- iSuppli今天警告称闪存价格可能崩溃性地调整到1美元/GB，这是因为用于闪存产品的NAND记忆体价格今年开始冲高回落，并且技术的演变让内存单元的价位开始雪崩。
由于下降的价格，目前看上去过于昂贵的SSD将在两年时间内开始成为主流，而成本低得多的硬盘处理器则开始在高端市场被SSD挤占。
此外，快闪记忆体价格的总体下降对于各种手持设备是一个极大的利好消息，各种手机、智能本厂商将会带来更加丰厚的利润空间，乃至最后降低产品售价。
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NAND SSD
- 英特尔和美光当地时间周二公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间，还能增加消费电子产品的存储容量。
新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息，存储容量高达64G位(相当于8GB)。英特尔和美光称这是它们迄今为止尺寸最小的NAND闪存芯片。
两家公司称，使用NAND闪存的数码相机和便携式媒体播放器等产品的尺寸越来越小。新型芯片还有助于降低制造成本。
两家公司已经向客户发送样品，预计将于今年底投入量产。新型NAND闪存芯片将采用 25纳米工艺生产。与每单
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英特尔 NAND 闪存芯片
- 2010年NAND Flash产业真是十分惨淡的1年，好不容易熬到第3季传统旺季，8月初合约价却还是跌不停，存储器业者表示，苹果(Apple)、诺基亚 (Nokida)等大厂需求仍十分强劲，但零售市场买气不振，模块厂拿货意愿不高，把平均合约价给拉下来，其中，三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)主要供应苹果，走货较顺畅，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特尔(Intel)等传出库存水位较高，但又不愿降价，与模块厂陷入僵局。
近期大陆因为亚运因素，
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Apple NAND Flash
- 韩国海力士声称，在其M11的300毫米生产线上开始利用20纳米技术进行64Gb的NAND闪存量产。
该公司在2月时曾报道拟进行20纳米级的64Gb的NAND生产，采用现有的32Gb产品进行叠层封装完成。
海力士称它的芯片是26nm的一种，有人称20nm级产品。三星是27nm的NAND闪存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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海力士 20纳米 NAND
- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，今年第二季营收在DRAM合约价格稳定上扬及产出持续增加下，全球DRAM产业第二季营收数字达107亿美元(10.70 Billion USD)，较首季的93亿美元(9.29 Billion USD)，成长约15%。在 NAND Flash 部分，品牌厂商第二季整体营收为47亿7,600万美元，较首季43亿6,300万美元成长约9.5%。
三星第二季营收仍居全球DRAM厂之冠
从市场面观察，由于第二季 DRAM 合
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DRAM NAND
- 南韩内存厂商Hynix公司日前宣布已开始量产20nm制程级别64Gb NAND闪存芯片，这款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工厂生产的。Hynix公司表示，升级为2xnm制程节点后，芯片的生产率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手机，SSD 硬盘等的NAND闪存容量则将大有增长。
Hynix Cheong-ju M11工厂
Hynix公司称首款基于2xnm制程的NAND闪存芯片产品将于今年年底上市销售。Hynix公司虽然不是I
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Hynix NAND 20nm
- 摘要：U-Boot不能从NAND Flash启动给应用带来些不便，因此修改U-Boot使其支持从NAND Flash启动。分析了U-Boot启动流程的两个阶段及实现从NAND Flash启动的原理和思路，并根据NAND Flash的物理结构和存储特点，增加U-
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实现 启动 Flash NAND U-Boot
- 日本半导体厂2010年度第1季(4~6月)财报表现明暗两极。东芝(Toshiba)、尔必达(Elpida)拜内存事业表现亮眼之赐，获利从谷底攀升;瑞萨电子(RenesasElectronics)则因系统芯片事业拖累，该季仍难挥别亏损阴霾。
东芝半导体事业的营业利益皆为NANDFlash所挹注。副社长村冈富美雄表示，受惠于苹果(Apple)iPhone等智能型手机需求带动，加上 NANDFlash均价跌幅趋缓，东芝半导体事业表现远超过预期。小幅亏损的系统芯片事业亦因NANDFlash的丰沛获利得以
