- 按Benchmark Euqity研究公司报道, 紧接着2009年未的迅速地复苏, 进入2010年时全球半导体业在数量上仍有15-20%的增长。
按Benchmark的分析师Gary Mobley的看法, 从2009年1月的谷底算起,全球芯片出货量己经增长大於75%。在相同的期间美国费城半导体指数也增长相近的量。
当大部分工业分析师都认为今年半导体市场有20%的增长时,Benchmark分析师相信今年非
常可能有22%-24%的增长。
其中某些芯片的库存包括存储器，部分模拟电路
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芯片 NAND 智能手机
- 嵌入式系统中Nand-Flash的原理及应用,当前各类嵌入式系统开发设计中，存储模块是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。Nor-flash存储器的容量较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常应用在程
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应用 原理 Nand-Flash 系统 嵌入式
- 市场研究机构Web-Feet Research公布2009年全球NAND闪存供货商排行榜，三星电子(Samsung Electronics)仍稳居市占率第一名位置，其后则是东芝(Toshiba)与SanDisk;SanDisk的表现意外亮眼，领先美光(Micron)、海力士(Hynix)与英特尔(Intel)。
在其它市场研究机构的排行榜中，SanDisk往往并未列名，因为在某些情况下该公司是与合作伙伴东芝视为一体。Web-Feet Research报告中列出了17家闪存制造商的出货成绩，东芝与
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三星电子 NAND
- 来自调研公司 iSuppli的统计显示，2009年半导体产业整体处于下滑状态，但总部在亚太地区的半导体供应商却实现了逆势上涨。
亚太区供应商专注热门产品
iSuppli调研结果显示，2009年总部位于亚太地区的半导体供应商合计营业收入实际增长2.3%，从2008年的435亿美元上升到445亿美元。相比之下，2009年全球半导体营业收入锐减11.7%，从2008年的2602亿美元降至2299亿美元。
“去年芯片产业形势黯淡，而亚太地区的供应商却设法实现了增长，因为他们专注于
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芯片 NAND
- 东芝公司今年计划耗资150亿日元(约合1.6亿美元)兴建一条试验生产线，生产小于25纳米制程的NAND闪存芯片。
目前东芝生产的NAND闪存是采用32与43纳米技术，主要应用于手机及数字相机等电子消费产品。为生产新的25纳米制程以下的芯片，需使用较短光波的极紫外光微影(EUV lithography)技术，因此，东芝也将进行相应的技术升级。目前，东芝已向荷兰半导体微影系统大厂ASML订购设备，预计在今年夏天试验投产。消息一经公布，东芝在股市中涨幅达3.5%，远远超过同类电气机器指数0.8%的涨幅
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东芝 NAND 闪存
- Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010财年第二季度的运营成果。对于2010财年的第二季度，该公司取得了可归属于其股东的3.65亿美元，合摊薄股每股0.39美元的净收入，其净销售额达近20亿美元。相比之下，2010财年第一季度的净收入为2.04亿美元，合摊薄股每股0.23美元，净销售额为17.4亿美元，并且2009财年第二季度的净亏损为7.63亿美元，合摊薄股每股0.99美元，净销售额为10亿美元。2010财年之前各个时期的金额及
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Micron NAND Flash
- 由于目前存储器供应短缺、供不应求，全球第2大存储器厂商海力士(Hynix)预期2010年的营收可望达到10年来的最高点。
目前DRAM市场正处于供不应求的状态。自2009年全球经济逐渐回温后，企业放宽支出，对个人计算机(PC)的需求也回升，光是2010年PC销量就可能较2009年增加10%，带动了DRAM的需求量上升。
另外，智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)及其它行动设备的市场规模日增，也让NAND Flash的需求量不断攀升。但相对于存储器芯片需求量节
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Hynix NAND 存储器芯片
- 据iSuppli公司，由于来自高密度应用的需求上升以及供应商的产量稳步增长，NAND闪存价格波动了两年之后，该市场已恢复稳定。
第一季度NAND平均价格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于这些相对温和的变化，2009年第一季度大涨34%。
NAND价格持续透明，导致2009年第四季度营业收入创出最高记录，使得多数NAND供应商对于2010年持有非常乐观的看法。在智能手机和microSD卡等高密度应用的推动下，市场对于NAND闪存的需求不断增长，也增强了厂商的信心。这种旺盛需
