- Am29F040是AMD公司生产的Flash存储器，主要作用是固化程序和保存历史数据，也就是开机后执行闪存的程序，并在程序执行的过程中实时地保存或修改其内部的数据单元。下面首先介绍Am29F040的特点和操作。Am29F040是采
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Flash F040 040 29F
- 基于磨损均衡思想的Nand Flash存储管理在TMS320F28x中的实现, Nand Flash作为一种安全、快速的存储体，因其具有体积小、容量大、成本低、掉电数 据不丢失等一系列优点，已逐步取代其它半导体存储元件，成为嵌入式系统中数据存储的主 要载体。尽管Nand Flash的每个单元块相互独
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存储 管理 TMS320F28x 实现 Flash Nand 磨损 均衡 思想
- 并行NOR Flash在SOPC开发中的应用,摘要 讨论Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC开发中的4种不同用途。J3D Flash可以用于存储FPGA配置比特流、可引导的软处理器代码、可直接执行的软处理器代码
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开发 应用 SOPC Flash NOR 并行
- 基于Flash的大容量高速数据记录仪设计,现今嵌入式存储产品已渗透进人们生活工作中的方方面面，从ATM 机到手持通讯设备。社会对嵌入式产品的性能也有越来越高的要求：大容量，高速度，断电保护，体积限制等等。当前数据记录仪的容量和速度普遍偏小。本文旨
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记录仪 设计 数据 高速 Flash 大容量 基于
- 1 引 言FLASH是一种兼有紫外线擦除EPROM和电可擦可编程只读存储器（E2PROM）两者优点的新型非易失存储器。由于它可在线进行电可擦除和编程，芯片每区可独立擦写至少10,000次以上，因而对于需周期性地修改被储存的代
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系统 应用 台标 单片机 FLASH 大容量
- 据媒体报道，根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新数据，2011年第四季度全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元，环比下滑了8.6%。三星电子依然是该市场的龙头，市场份额达到了34.6%。
集邦科技提供的数据显示，NAND闪存出货环比增长了大约5%，而平均销售价格则环比下滑了13%。集邦科技指出，虽然存储卡和闪存的零售增幅依然缓慢，但是智能手机和平板电脑制造商对闪存的需求依然非常强劲。
集邦科技指出，三星电子
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- 外电报导，全球第二大内存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并财报：受内存价格下滑、PC需求趋缓的影响，净损达2,399亿韩元(2.131亿美元)，逊于去年同期的纯益300亿韩元，已连续第2季缴出亏损成绩单;营收年减7.2%至2.55兆韩元;营损达1,675亿韩元，逊于去年同期的营益2,940亿韩元。根据彭博社调查，分析师平均预期Hynix Q4净损将达1,617亿韩元。根据Thomson Reuters调查，分析师原先预期Hynix Q4
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Hynix NAND
- 一种支持ISP的Flash在嵌入式设计中的应用,引言在基于VxWorks的嵌入式系统开发过程中，板卡支持包BSP(Board Support Package)的开发是非常重要而又闲难的一个环节。因为不能确定硬件系统是否正常丁作，而后续应用开发都是以此为基础。在实际开发中，为了提高开
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设计 应用 嵌入式 Flash ISP 支持
- 根据市场研究机构Bernstein Research 公司分析师Toni Sacconaghi 报告指出，苹果公司在上一季买了全球NAND 快闪记忆体出货量的23% ，凭借着这么大的采购量，苹果拿到的成本价格可说是出乎意料之外的低。
Sacconaghi 报告指出，苹果产品在2011 年第四季消耗了容量总数高达14.5 亿GB 的NAND 快闪记忆体;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 为30% 。这么大的量，自然让苹果购买NAND 快闪记忆体有很大的折扣，大约是每GB 价格为0.6
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- 日系DRAM厂尔必达(Elpida)身陷财务风暴，近期传出在日本官方作媒下，正与同为日系NAND Flash大厂东芝(Toshiba)洽谈整合事宜。对此东芝和尔必达高层都不予置评。
近期再度传出尔必达与东芝高层就合并及整合密谈协商，且日本政府扮演关键要角。内存业者透露，东芝在发展行动装置上，需要与尔必达Mobile RAM结合，才能打败美韩阵营，双方确实有接触洽谈整合事宜，但东芝对于重返DRAM领域意愿不高，另外，日本政府亦认为，DRAM市场虽萎缩，但技术必须传承，有意促使两大半导体厂整合。
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东芝 NAND
- μC/OS-II在DSP Flash存储器中运行的关键问题,引言 在作为国家863计划子项目挖掘机智能化控制系统的开发中，出现了智能化挖掘机轨迹控制系统不按照预先设定好的轨迹运行和嵌入式实时多任务操作系统mu;C／OS-Ⅱ调度紊乱等失控问题。该智能化系统中采用了mu;C
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关键 问题 运行 存储器 DSP Flash C/OS-II
- 一、概述近年来随着国家对可再生能源扶持政策的进一步出台，可再生能源特别是风力发电呈现蓬勃发展的趋势，国...
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FLASH PLC 风电控制
- 力晶在2012年起将会大幅降低标准型DRAM投片量，以最低的产能维持DRAM的技术发展，并于明年起全数转入30nm 4Gb生产，而空出的产能将会以NAND FLASH填补，后续技术发展的重点也转移到NAND 2Xnm的制程微缩。放远未来，力晶仍会保留DRAM技术，待3D-IC以及TSV的技术成熟时，将会以记忆体为中心做芯片组的整合，力图成为大中华地区各技术领域最完整之晶圆厂。
随着力晶正式宣布将产能逐步扩大至Flash产品上，加上原先代工如LCD Driver及非标准型DRAM产品，希望明年标准
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