- 根据市场研究公司IHS iSuppli 的调查报告，全球 NAND 快闪记忆体市场在2012年第四季展现创新记录的营收成长──大幅上扬17%，达到了56.34亿美元的营收，结束先前连续五年第四季营收平均下滑6%的记录。
2012年全年 NAND 快闪记忆体销售额达到了202.11亿美元。其中，三星与东芝仍是 NAND快记忆体的最大供应商，两家公司总共就占掉 NAND 市场三分之二的市占率。此外，美光、海力士与英特尔也是其他几家主要的 NAND 快闪记忆体供应商。
三星在2012年第四季的
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美光 NAND
- 据IHS iSuppli公司的闪存市场简报，2012年第四季度NAND闪存产业营业收入创出最高纪录，结束了之前连续五个第四季度的下滑局面。
2012年第四季度NAND产业的营业收入为56亿美元，比第三季度的48亿美元劲增17%。从两个方面来看，这种环比增长具有重要意义：一是结束了最近第四季度营业收入均呈现下滑的趋势，二是创出了产业历史上的最高营业收入记录。
三星电子占总体营业收入的三分之一以上，名列前茅。NAND闪存产业由少数几家厂商严密控制。2012年NAND闪存营业收入为202亿美元，
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NAND 闪存
- 2012年半导体产业营业收入为3030.0亿美元，相比2011年的3102.1亿美元有所降低。预计2013年全球半导体产业营业收入增长6.4%，达到3223.0亿美元。在经历了极其艰难的2012年之后，预计今年半导体产业将温和增长，智能终端、电视与计算等关键消费电子产品成为推动芯片营业收入与需求增长的主要动力。
智能终端
2012年半导体产业营业收入的下降，缘于消费者在电子产品上面的支出不振，尤其是电脑采购将近占到半导体产业营业收入与硅片需求的60%，但是2012年电脑产品的采购量低迷。令
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DRAM NAND
- 全球半导体领域在的宏观经济条件不佳下渡过了艰辛的2012年，近期在美国经济成长逐渐获得改善之际，领域在末季看似有了复苏迹象。 虽然12月份全球半导体销售量成功创下久违的连续两个月增长，但依然不足以抵销市场分析员对国内半导体领域的消极看法。
考虑到在全球经济不明朗，对电子产品需求量带来打击下，市场分析员依然谨慎看待我国今年的半导体领域，特别是受大选情绪影响的上半年，而最低薪金制度也相信将进一步箝制国内业者的业绩表现。无论如何，在预计下半年经济大环境获得改善的情况下，国内半导体业者或将随着趋势上演反
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半导体设备 NAND
- 闪存密度越来越高带来的是更大容量的设备，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得减少闪存芯片的面积不可。镁光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND闪存芯片，采用20纳米制程，TLC闪存技术，裸片面积只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。
TLC闪存每单元存储3bit数据，它更高的密度的代价是相对较低的写入速度和较差的耐久力，目前只有三星840系列固态硬盘使用这种技术。
不过镁光也并没有将其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只会用于可移动存储市场，例如SD和USB闪存驱动
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镁光 NAND
- 根据信息与数据分析公司IHS iSuppli发布的最新数据报告，虽然苹果公司对闪存(NAND)需求旺盛，但由于超级本销售仍然低迷，使得全球闪速存储器市场收益下降了7个百分。去年，闪存(NAND)产业收益由2011年的212亿美元下跌至2012年的197亿美元。不过，经过去年的低迷期，今年收益将有所增长，达到224亿美元，并在接下来的几年内持续增长。
具体可参见下表。
“闪 存具备高密度内存，大容量传输的性能。在2012年，苹果iPhone是NAND的
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闪存 NAND
- 据IHS iSuppli Data的闪存市场追踪报告，2012年苹果iPhone是推动NAND闪存消费的最大因素。由于超级本未能实现腾飞，2012年NAND闪存营业收入萎缩。
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苹果 闪存 NAND
- NAND Flash内存设备的读写控制设计,引言
NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Flash因为具有非易失性及可擦除性，在数码相机、手机、个人数字助理( PDA)、掌上电脑、MP3播放器等手持设备中得到广泛的应用。NAND Flash
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控制 设计 读写 设备 Flash 内存 NAND
- 基于ARM11的Linux NAND FLASH模拟U盘挂载分析,０ 引 言
现阶段嵌入式产品作为Ｕ 盘挂载到ＰＣ机上在各类电子产品中被越来越多的应用，Ｌｉｎｕｘ操作系统在电子产品中的应用也越来越广泛，但是Ｌｉｎｕｘ中模拟Ｕ盘挂载到ＰＣ机中，与ＰＣ机上通用Ｗｉｎｄｏ
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模拟 分析 FLASH NAND ARM11 Linux 基于
- 日本媒体报导，全球第2大NAND型快闪记忆体(FlashMemory)厂商东芝(Toshiba)于21日宣布，因半导体需求回温，故旗下日本半导体工厂将于今年年末的元旦假期期间加班赶工。东芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半导体工厂今年将不停工持续进行生产;大分工厂今年元旦假期期间的停工天数则将自去年的6天减半至3天。
东芝姬路半导体工厂主要生产马达/PC用电源控制晶片、大分工厂主要生产影像感测器及系统整合晶片(SystemLSI)。
东芝于10月31日将今年度(2012年4月-2013年
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Toshiba FlashMemory NAND
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市调机构集邦科技旗下研究部门DRAMeXchange调查，虽然系统产品年底销售旺季备货高峰期已过，然在NAND Flash原厂持续对于零售市场减量供货的情况下，12月上旬NAND Flash合约价较11月下旬仅小跌1-2%，预估缓跌走势将持续至明年1月份。
集邦表示，SK海力士在12月11日遇到产线短暂跳电，但相关NAND Flash的营运没有受到影响，现货价格虽因此有微幅上涨，但整体需求偏弱格局不变。市场面观察，智慧型手机与平板电脑厂商圣诞假期铺货高峰大多落在11月底与12月初
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SK NAND Flash 手机
- 三星840系列固态硬盘开启了一个新时代，TLC NAND闪存首次用于消费级产品。关于这种闪存的原理、架构技术，以及三星840的性能、可靠性，我们都已经做了比较深入的介绍，今天再来看看TLC闪存本身的寿命问题。
遗憾的是，没有任何厂商公开谈论过TLC闪存的可靠程度，只能猜测编程/擦写循环(P/E)次数大概是1000-1500次(20/25nm MLC大约是3000次)，而且三星不像Intel那样会告诉你具体的闪存写入量，再加上写入放大的缘故，根本无从得知写入了多少数据。
不过还是有个变通方法
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三星 闪存 TLC NAND
- 赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票代码：CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性静态随机访问存储器 (nvSRAM) 系列，其中包括具备同步 NAND 闪存接口的器件。该系列是业界首款可直接与开放式 NAND 闪存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 总线控制器相连接的非易失性 SRAM 存储器。
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赛普拉斯 NAND SRAM
- 在nand flash上实现JFFS2根文件文件系统,JFFS2是Flash上应用最广的一个日志结构文件系统。它提供的垃圾回收机制，不需要马上对擦写越界的块进行擦写，而只需要将其设置一个标志，标明为脏块，当可用的块数不足时，垃圾回收机制才开始回收这些节点。同时，由
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文件文件 系统 JFFS2 实现 flash nand
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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