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闪存 NAND
- 三星电子(SamsungElectronics)表示，截至台北时间25日下午3时为止，南韩京畿省(Gyeonggi)器兴市(Giheung)半导体厂房跳电所造成的损失估计不到90亿韩圜(790万美元)。三星并表示，目前尚未找出跳电的原因。MeritzSecurities分析师LeeSun- tae指出，三星半导体厂房跳电造成的影响其实不大，主因多数面临冲击者为非内存生产线。
YonhapNews于南韩时间24日下午7时48分报导，三星电子器兴市半导体厂房24日突然跳电，其K2、K5厂区在当地时间
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三星电子 DRAM NAND
- 三星电子(Samsung Electronics)表示，截至台北时间25日下午3时为止，南韩京畿省(Gyeonggi)器兴市(Giheung)半导体厂房跳电所造成的损失估计不到90亿韩圜(790万美元)。三星并表示，目前尚未找出跳电的原因。 Meritz Securities分析师Lee Sun-tae指出，三星半导体厂房跳电造成的影响其实不大，主因多数面临冲击者为非内存生产线。
Yonhap News于南韩时间24日下午7时48分报导，三星电子器兴市半导体厂房24日突然跳电，其K2、K5厂区在
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三星电子 DRAM NAND
- 韩国三星电子公司近日表示本月24日下午，其设在Kiheung地区的一个NAND闪存生产基地遭遇了断电事故，不过据三星公司的发言人表示这次为期一小 时的断电并没有对其32Gb以及其它大容量NAND闪存芯片的生产造成显著影响。
据三星的通路合作伙伴透露，在这次停电事故中受到影响的工厂主要包括三星旗下两间12英寸厂Fab13和Fab14.其中Fab13主要负责为三星生产内存芯片，而Fab14则主要生产NAND闪存芯片。Fab13和Fab14的月产能大约分别是12万/13万片晶圆。
无独有偶，20
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三星电子 NAND 晶圆
- 东芝公司近日宣布他们将在日本三重县四日市现有的生产运营中心附近新建一座Fab5闪存芯片厂，这间芯片厂将于今年七月份开始动工。目前，东芝设在四日市的生产运营中心 已建有四间NAND闪存芯片厂。尽管2008年秋季爆发了全球经济危机，而NAND闪存芯片的市场需求也一度相当萎靡，但近期随着智能手机和其它应用型产 品的热销，闪存芯片的市场需求已经开始回暖，而且未来一段时间内还将保持增长趋势，因此东芝最终作出了开工建造Fab5芯片厂的决定。
按照东芝的计划，其Fab5工厂将于明年春季完工，而后期的投资力度和
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东芝 NAND 闪存芯片
- NAND Flash控制芯片市场曾吸引众多IC设计业者争相投入，随著快闪记忆卡市场饱和，以及固态硬碟(SSD)竞争对手环伺，过去拥有NAND Flash大厂作靠山便是票房保证的时代已不再，未来NAND Flash大厂对于控制芯片业者而言，恐怕不再是大树好乘凉，尤其包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)等大厂在走进SSD时代后，由于用在PC的零组件轻忽不得，遂纷收回控制芯片采购权，改采自家芯片，NAND Flash控制芯片产业势必将展开一波整合及淘汰赛。
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三星电子 NAND IC设计
- 日本最大的内存芯片厂商东芝将重启因经济衰退而搁置的产能扩展计划，它将从7月开始建设新的闪存生产厂。
东芝表示，新生产厂位于日本中部四日市，是公司第五条生产线，预计在2011年春季完建。东芝没有透露该生产厂的建设成本。
包括苹果iPhone在内的智能手机销售的增长，推动了NAND内存需求的增长。据市场调研公司 iSuppli预计，NAND闪存市场今年的总收入将增长34%达到181亿美元。
东芝发言人Hiroki Yamazaki称，虽然东芝尚未决定四日市芯片生产厂的投资规模，但是建立新
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东芝 内存芯片 NAND
- Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工艺 NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售，预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。
IMFT 25nm NAND闪存于今年初宣布投产，这也是该领域的制造工艺首次进军到30nm之下，并应用了沉浸式光刻技术。新闪存内核面积167平方毫米，每单位容量 2bit，总容量8GB，相比现有的34nm工艺闪存容量翻了一番，内核面积却小了十分之一。
Intel NA
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Intel NAND 25nm
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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