长达73%,刷新历史单月营收新高纪录。全年度营收累计至3月份达新台币165.26亿元,年成长达64%,为历史同期次高。群联表示,2024年3月份SSD控制芯片总累计总出货量年成长达96%,其中PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达176%,刷新历史单月新高。此外,全年度累计至3月份之整体NAND闪存位元数总出货量的年成长率(Bit Growth Rate)也达80%,刷新历史同期新高,显示整体市场需求持续缓步回升趋势不
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群联 SSD固态硬盘 NAND Flash
据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
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NAND Flash 存储芯片 铠侠
据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨询
TrendForce集邦咨询表示,除了铠侠(Kioxia)和西部数据(WDC)自今年第一季起提升产能利用率外,其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND
Flash采购量较第一季小幅下滑,但整体市场氛围持续受供应商库存降低,以及减产效应影响,预估第二季NAND
Flash合约价将强势上涨约13~18%。eMMC方面,中国智能手机品牌为此波eMMC最大需求来源,由于部分供应商已降低供应此类别产品,中国模组厂出货大幅提升。买方为了满足生产需求开始扩大采用模组厂方案,助益中国模组厂技术进一步升级及
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TrendForce NAND Flash Enterprise SSD
数字化时代的高速发展要求推动未来技术创新的数据存储也持续迭代革新。为满足用户对于高性能、高可靠性、更大容量及更低成本的多样化存储需求,西部数据公司近日宣布推出搭载下一代高性能QLC(四级单元)的西部数据™ PC SN5000S NVMe™ SSD,从而为 PC OEM 厂商提供创新的PCIe Gen4x4 存储解决方案,帮助用户轻松应对繁重的工作负载。据IDC[i]预测,到2026年,有超过50%的商用SSD将采用QLC NAND闪存。基于此,深受市场信赖的高端存储品牌西部数据推出了此次强大的存储解决方案
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西部数据 商用SSD QLC
月5日,西部数据宣布,在NAND Flash业务拆分后,将保留原名,专注经营核心HDD业务,并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。与此同时,将为即将分拆的闪存和传统硬盘业务任命CEO。西部数据称,现任西部数据全球运营执行副总裁 Irving Tan 将出任剩下的独立 HDD公司的CEO,继续以西部数据的身份运营。现任CEO David Goeckeler则受命转往NAND Flash部门成立的新公司,出任新公司执行长。图片来源:西部数据西部数据与铠侠合并进展如何?据悉,自2021年以来,西部数据及
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闪存芯片 NAND Flash 西部数据
IT之家 3 月 6 日消息,集邦咨询近日发布市场研究报告,表示 2023 年第 4 季度 NAND 闪存产值 114.9 亿美元,环比增长 24.5%,2024 年第 1 季度 NAND 产值将继续保持上涨,预估环比会继续增长两成。三星第四季营收以三星(Samsung)增长幅度最高,主要是服务器、笔记本电脑与智能手机需求均大幅增长。三星该季度出货量环比增加 35%,平均销售价格环比增加 12%,带动营收上升至 42 亿美元,环比增加 44.8%。SK 集团SK 集团(SK Group)受惠于价
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NAND 闪存 存储 市场分析
2月1日消息,存储一哥三星2023年的日子不太好过,全年利润暴跌84.9%,确实没办法,不过他们保持乐观态度。2023年IT市场整体低迷,尤其是存储芯片价格暴跌的背景下,三星全年营收为258.94万亿韩元,同比减少14.3%;营业利润为6.57万亿韩元,同比下滑84.9%。按照三星的说法,2024年上半年业绩会回暖,其中以存储产品价格回暖最为明显,相关SSD等产品涨价不会停止,只会更猛烈。NAND芯片价格止跌回升后,目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到损益两平点有一段差距。国内重量级NAN
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存储 三星 镁光 海力士 NAND
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