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nand-flash 文章 进入nand-flash技术社区

日本强震影响苹果公司股价

  •   据经济之声报道,苹果公司这几天股价连续大幅下滑,市值损失接近220亿美元。周五的股市交易中,苹果股价再一次小幅下挫。分析人士指出,在很多外在不确定因素的影响下,股价短期震荡在所难免,日本地震对苹果股价也有一定的影响。   
  • 关键字: 苹果  NAND  

日本地震电子供应链修复至少4月以上

  •   针对日本强震对电子供应链的影响,美银美林证券全球半导体研究部主管何浩铭(Daniel Heyler)昨天表示,由于BT树脂两大供货商三菱瓦斯与日立化成现在已停止接单,而两家占BT树脂供给量的九成,使得基板供给影响比想象严重,目前预估这次震灾对NAND、LCD面板、太阳能等供给的影响分别为40%、10%、20%,预期这次电子供应链修复期至少4-6个月。 
  • 关键字: NAND  基板  

VLSI上调2011年全球IC市场成长率

  •   市场研究机构 VLSI Research 最近调升了对 2011年 IC市场成长率的预测;该机构先前估计 2011年全球IC市场将成长8.1%、达到2,687亿美元营收规模,现在则是认为今年度该市场成长率为8.9%,营收规模2,707亿美元。   
  • 关键字: IC  NAND  

用CPLD和Flash实现FPGA配置

  • 摘要:FPGA可以通过串行接口进行配置。本文对传统的配置方法进行了研究,并从更新配置文件的方法入手,提出了利用处理机通过网络更新的方法,给出了一个用CPLD和Flash对FPGA进行配置的应用实例。
    关键词:现场可编程
  • 关键字: Flash  CPLD  FPGA    

iPad将推动今年NAND闪存出货量增长近五倍

  •   据市场研究公司iSuppli星期五发表的研究报告称,随着消费者越来越多地使用平板电脑,苹果的iPad今年将推动NAND闪存芯片的应用增长将近五倍。   iSuppli称,用于制作移动设备中使用的固态硬盘的NAND闪存芯片今年的消费量预计将达到23亿GB,比2010年消费的4768亿GB增长382.4%。iSuppli预计到2014年,NAND闪存芯片的出货量将达到123亿GB。 
  • 关键字: NAND  闪存芯片  

全球NAND Flash扩产竞赛3缺1 

  •   存储器大厂海力士(Hynix)2010年第4季获利受到DRAM报价下跌影响而骤降,除了积极布局非标准型DRAM相关的应用领域之外,市场认为目前全球4大NAND Flash阵营中,唯一没有宣布要扩产的只剩下海力士,2011年平板计算机和智能型手机等应用都是NAND Flash当道,海力士还有1座空著的12寸晶圆厂M12,未来若此座厂房加入NAND Flash生产行列,全球NAND Flash产业4大天王将全部到齐!  
  • 关键字: Hynix  NAND   

苹果再施狙击式采购

  •   苹果目前正在跟三星电子洽谈购买约78亿美元的零组件,内容包括屏幕、处理器、NAND闪存等,主要都是要用在 iPad、iPhone等产品上面。一旦该笔订单确定下来,苹果将成为三星的最大单一客户。   
  • 关键字: 三星  NAND  

DRAM、NAND芯片现货均价上周再度下滑

  •   市场调研公司inSpectrum近日发布的存储芯片市场周统计报告显示,上周DRAM和NAND芯片现货市场上的平均价格再次有了比较明显的下滑,相比1月份的稳定价格此次的变化对整个市场有一定的影响。   
  • 关键字: DRAM  NAND  

NAND闪存市场或将“崩盘”

  •   在2011年的国际固态电路会议(ISSCC)上,海力士、三星和东芝公布了各自关于尖端NAND部件的更多细节。   在一段时间内,由于手机、平板电脑和固态存储等产品市场的强劲需求,NAND闪存厂商一直有着惊人的增长速度。   
  • 关键字: NAND  闪存  

DRAM/NAND芯片现货均价上周再度下滑

  •   来自台湾媒体的最新消息称,市场调研公司inSpectrum近日发布的存储芯片市场周统计报告显示,上周DRAM和NAND芯片现货市场上的平均价格再次有了比较明显的下滑,相比1月份的稳定价格此次的变化对整个市场有一定的影响。   
  • 关键字: DRAM  NAND  

DRAM合约价酝酿反弹

  •   DRAM合约价在2010年第4季跌幅高达50%,随著现货价在农历年前率先反弹,2011年2月DRAM合约价亦走向止跌,存储器模块厂表示,近期甫出炉1Gb、2Gb、4Gb产品合约价都呈现止跌迹象,由于目前现货价比合约价至少高出20%,使得DRAM厂在合约价谈判上轻松许多;南亚科则预计,2月 DRAM合约价涨幅目标是至少5%。  
  • 关键字: DRAM  NAND  

全球NAND Flash扩产竞赛3缺1

  •   存储器大厂海力士(Hynix)2010年第4季获利受到DRAM报价下跌影响而骤降,除了积极布局非标准型DRAM相关的应用领域之外,市场认为目前全球4大NAND Flash阵营中,唯一没有宣布要扩产的只剩下海力士,2011年平板计算机和智能型手机等应用都是NAND Flash当道,海力士还有1座空著的12寸晶圆厂M12,未来若此座厂房加入NAND Flash生产行列,全球NAND Flash产业4大天王将全部到齐!  
  • 关键字: 海力士  NAND  

iPad将成今年NAND闪存成长动力

  •   据市场研究公司iSuppli星期五发表的研究报告称,随着消费者越来越多地使用平板电脑,苹果的iPad今年将推动NAND闪存芯片的应用增长将近五倍。   iSuppli称,用于制作移动设备中使用的固态硬盘的NAND闪存芯片今年的消费量预计将达到23亿GB,比2010年消费的4768亿GB增长382.4%。iSuppli预计到2014年,NAND闪存芯片的出货量将达到123亿GB。  
  • 关键字: iPad  NAND  

三星2010年NAND Flash市占直逼40% 产业成长率达58%

  •   2010年的NAND Flash产业由平板计算机(Tablet PC)及智能型手机(Smartphone)称霸应用端,传统的快闪记忆卡和优盘一直等到2010年第4季都没有表现的舞台,整体2010年NAND Flash市场营收成长达58.7%,为191.7亿美元,其中三星电子(Samsung Electronics)持续称王,美光(Micron)在第4季市占率持续超越海力士(Hynix),但差距相当少,双方持续缠斗意味浓厚。   2010年快闪记忆卡和优盘等NAND Flash应用风光不再,取而代之的
  • 关键字: 三星电子  NAND   

2011年NAND闪存销售额将进一步增长

  •   据iSuppli公司,作为多种消费电子产品的事实性存储媒介,NAND闪存2011年将再度实现两位数的增长。   2010年NAND闪存销售额创下最高纪录,增长38%。预计今年销售额将达到220亿美元,比2010年的187亿美元增长18%。而NAND闪存比特出货量增长幅度更大,预计2011年增长72%,达到193亿GB。   尽管增长势头强劲,但2011年底市场形势可能发生变化。考虑到目前市场中乐观气氛弥漫,而且供应商可能过度投资扩大生产,风险可能在2011年底浮现,届时供应可能超过需求。预计201
  • 关键字: NAND  闪存  
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