- 2010年1月农历春节前的补货行情落空，DRAM价格大跌，所幸NAND Flash价格比预期强势，存储器模块厂1月营收可望维持平稳，与2009年12月相较，呈现小涨或小跌的局面，整体第1季营收受到2月农历过年工作天数减少影响，而呈现下滑，但整体行情不看淡;模块厂认为，DDR3目前仍是缺货，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利润较高，另一方面DDR3短期会被DDR2价格带下来，但整体第1季DDR3供货仍相对吃紧。
存储器模块厂2009年交出丰厚的成绩单，创见、威刚都赚足1个股本，但2010年1月立
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DRAM NAND DDR3
- 韩联社(Yonhap)引述首尔大学说法指出，1组韩国工程师已改良手机用芯片技术，可大幅提升手机性能。
首尔大学表示，该团队研发的NOR芯片，可克服过去的诸多缺点。负责人表示，尽管NOR芯片能快速回溯资料，但却因为NOR芯片的容量上限仅有1GB，且更较耗能，而被NAND芯片击败。相较之下，NAND Flash可储存32GB的资料，占据更大优势。NAND芯片可用于MP3、摄影机和USB存储器等装置上。
一般的NOR芯片通常并不特别，不过首尔大学工程师所开发的芯片却有重要特点。该团队负责教授表示
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Samsung NAND NOR芯片
- 英特尔公司和美光科技计划下周公布闪存芯片的新进展。
两家公司有一个生产NAND闪存芯片的合资企业，这种芯片应用于手机，音乐播放器和其他驱动器上。
2009年，两家公司表示，它们正开发提高闪存芯片性能的技术，在芯片的存储单元上存储三位数据。大多数NAND芯片单元储存一位或两位数据。
这样，两家公司就能以更高的存储性能，更低的成本生产芯片。
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英特尔 NAND 闪存芯片
- NAND Flash市场未脱传统淡季，仍在等待苹果(Apple)补货效应出现，2010年1月下旬NAND Flash合约价大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅调涨，低容量芯片要严防3-bit-per-cell架构的TLC(Triple- Level Cell)成为市场的价格杀手，但高容量产品新增产能又相当有限，因此2010年NAND Flash价格发展持续两极化。
近期NAND Flash现货价和合约价都有止跌的迹象，1月下旬NAND Flash合约价持平开出，在高容量32Gb和64Gb
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Hynix NAND
- 全球第2大计算机存储器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季财报，随著全球个人计算机(PC)景气回温，海力士获利创下3年来新高。
2009年第4季海力士营收为2.8兆韩元(约24.7亿美元)，较第3季大幅成长32%，海力士营收成长主因为DRAM及NAND Flash存储器出货量成长，同时，DRAM平均售价也上扬，此外，第4季海力士净利为6,570亿韩元，更较第3季大幅成长167%。
和2009年第3季相较，2009年第4季海力士DRAM平均售价及出货量分别成长26%及12%，至于N
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Hynix DRAM NAND
- 业内人士日前透露,美国金士顿科技公司(Kingston Technology )预付了1亿美元给韩国海力士半导体公司以购买其2010年需要的内存和NAND闪存.
此外,该业内人士还表示,总部在台湾的威刚科技(a-data technology)正在寻求途径,增加其2010年的芯片供应商数量并且保证能通过预付款的方式获得足够多的芯片供应,而威刚所需要的内存此前主要来自韩国供应商.
内存模块制造商正在摆脱对三星电子的依赖,因为三星电子优先向PC和系统OEM厂商供货.
