5月13日消息，据国外媒体报道，全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称，它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。
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三星 NAND
2011年全球NAND Flash中，全球三星电子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市场龙头，市占率高达36.2%，紧追在后的是东芝(Toshiba)，市占率达35.1%，两者合计掌握70%以上NAND Flash市场;根据市调机构TrendForce最新统计，2011年第1季NAND Flash品牌供应商的位元出货量为13%，营收成长9.9%，达53.63亿美元。
2011年第1季全球NAND Flash市场变化相当多，最大影响当属日本311东北强震，对
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三星电子 NAND
据了解，由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。
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三星 NAND Flash
由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。
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三星 NAND 移动设备
由于智能型手机等行动装置应用驱动NANDFlash需求成长，加上日本强震造成东芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供货锐减50%，美光(Micron)看好NANDFlash产业将持续供不应求，除与英特尔(Intel)合资新加坡厂取得多数股权和产能，未来不排除再扩大NAND Flash产能，可行方案包括释出代工权给华亚科生产，或是启动新加坡二厂。美光指出，未来NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。
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美光 NAND
据韩国媒体报道，内存调研公司集邦科技发布最新研究数据，今年四月上旬NAND闪存芯片价格创下了7个月以来的新高水平，一定程度上反映了继上月日本地震海啸灾害中断相关供应链后芯片价格的总体情况。
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闪存 NAND
东芝宣布其开发出了“全球首款”(该公司)采用19nm工艺的64Gbit NAND型闪存。将从2011年4月底开始样品供货，2011年第三季度(2011年7～9月)开始量产。此次开发的64Gbit NAND芯片是2bit/单元产品，还计划推出3bit/单元产品和1bit/单元产品。不过，这些产品的上市时间目前“尚未确定”(东芝)。
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东芝 NAND
NAND Flash嵌入式存储系统结构分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作为存储芯片，设计了一种在NFTL上实现坏块管理并且实现连续数据读取的方法。
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结构 分析 系统 存储 Flash 嵌入式 NAND
上周，Intel和镁光发表联合声明，正式推出采用20nm制程技术制造的NAND闪存芯片产品，并称这款产品将于年内在IMFT属下的工厂开始生产。不过两家的头名板凳还没有坐热，本周Sandisk和东芝组成的搭档组合便重新夺回了NAND闪存制程技术的宝座，他们宣称已经制造出了采用19nm制程技术的NAND闪存芯片，目前这两家公司在日本设有一家合资芯片制造公司。
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东芝 NAND
据国外媒体报道，据台湾集邦科技 (dramexchange technology inc)周一发表的行业数据显示，NAND闪存芯片价格在4月份的上半个月创7个月的新高，反应了在上个月日本发生严重的地震中断了供应链之后其它存储芯片价格的情况。
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NAND 闪存芯片
据华尔街日报(WSJ)报导指出，由英特尔(Intel)和美光(Micron)出资各半成立的快闪存储器合资公司IM Flash，日前领先业界率先推出最新20纳米制程快闪存储器，这也使得智能型手机和平板计算机里的储存装置可以进一步缩小。
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Micron NAND
英特尔(Intel)和美光(Micron)在2005年底携手抢进NAND Flash领域且成立合资公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，传出5年合约已届期满，将于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光独自启动新加坡厂IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的装机和投资，英特尔并未表态加入，引发外界对双方合作关系，以及英特尔是否持续投资NAND Flash领域的质疑，预计双方将对外宣布最新的合作动态。
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英特尔 NAND
Intel与镁光公司本周四将对NAND业务合作事宜作重要宣布，不过两家公司并没有透露这次宣布的详细内容是什么。据Web-Feet Research市调公司的CEO Alan Niebel分析：“我认为他们这次可能会宣布终止双方的合资公司IMFT在新加坡设立的闪存芯片厂项目上的合作。这间工厂目前正计划开始投产25nm制 程NAND闪存芯片，并随后转向20nm制程技术。”
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Intel NAND
2001年海力士(Hynix)受景气波及，遭债权银行团接手并进行债务重整，时隔10年，海力士已成为全球第2大计算机内存芯片供货商。即使如此，海力士仍背负5.9兆韩元(约54.46亿美元)债务，该公司现任执行长权五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times访问时，目前海力士首要目标是尽力还款，并同时确保有足够资金扩产以及研发新技术。
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海力士 内存芯片 NAND
摘要：先对ONFI标准进行了介绍，然后再设计了一种支持ONFI2．1标准源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括状态机的设计，接口的设计等。对设计中遇到的源同步模式下，信号的对齐问题进行了说明，并提出了一种解决方
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Flash 控制器 设计 NAND 模式 ONFI 同步 支持
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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