- 据iSuppli公司，作为多种消费电子产品的事实性存储媒介，NAND闪存2011年将再度实现两位数的增长。
2010年NAND闪存销售额创下最高纪录，增长38%。预计今年销售额将达到220亿美元，比2010年的187亿美元增长18%。而NAND闪存比特出货量增长幅度更大，预计2011年增长72%，达到193亿GB。
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三星电子 NAND
- 随着英特尔和美光科技之间的合资企业IM Flash技术公司关闭的可能性日益增大，英特尔与美光科技之间的关系似乎有些紧张。
这两家公司面临的困难是美光科技提出的有关英特尔对IM Flash新加坡公司做出的贡献的争议。美光科技首席执行官史蒂夫-阿普尔顿(Steven Appleton)指责英特尔没有为升级新加坡的这个工厂提供必要的资金。
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美光 Flash
- 12月31日消息，据国外媒体报道，随着英特尔和美光科技之间的合资企业IM Flash技术公司关闭的可能性日益增大，英特尔与美光科技之间的关系似乎有些紧张。
这两家公司面临的困难是美光科技提出的有关英特尔对IM Flash新加坡公司做出的贡献的争议。美光科技首席执行官史蒂夫·阿普尔顿(Steven Appleton)指责英特尔没有为升级新加坡的这个工厂提供必要的资金。
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美光科技 Flash
- 英特尔(Intel)跨足NAND Flash产业迈入第5年，但近期在策略上有诸多调整，引发存储器业界高度关注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡厂将于2011年投产，却不见英特尔投资身影，近期英特尔在亚太区NAND Flash操盘手、亦是嵌入式产品事业群暨微型移动装置事业群执行总监陈武宏闪电离职，更引发存储器业者一阵哗然，目前该职务由英特尔亚太区技术营销服务事业群执行总监黄逸松暂代，而相关模块厂对此表示，双方合作关系不会受影响。
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英特尔 NAND
- 集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange表示，在Android可望逐渐成熟，市场接受度提高，预期2011年平板计算机出货量由今年的1500万台大增至5000万台的规模，可说是平板计算机起飞年，将带动内建式NAND Flash应用，预估2011年平板计算机占整体NAND Flash的消耗量比重将从今年的5%提升至10%以上。
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平板计算机 NAND
- 亚洲最大半导体交易市场Dramexchange分析师西恩·杨15号(周三)表示，东芝旗下一家芯片工厂突发短时电力故障，以致NAND芯片出现停产。该分析师还表示，到2011年1月中旬之前，包括iPad在内等多款产品均在使用的这款NAND闪存芯片价格或将上涨15%。
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NAND iPad
- 根据Gartner发布的报告，该公司下调对于明(2011)年度半导体设备市场的预测;原先该公司预期将成长4.9%，现在预期将缩减1%。另外，Gartner原先预估今年成长113%，现在估计可达131%至384亿美元。该公司分析家KlausRinnen指出，今年产业创造了有史以来最强劲的成长，不过2011年度的市场将比较疲软，届时设备采购主要的重点将在于产能的扩充而不是在技术设备上。他表示由于媒体平板电脑的拉抬，NAND将是记忆体领域中资本投资最多者。
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半导体设备 NAND
- 2010年全球半导体市场成长幅度超过30%，这是在历经过去几年全球不景气之后，经济复苏所展现出的成果。而据Semico预测，2011年全球半导体销售额年成长幅度大约小于10%。乍看之下，这比2010年成长率要低得多，它代表坏消息吗?事实上，这个温和的成长数据代表着半导体市场正在回归正常轨道。
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东芝 半导体 NAND
- 美系存储器大厂美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大跃进，已挤下海力士(Hynix)坐稳全球三哥宝座，在扩产速度上，美光在2011年也不会缺席，与英特尔(Intel)合资的新加坡厂也将在2011年第2季开始投产，对于三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)2011年也有扩产计画，美光表示不担心供过于求，在产能增加的同时，平板计算机等应用也大幅崛起，预计2011年NAND Flash市场供需可维持健康的状态。
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美光 NAND
- 英飞凌科技股份公司近日在法国巴黎“智能卡暨身份识别技术工业展(CARTES & IDentification)”上宣布推出适用于新一代安全IC的90纳米SOLID FLASH™ 技术。依靠SOLID FLASH技术，英飞凌成为全球首家可将灵活可靠的闪存与出类拔萃的非接触式性能有机结合的安全产品供应商。
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英飞凌 FLASH
- 台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NAND Flash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技术架构下，研发出全球最小的9纳米电阻式存储器，计划在2011年下半正式成立“16-8纳米元件联盟”，将广邀存储器厂及晶圆代工厂加入，首波会先洽谈台系存储器厂，目标5~10年内将此技术导入量产，让台湾正式加入NAND Flash产业战局。
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NAND 9纳米
- 亚洲最大的半导体交易市场Dramexchange分析师周三表示，由于东芝一家芯片工厂因短时电力故障而停产的影响，到2011年1月中旬之前，NAND闪存芯片的价格可能会上涨15%。
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东芝 NAND
- 华尔街日报(WSJ)报导，东芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳电事件恐怕会影响接下来的产能，普遍使用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(TabletPC)及数码音乐播放器的NAND价格将因此跟涨。
东芝表示，这次的跳电事件可能影响未来2个月的产能，减少20%的产出。东芝与新帝(SanDisk)合资生产，总产出约占市场产能的3分之1，出货量仅次于排名全球第1的三星电子(SamsungElectronics)。
接下来几个月，全球的快闪存储器市场的供
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东芝 NAND
- 串行Flash存储器的编程解决方案,串行Flash存储器具有体积小、功耗低、管脚少、掉电不丢失数据等诸多优点，在IC卡和便携式智能检测仪表中广泛的应用。本文将介 绍一种通过51系列单片机的串行口与AT45d041芯片通讯的方法，此方法不仅编程简单，且运行
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解决方案 编程 存储器 Flash 串行
- 基于 DSP的嵌入式系统通过地址映射方式实现片外FLASH擦写,1 引言
在DSP系统的设计中，经常要使用片外存储器扩充系统存储空间。特别是当DSP的片内数据存储器和程序存储器容量比较小时, 必须把一部分数据，如常量、原始数据库等存储到片外的存储器中，从而节省DSP芯片内部
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方式 实现 FLASH 擦写 映射 地址 DSP 嵌入式 系统 通过
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