另外有消息称,海力士
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金士顿 内存 NAND
- 存储器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半导体业中经常分成两类，DRAM及闪存类。由于其两大特征，能大量生产以及应用市场面宽，使其半导体业中有独特的地位。业界有人称它为半导体业的风向标。
纵观DRAM发展的历史，几乎每8至10年一次大循环，最终一定有大型的存储器厂退出，表示循环的结束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的东芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇梦达最先退出。奇梦达的退出使市场少了10万片的月产能。
在全球硅片尺寸转移中，存储器也是走在前列，如
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存储器 DRAM NAND NOR SRAM
- 2010年存储器产业热度急速升温，许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂，纷积极募资抢钱，而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱，未来再以货源抵债，近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援，未来将以DRAM和NAND Flash货源偿还，形成鱼帮水、水帮鱼的上下游紧密合作关系。海力士可望以此笔金援将NAND Flash制程大量转进32奈米，全力从美光(Micron)手上抢回全球NAND Flash三哥宝座，并防止三星电子(Samsung Electronics)和东芝(
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存储器 DRAM NAND
- 三星近日公布了两款采用新制程技术的闪存产品。其中moviNAND闪存芯片产品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，单片封装的最大容量可达64GB，封装内部堆叠了16块超薄设计的4GB芯片，并集成了闪存控制器，而整个芯片封装的厚度仅不足0.06英寸。
64GB moviNAND
另外，三星还计划升级自己的microSDHC闪存卡产品。将三星microSDHC闪存卡的最高容量提升为32GB(内部由8片4GB芯片堆叠而成)，比目前的最高容量提升了一倍。于此同时，闪存卡的最
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三星 NAND
- 编者点评(莫大康 SEMI China顾问)：国际上有许多市场分析公司与机构，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。为什么它们的预测值不同，有时差异还不小。据编者的看法任何预测都有三类，即乐观、中等和悲观。另外，由于每个市场分析公司其数据来源及分析的范围各不同，所以数据不一样是正常的。那该如何来观察与判断呢?通常要找品牌，即有些公司的数据相对可靠(经验值)，如半导体数据是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而设备材
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IC NAND DRAM
- 镁光刚刚宣布了其34纳米NAND SSD产品线，一个原生6Gbps的SATA设备引起了广泛注意，镁光透露它将被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下发布。
这款SSD具体型号RealSSD C300，2.5寸外形设计，包含128和256GB两种型号，读取速度高达355MB/s,写入速度达215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。预计将面向北美、英国和欧洲大陆发布，128GB版售价大约450美元。
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镁光 34纳米 NAND SSD
- 日本东芝公司在NAND闪存制造领域的地位可谓举足轻重，其有关产品的产销量仅次于三星公司，目前东芝公司推出的SSD硬盘产品中采用了自己设计的 NAND闪存控制器，这种产品在OEM厂商中口碑甚好。去年第三季度，东芝已经开始量产32nm NAND闪存芯片，不过目前东芝所售出的SSD硬盘产品仍以43nm NAND型产品为主力，这样OEM厂商乃至终端客户便无法享受到32nm制程技术带来低成本实惠。
不过东芝近日宣布，他们将开始测试部分采用32nm NAND闪存芯片试制的SSD硬盘产品，并将于本季度推出
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东芝 32nm NAND 闪存制造
- 据iSuppli公司，经过2009年对膨胀的库存大幅削减 ，全球半导体供应商预计将在2010年第一季度维持低量库存，以期在不明朗的经济环境中能获益。
半导体供应商的库存天数(DOI)预计将在第一季度下降到68.3，比2009年第四季度的68.5低。由于第四季度的DOI已经比历史平均水平低了2.9%，第一季度的库存预计比这一标准还低6.9%。而第一季度的库存会维持在可满足要求的平衡水平上，库存将达到非常低的水平--甚至有几种具体设备会接近短缺的边缘。
图示为iSuppli
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半导体 NAND
- 据市场研究公司iSuppli的调查，全球半导体供应商预计将在第一季度保持轻库存，以便在不确定的经济形势下保持盈利。
第一季度末库存天数预计将减少至68.3天，上季度为68.5天。去年第四季度，库存天数已经少于历史平均水平2.9%，第一季度预计将较普通水平少6.9%。
iSuppli预测，由于库存量仍将保持在较低水平，某些特殊器件将面临短缺。
2010年，预计库存天数将稳定在近70天左右。紧缩的库存管理将帮助半导体产业获得两位数增长，增长幅度预计为15.4%，而2009年减少12.4%
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芯片 NAND
- 存储器模块大厂威刚2009年获利交出赚进1个股本的丰硕成绩单，董事长陈立白表示，2010年的DRAM产业多数时间将处于缺货的状态，只要价格维持平稳，预计对于模块产业绝对是好事，往年会是传统淡季的第2季，2010年将会见到淡季不淡，也不见五穷六绝;而NAND Flash产业价格则预计会起起伏伏，整体而言，DRAM表现会优于NAND Flash产业。
威刚2009年进行高层人士调整，延揽前三星电子(Samsung Electronics)存储器部门资深营销副总金一雄担任威刚总经理一职，与原有的总经理
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威刚 存储器 NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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