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东芝 NAND
- VLSI提高IC预测，但是该公司看到虽然很多产品供不应求，但是有一种可能DRAM市场再次下跌。
同时由于经济大环境可能对于产业的影响，目前对于产业抱谨慎的乐观，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同样的看法。
VLSI在它的最新看法中发现各种数据是交叉的，按VLSI的最新预测，2010年IC市场可能增长30%，但是2011年仅增长3.7%。而2010年半导体设备增长96%。
而在之前的预测中认为2010年全球IC市场增长28.1%，其它预测尚未改变。
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芯片制造 NAND
- 无疑2009年对于闪存市场是可怕之年。
要感谢产业的很快复苏，预测2010年全球闪存市场已经很热，然而按Web-Feet Research报告，其供应链部分却遭受困境。
按Web-Feet刚公布的全球闪存的季度报告，NOR及NAND市场都很热。NOR市场由2009年的47亿美元，上升到2010年的57亿美元。而NAND市场与2009年相比增长33.4%，达215亿美元。
这是好的消息而坏消息在供应链中也开始传了出来。
Apple及其它OEM釆购大量的闪存，使得市场中有些购买者采
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闪存 NAND NOR
- iPhone、iPad等苹果i家族产品的热销，正引发连锁反应。
7月28日，闪存企业SanDisk全球高级副总裁兼零售业务部总经理Shuki Nir在上海接受本报记者专访时表示，苹果产品的热销消耗了整个闪存芯片市场不少库存，目前行业正处于供不应求的局面。
受此拉动，闪存芯片巨头们普遍迎来了一个靓丽的财季。
近期陆续出炉的最新一季财报显示，在iPhone以及iPad的拉动下，闪存芯片近期需求及价格大幅上升，英特尔、三星、美光、海力士、东芝、SanDisk等闪存芯片主要提供商在当季的销售
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NAND 闪存芯片 iPhone
- 据国外媒体报道，三星电子周五发布了该公司2010年第二季度财报。财报显示，受芯片业务大幅增长的推动，公司第二季度净利润同比增长83%。
在截至6月30日的第二季度，三星电子净利润为4.28万亿韩元(约合36亿美元)。这一业绩好于上年同期，2009年第二季度，三星电子的净利润为2.33万亿韩元。三星电子第二季度运营利润为5万亿韩元(约合41亿美元)，创公司季度运营利润历史新高，同比增长87.5%。三星电子第二季度营收为37.9万亿韩元，较去年同期增长17%。三星电子本月初发布的初步财报显示，公司第
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三星电子 NAND 闪存芯片
- 未来半导体制造将越来越困难已是不争的事实。巴克莱的C J Muse认为如DRAM制造商正处于关键的成品率挑战阶段，在4x，3x节点时发现了许多问题。目前尽管EUV光刻己经基本就绪(或者还没有)，是黄金时刻，然后在芯片制造中其它的工艺技术的挑战也有很多，如两次图形曝光(在NAND，DRAM及logic中)，高k金属栅等。由此，在未来的2011-2012年，甚至更长一段时期内必须要加大投资强度。(Citigroup的Tim Arcuri建议要有五年时间，它是在牛/熊市小组座谈会上发表此看法) 。另一位会议
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半导体制造 DRAM NAND
- 三星电子(Samsung Electronics)宣布，2011年将开始量产较既有快闪存储器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年开始量产后，采用该产品的智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)中所储存的影片、照片、音乐等再生速度将更上一层楼。
三星近期已完成可支持400Mbps资料处理速度的Toggle DDR2.0规格NAND Flash开发作业，并计划于2011年投入量产。三星计划20奈米制程以下的NAND Flash产品将
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三星电子 NAND
- 三星和东芝公司已经宣布了一个合作计划，旨在制定新规范推动NAND快闪记忆体的传输速率，具体来说，两家公司致力于发展DDR 2.0 NAND型快闪记忆体和400MB/s的接口技术，这比目前版本的NAND闪存接口技术快了十倍，这项技术将于英特尔、镁光和SanDisk共同开发的ONFI接口进行直接竞争，主要面向高性能产品例如SSD以及智能手机和消费电子产品。
三星和东芝公司目前供应NAND快闪记忆体市场70%的货源，因此它们在行业内具有相当大的话语权，这对他们的新规范计划将非常有利。
三星上个月
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三星 NAND 30nm
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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