- 在日前的一场闪存高峰会中，SanDisk公司的技术长Yoram Cedar指出，下一代光刻技术的延迟，将导致NAND闪存的成长趋缓。市场原先对闪存的展望都相当乐观，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技术的延迟，闪存的成长可能需要再评估。
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SanDisk NAND
- 全球第二大闪存制造商东芝公司(Toshiba Corp)周三警告说，由于PC市场不景气，美国和欧洲等经济体持续动荡以及日元强势等原因，该公司芯片业务的利润可能达不到预期。
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东芝 芯片 NAND
- 基于TMS320DM642的Flash编程,本文首先介绍常见的Flash编程方法,然后详细介绍本文方法的原理,以及DSP系统上电加载原理,最后给出整个实现过程并分析了Flash编程时需要注意的一些问题。 Flash编程方法 常见的Flash编程方式 Flash在正常使用
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编程 Flash TMS320DM642 基于
- 据韩国电子新闻报导，计算机用DRAM芯片价格快速下跌，NAND Flash合约价也从6月起出现陡峭跌幅，2个月内出现2011年来最低价2美元纪录。下半年则因智能型手机(Smartphone)与平板计算机 (Tablet PC)新品陆续问世，可望带动NAND Flash价格回升。
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NAND DRAM芯片
- 随著存储器容量越来越大，NANDFlash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面尽管在微缩的技术上些微领先最大竞争对手公司韩国三星电子(SamsungElectronics)，但短期内该技术也将可能面临瓶颈，因此如东芝(Toshiba)及尔必达(Elpida)等公司，均已决定投入3D存储器的开发。
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三星 存储器 NAND
- 随著存储器容量越来越大，NAND Flash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面尽管在微缩的技术上些微领先最大竞争对手公司韩国三星电子(Samsung Electronics)，但短期内该技术也将可能面临瓶颈，因此如东芝(Toshiba)及尔必达(Elpida)等公司，均已决定投入3D存储器的开发。
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尔必达 NAND
- C6000系列DSP Flash二次加载技术研究,引言
TI公司C6000系列DSP具有强大的处理能力，在嵌入式系统中有着广泛的应用。由于程序在DSP内部存储器的运行速度远大于片外存储器的运行速度，通常需要将程序从外部加载到DSP内部运行。由于C6000系列DSP均没有
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技术 研究 加载 Flash 系列 DSP C6000
- 内存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主机和手持设备上的密集度仍将提高 40% 以上，而这是游戏最主要的游戏环境。
今年家用游戏主机的 NAND 平均密度预计达 923MB，较去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戏设备的 NAND 平均密度则预计自去年的 87MB 增长 41.4%，达 123MB。
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Sony NAND
- LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技术，用于为 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于闪存的高速缓存保护功能。MegaRAID CacheVault 采用固态 NAND 闪存，能够在电源发生故障的时候自动将高速缓存中的数据转移到闪存中，从而为存储在 RAID 控制器缓存中的数据提供强大的保护。CacheVault 技术避免了采用锂离子电池的麻烦，并可节约相关的硬件维护成本，从而实现更环保、总体成本更低的高速缓存保护解决方案。
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LSI NAND
- 据IHS iSuppli公司的NAND闪存研究报告，尽管NAND闪存成本较高妨碍其进入游戏硬件，但2011年家庭游戏机与手持游戏机中的NAND密度将增长40%以上。
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索尼 NAND
- 三星电子一家新的存储半导体制造厂将于9月投入运营。消息人士说，新厂编号为“Line-16”，主要生产NAND芯片。
2010年5月时，三星在韩国京畿道(Gyeonggi Province)华城(Hwaseong)破土动工，建立新的工厂。此前三星曾透露说，Line-16工厂月产20万片12寸圆晶。
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三星 NAND
- 日前东芝和SanDisk在日本建立了第三家半导体工厂，以应对智能手机和平板电脑的快速发展而带来的对闪存芯片的大量需求。该工厂主要生产300毫米晶片NAND半导体，工厂名称为“Fab 5”。
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东芝 NAND
- 东芝株式会社 与Sandisk公司日前共同庆祝位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。
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东芝 NAND
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