- 据韩国媒体报导，2011年第1季NAND Flash市场上，日厂东芝(Toshiba)猛力追击，以市占率0.3%差距，威胁三星电子(Samsung Electronics) 8年来业界第1的地位。然而在快速成长的行动DRAM市场上，三星仍坐拥压倒性的市占率。
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三星 Flash
- 摘要 基于Flash存储器的Hamming编码原理，在Altera QuartusⅡ7．0开发环境下，实现ECC校验功能。测试结果表明，该程序可实现每256 Byte数据生成3 Byte的ECC校验数据，能够检测出1 bit错误和2 bit错误，对于1 bit错误
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Flash FPGA NAND ECC
- 支持Flash的单板计算机嵌入式系统,1 引言 在实际开发中，为了提高开发效率，大多是采用以一个与目标板硬件相似的BSP为模板，并在此基础上修改移植。在这个过程中.除了CPU以外，另一个重要的器件就是装有启动程序的Flash器件。 2 系统介绍 采
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嵌入式 系统 计算机 单板 Flash 支持
- 最近举办的Semicon West2011半导体业界大会上，三星与苹果之间的知识产权争端事件显然会是一个有趣的话题。目前，三星正准备于8月份开始量产苹果手机/平板电脑用 A5 SoC芯片。而且他们最近花费36亿美元对奥斯汀芯片厂进行了升级，使其产能能够在NAND或逻辑芯片产品之间自由切换，不过三星显然希望能够在保住苹果 芯片订单的前提下继续拓展自己的代工业务。
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三星 NAND
- 据IHS iSuppli公司的研究，东芝在2011年第一季度NAND闪存市场大有要超过三星之兆，这两家厂商的市场份额差距从2010年第四季度的1.1个百分点缩小到只有0.3个百分点。长期以来，三星一直是最大的NAND闪存厂商。
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东芝 NAND
- 据IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND闪存领域争夺头号排名的竞争加剧，排名第二的东芝接近与三星电子平起平坐。长期以来，三星一直是最大的NAND闪存厂商。
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NAND 闪存
- 摘要：从一种军用板卡的实际需求出发，对SPI接口在设计中有诸如FPGA资源和管脚等限制的情况下，快速加栽配置数据的方法进行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件，描述了高速SPI接口的设计原理和方法，具有
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T1024 FLASH 1024 25T
- Flash损耗均衡的嵌入式文件系统设计,引言
嵌入式系统的海量存储器多采用Flash存储器实现扩展，由于Flash存储器具有有限写入次数的寿命限制，因此对于Flash存储器局部的频繁操作会缩短Flash存储器的使用寿命。如何设计出一个合理的、针对嵌入式应用
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系统 设计 文件 嵌入式 损耗 均衡 Flash
- 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm为止，由于大部分买方与卖方就六月上旬NAND Flash合约价格的谈判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合约价将等到各家厂商价格谈定后DRAMeXchange才会公布。
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平板电脑 NAND
- 行动装置风潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服务器DRAM等，俨然已成为DRAM厂最佳避风港，然在各家存储器大厂一窝蜂抢进下，Mobile RAM已率先发难，出现供过于求警讯，日厂尔必达(Elpida)传出原本爆满的Mobile RAM产能将转回作PC DRAM，加上近日PC DRAM价格再度崩跌至濒临1.5美元保卫战，DRAM厂12寸厂产能陷入苦寻不到避风港困境。
存储器业者表示，PC市场成长趋缓是 DRAM产业致命伤，而平板计算机崛起让每台系统DRAM
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DRAM NAND
- Hynix半导体公司在近日举办的2011VLSI研讨上宣布成功研发出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND闪存芯片，Hynix称这款产品是业内首款基于20nm制程的大容量MLC NAND闪存芯片。
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Hynix NAND
- 南韩半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NAND Flash产品群，近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NAND Flash产量，以26纳米制程产品比重逾50%为最大。
海力士相关人员表示，26纳米制程NAND Flash比重至2011年3月底约为40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26纳米制程产品将逐渐取代32纳米制程产品，成为海力士主力产品。
NAND Flash为非挥发性内存芯片，即使中断供电也能储存信息，是智能型手机、平板计算机等行动装
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海力士 NAND
- 存储器模块厂金士顿(Kingston)不畏存储器景气波动，2010年全球独立DRAM模块厂市占率首度突破50%大关，NAND Flash市场布局也成功跨足固态硬盘(SSD)市场，面对台湾上游DRAM厂仍处于生存困境的当下，金士顿创办人之一的杜纪川表示，认同孙大卫认为台湾 DRAM产业要集成才有活路的策略，唯有计画性地将各方力量做结合，才能让台湾DRAM厂免受全球经济、市场波动冲击。
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NAND DRAM
- 由于苹果等大型企业的需求不够强劲，导致5月的NAND闪存芯片合约价格“快速”降低。
今年5月的NAND芯片价格的降幅已经超过15%，现货市场的降幅则在20%左右。苹果仍是NAND闪存芯片的最大买家，但需求提升不像往年的第二季度那么强劲。
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ipad NAND
- 第2季NAND Flash终端需求太差，新出炉合约报价大跌超过10%，内存模块厂表示，合计整个5月现货报价跌幅达20%，合约价合计跌幅也超过15%，反映终端需求确实需要新刺激，目前市场是底部已临，静待反弹阶段;展望第3季，市场认同威刚董事长陈立白的基调，预期第3季仍会比第2季好一些，但市场不至于会有缺货或价格飙涨的情况发生。
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三星 NAND Flash
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